【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池，尤其涉及一种n型双面晶硅电池异常分析方法。
技术介绍
1、现如今世界各国大力发展清洁能源，光伏发电作为可再生能源收到各国青睐，在现有光伏技术中心，隧穿氧化物钝化接触(topcon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一，随着其技术路线的成熟，目前已被广泛应用于高效太阳电池量产。如图1所示为n型双面晶硅电池结构示意图，根据结构可以看出n型双面电池制程较传统太阳能电池片工序更多，制程更为复杂，所以出现质量异常的风险更大，待在成品端发现异常，无法第一时间直观、快速分析导致异常的原因。因此，亟需一种能够快速有效判断制程中端质量情况的异常分析方法，从而可以实时制定改善措施，进而有效提高产线效率、良品率及合格率。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种n型双面晶硅电池异常分析方法，通过特定手段反向分析方案，通过此异常分析方法可快速有效判断制程中端质量情况，进一步制定改善措施，有效提高了产线效率、良品率及合格率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
2、本专利技术提供了一种n型双面晶硅电池异常分析方法，所述方法包括如下步骤：
3、步骤s1、装片：
4、手动将待测硅片插入专用抛片小花篮，使用压杆固定好；
5、步骤s2、配液：
6、在大花篮内使用氢氟酸和盐酸配制成混酸清洗液；
7、步骤s3、混酸清洗：
8、将小花篮放置在大花篮内清洗，在混酸溶液中浸泡，去除蓝膜
9、步骤s4、水洗：
10、使用纯水槽进行清洗；
11、步骤s5、吹扫：
12、手动使用气枪吹干硅片表面水渍；
13、步骤s6、测试分析：
14、对吹扫后的硅片通过方块电阻测试仪测试分析正面方阻是否异常；
15、步骤s7、装片：
16、手动将混酸清洗后异常片与对比片分别插入专用抛片小花篮，使用压杆固定好；
17、步骤s8、配液：
18、配制氢氧化钠溶液并加热；
19、步骤s9、碱溶液清洗：
20、将小花篮和大花篮内放置清洗，在上述氢氧化钠溶液中浸泡，去除硅片表面掺杂层；
21、步骤s10、水洗：
22、使用纯水槽进行清洗；
23、步骤s11：吹扫：
24、手动使用气枪吹干硅片表面水渍；
25、步骤s12、测试分析：
26、对吹扫后的硅片测试重量及方阻，通过换算得出硅片电阻率，判断硅片原材料端是否存在异常。
27、进一步地，步骤s2中，所述混酸清洗液由质量浓度为8％-10％的氢氟酸和质量浓度为6％-8％的盐酸按体积比为1：1配制成。
28、进一步地，所述步骤s3中，浸泡时间为1000s-1200s。
29、进一步地，所述步骤s4和s10中，清洗时间为60s-80s。
30、进一步地，所述步骤s5和s11中，吹扫标准为肉眼观察表面无水渍残留。
31、进一步地，所述步骤s6具体包括：
32、将吹扫后的硅片通过方块电阻测试仪测试分析正面方阻是否异常，具体与产线过程控制的spc范围进行对比，超出范围即为异常。
33、进一步地，所述步骤s8中，氢氧化钠质量浓度为12％-15％，加热温度为80℃-83℃。
34、进一步地，所述步骤s9中，浸泡时间为300s-400s。
35、进一步地，所述步骤s12具体包括：
36、对吹扫后的硅片测试重量及方阻，通过换算得出硅片电阻率，判断硅片原材料端是否存在异常，具体与产线过程控制的spc范围进行对比，超出范围即为异常。
37、本专利技术的技术效果和优点：
38、目前n型双面电池在成品端发现异常后，没有直观检测手法可以判断异常原因，为提升电池片制造合格率，本专利技术提出一种n型双面晶硅电池片异常分析方法，通过使用特定溶液对电池片结构进行抛片，恢复制程中端结构进行检测分析的方法，可直观、快速的反向分析制程中掺杂工序及原材料端是否存在异常，减少异常片产出，提升电池片效率、良品率及合格率。
39、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，步骤S2中，所述混酸清洗液由质量浓度为8％-10％的氢氟酸和质量浓度为6％-8％的盐酸按体积比为1：1配制成。
3.根据权利要求1或2所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S3中，浸泡时间为1000S-1200S。
4.根据权利要求2所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S4和S10中，清洗时间为60S-80S。
5.根据权利要求1所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S5和S11中，吹扫标准为肉眼观察表面无水渍残留。
6.根据权利要求1所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S6具体包括：
7.根据权利要求1、5或6所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S8中，氢氧化钠质量浓度为12％-15％，加热温度为80℃-83℃。
8.根据权利要求1所述的一
9.根据权利要求1所述的一种N型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤S12具体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种n型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种n型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，步骤s2中，所述混酸清洗液由质量浓度为8％-10％的氢氟酸和质量浓度为6％-8％的盐酸按体积比为1：1配制成。
3.根据权利要求1或2所述的一种n型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤s3中，浸泡时间为1000s-1200s。
4.根据权利要求2所述的一种n型双面晶硅电池异常分析方法，其特征在于，所述步骤s4和s10中，清洗时间为60s-80s。
5.根据权利要求1所述的一种n型双面晶硅电池...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛展，代同光，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。