System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种C/SiC复合材料螺母的加工制备方法技术_技高网

一种C/SiC复合材料螺母的加工制备方法技术

技术编号:40171634 阅读:10 留言:0更新日期:2024-01-26 23:41
本发明专利技术属于机械加工技术领域,具体涉及一种C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,通过CVI工艺制备出四方形2DC/SiC毛坯材料,并打孔攻丝后获得半成品螺母,再通过PIP工艺进行致密化,再次进行CVI工艺沉积SiC基体,得到复合航天领域需求的C/SiC复合材料成品螺母,弥补了CVI制备螺母工艺的不足,一方面聚合物可以填充CVI沉积不到大的孔隙,保证螺母的承载能力,另一方面可以减少CVI的沉积次数从而缩短整个螺母的加工周期。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于机械加工,具体涉及一种c/sic复合材料螺母的加工制备方法。


技术介绍

1、自70年代以来,为了寻求将热防护、结构承载以及防氧化结合于一体的新途径,人们从提高基体的防氧化性能着手进行了广泛的研究,用抗氧化性能优异的sic取代c作为基体的c/sic复合材料,成为继c/c复合材料之后新一代的热结构材料,受到了极大的关注。

2、c/sic复合材料具有耐高温、抗热震、高强度(甚至在高温下)、高韧性、高硬度、高耐磨性、高化学稳定性、高设计容限、高热导性、低密度、低热膨胀系数等一系列的优异性能。它可以满足1650℃以下长寿命、2000℃以下有限寿命、2800℃以下瞬时寿命的要求,在高推重比的航空发动机、卫星姿控发动机、超高声速冲压发动机、空天往返发热系统、巡航导弹发动机、液体和固体火箭发动机等武器装备领域具有广阔的推广前景。

3、在航天领域,螺母与螺栓主要用于航天飞行器热防护系统结构件的连接。目前国内制备螺母主要是采用3d针刺复合材料制备螺母,由于3d针刺复合材料预制体比较致密,沉碳后具有可加工性,可以在这一阶段利用普通丝锥攻丝制备螺母,因此可以大大的降低螺母的制备成本。但是由于3d针刺材料胎网层纤维杂乱分布,且比较疏松,对螺纹牙的增韧效果比较差,最终导致3d针刺螺母的承载能力低,不能满足2dc/sic螺栓的承载要求。2dc/sic材料纤维含量高,层与层之间比较致密,因此2dc/sic材料是制造高强度螺母的合适材料。

4、德国man公司采用化学气相渗透法(chemicalvaporinfiltration,简称cvi)制造出了2dc/sic复合材料螺母,但由于等温cvi工艺的限制,随着螺母厚度的增加,容易导致螺母中心空隙沉积不透,降低螺母的承载能力,而且制备周期长。

5、所以,提出一种符合航天领域需求的采用cvi工艺和pip(先驱体转化法)工艺制备出的c/sic复合材料的螺母的加工制备方法。


技术实现思路

1、为了解决上述技术问题,本专利技术设计了一种c/sic复合材料螺母的加工制备方法,通过cvi工艺制备出四方形2dc/sic毛坯材料,并打孔攻丝后获得半成品螺母,再通过pip工艺进行致密化,再次进行cvi工艺沉积sic基体,得到复合航天领域需求的c/sic复合材料成品螺母,弥补了cvi制备螺母工艺的不足,一方面聚合物可以填充cvi沉积不到大的孔隙,保证螺母的承载能力,另一方面可以减少cvi的沉积次数从而缩短整个螺母的加工周期。

2、为了达到上述技术目的,本专利技术是通过以下技术方案实现的:

3、一种c/sic复合材料螺母的加工制备方法,包括以下步骤:

4、s1:制备四方形2dc/sic毛坯材料;

5、s1.1:采用化学气相沉积工艺在2d铺层的四方形预制体的碳纤维表面沉积热解碳界面层;

6、s1.2:采用cvi工艺沉积sic基体,形成四方形2dc/sic毛坯材料;

7、s2:在四方形c/sic毛坯材料中心配合螺栓打孔攻丝,形成半成品螺母;

8、s3:以聚碳硅烷前驱体溶液为浸渍液,采用pip工艺对半成品螺母进行致密化,并进行高温热处理;

9、s4:再次将半成品螺母浸渍在sic浆料中,取出,采用cvi工艺沉积sic基体,得到c/sic复合材料成品螺母。

10、优选地,所述s1.1中预制体的制备过程为:将碳纤维织造为四方形平纹布,再将平纹布铺叠成2d结构的预制体,再进行压紧定型。

11、优选地,所述s1.1中化学气相沉积的条件为:沉积温度为850℃,沉积设备抽真空至3kpa,稀释气体氩气的流量为50-80l/min,碳源前驱体气体丙烯流量为10-100l/min,沉积时间为50h。

12、优选地,所述s1.2与s4中采用cvi工艺沉积sic基体的条件为:沉积温度为1300℃,沉积设备抽真空至10kpa,载气氢气的流量为80l/min,sic基体前驱体气体三氯甲基硅烷流量为200l/min,单次沉积时间为60h。

13、优选地,所述s1.2中采用cvi工艺沉积sic基体的次数为2-3次,s4中采用cvi工艺沉积sic基体的次数为1-2次。

14、优选地,所述s2中采用钻头进行打孔后使用普通丝锥进行攻丝。

15、优选地,所述s3中半成品螺母在1000℃下在聚碳硅烷前驱体溶液中浸渍裂解6-7次,再进行1400℃下的热处理。

16、本专利技术的有益效果是:

17、通过cvi工艺制备出四方形2dc/sic毛坯材料,并打孔攻丝后获得半成品螺母,再通过pip工艺进行致密化,再次进行cvi工艺沉积sic基体,得到复合航天领域需求的c/sic复合材料成品螺母,弥补了cvi制备螺母工艺的不足,一方面聚合物可以填充cvi沉积不到大的孔隙,保证螺母的承载能力,另一方面可以减少cvi的沉积次数从而缩短整个螺母的加工周期。

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【技术保护点】

1.一种C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S1.1中预制体的制备过程为:将碳纤维织造为四方形平纹布,再将平纹布铺叠成2D结构的预制体,再进行压紧定型。

3.根据权利要求2所述C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S1.1中化学气相沉积的条件为:沉积温度为850℃,沉积设备抽真空至3kPa,稀释气体氩气的流量为50-80L/min,碳源前驱体气体丙烯流量为10-100L/min,沉积时间为50h。

4.根据权利要求1所述C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S1.2与S4中采用CVI工艺沉积SiC基体的条件为:沉积温度为1300℃,沉积设备抽真空至10kPa,载气氢气的流量为80L/min,SiC基体前驱体气体三氯甲基硅烷流量为200L/min,单次沉积时间为60h。

5.根据权利要求4所述C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S1.2中采用CVI工艺沉积SiC基体的次数为2-3次,S4中采用CVI工艺沉积SiC基体的次数为1-2次。

6.根据权利要求1所述的C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S2中采用钻头进行打孔后使用普通丝锥进行攻丝。

7.根据权利要求1所述的C/SiC复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述S3中半成品螺母在1000℃下在聚碳硅烷前驱体溶液中浸渍裂解6-7次,再进行1400℃下的热处理。

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【技术特征摘要】

1.一种c/sic复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述c/sic复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述s1.1中预制体的制备过程为:将碳纤维织造为四方形平纹布,再将平纹布铺叠成2d结构的预制体,再进行压紧定型。

3.根据权利要求2所述c/sic复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述s1.1中化学气相沉积的条件为:沉积温度为850℃,沉积设备抽真空至3kpa,稀释气体氩气的流量为50-80l/min,碳源前驱体气体丙烯流量为10-100l/min,沉积时间为50h。

4.根据权利要求1所述c/sic复合材料螺母的加工制备方法,其特征在于,所述s1.2与s4中采用cvi工艺沉积sic基体的条件为...

【专利技术属性】
技术研发人员:李旭勤蒋欣茹赵远利黄瑞材陈桂锭宋青芸王杰马勍左质鑫张兴秀
申请(专利权)人:成都工业学院
类型:发明
国别省市:

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