【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体封装，一种制造用于直立安装的半导体封装的方法和一种安装该半导体封装的方法。
技术介绍
1、半导体封装可以包括外壳中的一个或多个半导体器件。该封装可以包括衬底或引线框，该衬底或引线框包括用于将电子组件安装在诸如印刷电路板的再分布板上的外部触点。该封装还包括从半导体器件到衬底或引线框的内部电连接。外壳可以包括覆盖半导体器件和内部电连接的塑料模制化合物。公开的美国专利申请us2004/0212057a1公开了一种半导体组件，其包括外壳和布置在外壳中的至少两个半导体芯片。
2、当安装在更高级别的板(诸如电路板)上时占据更小面积的半导体封装是合期望的。
技术实现思路
1、根据本专利技术，提供了一种半导体封装，其包括低电压接触焊盘、高电压接触焊盘、输出接触焊盘和半桥电路。半桥电路包括在输出节点处串联耦合的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件具有第一主表面，并且第二晶体管器件具有第一主表面。第一晶体管器件的第一主表面和第二晶体管器件的第一主表面基本上垂直于低电压接触焊盘、高电压接触焊盘和输出接触焊盘延伸。半导体封装进一步包括第一引线、第二引线和第三引线。第一和第二晶体管器件布置在半导体封装的器件部分中，并且安装在第一引线上，第一引线提供输出接触焊盘，并且布置在器件部分的第一侧上。第二和第三引线布置在器件部分的第二侧上的公共平面中，该第二侧与器件部分的第一侧相对。第二引线提供低电压接触焊盘，并且第三引线提供高电压接触焊盘。
2、低电压接触焊盘、
3、具有低电压接触焊盘、高电压接触焊盘和输出接触焊盘的封装的第一安装表面安装在电路板的主表面上，使得在安装位置中，第一晶体管器件的第一主表面和第二晶体管器件的第一主表面各自基本上垂直于电路板的主表面延伸，使得该封装相对于电路板的主表面安装在垂直或直立位置中。这种垂直布置节省了电路板上的空间，这是因为与第一晶体管器件的第一主表面和第二晶体管器件的第一主表面基本上平行于电路板的主表面延伸的布置相比，具有半桥的封装占据了电路板上更少的空间。
4、半导体封装具有堆叠布置，其中第一晶体管器件布置在第一引线和第二引线之间，并且第二晶体管器件布置在第一引线和第三引线之间。第一和第二晶体管器件彼此横向相邻地布置在第一引线的同一表面上，并且第二和第三引线彼此横向相邻且间隔开地布置。第二和第三引线可以基本上彼此共面。
5、在一些实施例中，第一晶体管器件包括第一主表面上的第一功率电极和与第一主表面相对的第二主表面上的第二功率电极，并且第二晶体管器件包括第一主表面上的第一功率电极和与第一主表面相对的第二主表面上的第二功率电极。在一些实施例中，第一引线包括内表面，第一晶体管器件的第二功率电极和第二晶体管器件的第一功率电极附接到该内表面上。第二引线包括附接到第一晶体管器件的第一功率电极的内表面，并且第三引线包括附接到第二晶体管器件的第二功率电极的内表面。
6、第一晶体管器件的第二功率电极和第二晶体管器件的第一功率电极电连接到第一引线，第一晶体管器件的第一功率电极电连接到第二引线，并且第二晶体管器件的第二功率电极电连接到第三引线。
7、如本文所使用的，如在功率电极、栅电极、源电极和漏电极中，术语“电极”标示晶体管器件上的芯片焊盘或芯片端子，其是形成在晶体管器件的半导体衬底上的金属化结构的一部分，而不是形成在晶体管器件的第一主表面中或第一主表面处的电极——这是晶体管器件结构的一部分，例如晶体管单元结构的一部分。
8、在一些实施例中，第一晶体管器件的第二功率电极是漏电极，并且第二晶体管器件的第一功率电极是源电极。因此，它们附接到其上的第一引线形成半桥电路的输出节点，并提供封装的输出焊盘。第一晶体管器件的第一功率电极是源电极，使得第二引线提供低电压焊盘，并且第二晶体管器件的第二功率电极是漏电极，使得第三引线提供高电压焊盘。
9、第一、第二和第三引线中的每一个都具有与内表面相对的外表面和在内表面与外表面之间延伸的侧面。内表面和外表面是主表面，由此内表面为晶体管器件提供安装表面，并且通常被也覆盖晶体管器件的模制化合物覆盖。外表面可以保持从模制化合物暴露出，并提供冷却表面。
10、在一些实施例中，第一引线具有基本上垂直于第一引线的内表面延伸并提供输出接触焊盘的下侧面，第二引线具有提供低电压接触焊盘并基本上垂直于内表面并且基本上平行于第一引线的下侧面延伸的下侧面，并且第三引线具有提供高电压接触焊盘并基本上垂直于内表面并且基本上平行于第一引线的下侧面延伸的下侧面。
11、在一些实施例中，第一、第二和第三引线的下侧面布置在半导体封装的安装表面中。
12、在一些实施例中，第一、第二和第三引线中的每一个的下侧面具有比安装区域中引线的厚度大的长度。第一、第二和第三引线可以被认为具有带引脚的l形。在一些实施例中，第一、第二和第三引线中的每一个的引脚具有提供相应接触焊盘的下表面。第一引线的引脚从第一引线的外表面突出，并垂直于和远离第一引线的外表面和内表面延伸，并且因此也垂直于第一和第二晶体管器件的第一主表面延伸。第二引线也具有从第二引线的外表面突出并垂直于和远离第二引线的外表面和内表面延伸的引脚，并且第三引线也具有从第三引线的外表面突出并垂直于和远离第三引线的外表面和内表面延伸的引脚。第一引线的引脚从第二和第三引线中的每一个的引脚在相反的方向上延伸。第二引线的引脚基本上平行于第三引线的引脚延伸。
13、在一些实施例中，第一晶体管器件进一步包括布置在第一主表面上并连接到第一控制引线的第一控制电极，并且第二晶体管器件进一步包括布置在第一主表面上并连接到第二控制引线的第二控制电极。第一控制电极在第一晶体管器件的第一主表面上与源电极横向相邻地布置并且可以提供第一栅电极，并且第二控制电极在第二晶体管器件的第一主表面上与源电极横向相邻地布置并且可以提供第二栅电极。在这些实施例中，第一和第二晶体管器件的金属化的第一和第二栅电极在半导体封装内面向相反的方向。
14、在一些实施例中，第一和第二栅极引线各自具有下侧面，该下侧面布置在封装的下表面中，并且基本上与低电压接触焊盘、高电压接触焊盘和输出接触焊盘共面。第一和第二栅极引线的下侧面与器件部分的第二侧上的第二引线和第三引线布置在公共平面中。在该实施例中，半导体封装的所有外部连接焊盘被布置在公共安装表面中的公共平面中。
15、第一引线可以具有切口或移除区段，使得第一引线的内表面和外表面具有l本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中
3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体封装，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装，其中
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，第一栅极引线位于第二引线的切口中，并且第二栅极引线从与第一引线公共的平面延伸到第二晶体管器件下方，并具有提供第二栅极焊盘并且基本上平行于第三引线的下侧面延伸的下侧面。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，第一晶体管器件包括布置在第一主表面上的第一控制电极，并且第二晶体管器件包括布置在第二主表面上的第二控制电极。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，第一栅极引线布置在第二引线的切口中，并且第二栅极引线布置在第三引线的切口中。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体封装，其中，第一栅极引线具有基本上平行于第二引线的下侧面延伸并提供第一栅极接触焊盘的下侧面，并且第二栅极引线具有基本上平行于第三引线的下侧面延伸并提供第二栅极接触焊盘的下侧面。
9.根据权利要求1至8
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体封装，进一步包括封围至少部分第一和第二晶体管器件以及至少部分第一、第二和第三引线的模制化合物。
11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，第一、第二和第三引线的下侧面布置在由模制化合物限定的半导体封装区域内。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体封装，其中，第一引线具有L形，并且具有在第一方向上并且垂直于第一晶体管器件的第一主表面延伸的引脚，所述引脚的下表面提供下侧面；第二引线具有带引脚的L形，所述引脚在与第一方向相反的第二方向上延伸；并且第三引线具有带引脚的L形，所述引脚平行于第二方向延伸。
13.一种制造用于直立安装的半导体封装的方法，所述方法包括：
14.一种安装根据权利要求12所述的半导体封装的方法，
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括将第一栅极引线和/或第二栅极引线的引脚的内表面电连接到电路板的第一主表面上的导电迹线，或者进一步包括将第一栅极引线和/或第二栅极引线的引脚的内表面电连接到电路板的另外表面上的导电迹线。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中
3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体封装，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装，其中
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，第一栅极引线位于第二引线的切口中，并且第二栅极引线从与第一引线公共的平面延伸到第二晶体管器件下方，并具有提供第二栅极焊盘并且基本上平行于第三引线的下侧面延伸的下侧面。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，第一晶体管器件包括布置在第一主表面上的第一控制电极，并且第二晶体管器件包括布置在第二主表面上的第二控制电极。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，第一栅极引线布置在第二引线的切口中，并且第二栅极引线布置在第三引线的切口中。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体封装，其中，第一栅极引线具有基本上平行于第二引线的下侧面延伸并提供第一栅极接触焊盘的下侧面，并且第二栅极引线具有基本上平行于第三引线的下侧面延伸并提供第二栅极接触焊盘的下侧面。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体封装，其中，第一晶体管器件和/或第二晶体管器件进一步包括辅助端子，并且所述封装包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·尤费列夫，J·霍格劳尔，G·T·诺鲍尔，庄昊，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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