【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在电子设备壳体中的密封组件。
技术介绍
1、这种类型的电子设备壳体有壳形的壳体部件以及壳体盖，它们在接触面处在形成密封区的情况下接合在一起。借助于密封区，壳体内部与外部环境密封。例如，在电子设备壳体中布置有电气运行车辆的高压电池系统或电动驱动装置的功率电子设备。
2、在电磁兼容性方面，力求在壳形壳体部件和壳体盖之间存在环绕的能导电的连接。然而，由于构件和/或制造公差，这样的环绕的电接触难以实现，从而在密封区中必要时存在由公差引起的空隙，其对于emv辐射是可透过的。在此背景下，这种类型的电子设备壳体具有emv屏蔽部，利用该emv屏蔽部来屏蔽电子设备壳体的环境免于emv辐射。
3、在现有技术中，emv屏蔽部在制造技术上是耗费的，而且与较大的材料耗费相关联。例如，可以在壳体盖处在制造技术上耗费地例如通过板材成型或通过原型成型(即铸造)在壳体盖处模制接片或凸缘。相应地，在制造壳体盖时的材料耗费增加。
4、从us 2002/0076547 a1、us 11 017 820 b1、us 2004/0071970 a1和us 5 095177 a中已知能导电的密封件。
技术实现思路
1、本专利技术的任务在于，提供一种在电子设备壳体中的密封组件，其中与现有技术相比，emv屏蔽部可以在制造技术上简单地以及以降低的构件耗费制造。
2、该任务通过根据本专利技术的密封组件来解决。
3、本专利技术从一种用于容纳电子设备构件的电子设
4、本专利技术的改进方案将在下面依据构造为成型道的emv屏蔽部来描述。然而不言而喻的是，改进方案并不局限于成型道，而是也可应用于构造为插上式密封件或插入式密封件的emv屏蔽部。如此，在一个技术实现方案中，成型道可以在密封区外注射成型在壳体部件处，即偏心于密封壁。在这种情况下，emv屏蔽部由此在功能上独立于密封区的接触面构造。在电子设备壳体的降低的结构空间需求方面，优选的是，成型道定位在壳体内部中。在这种情况下，成型道防止emv辐射通过密封区中的由公差引起的、辐射可透过的空隙向外出来。然而备选于此，成型道也可以定位在壳体外侧处。在这种情况下，设有成型道的壳体部件能够以突出部向外伸出，成型道注射成型在该突出部处。
5、成型道以净型材高度从壳体部分伸出。此外，成型道优选相对于其他壳体部件以及与相对于电子设备构件经由间隙间隔开，使得成型道与其他壳体部件和电子设备构件不接触。
6、emv屏蔽部的弹性屈服的构造在组装电子设备壳体时是有利的。在该情况下，emv屏蔽部与其他壳体部件的无意碰撞可被阻尼，而不发生构件损坏。
7、在一个具体的实施变型方案中，设有成型道的壳体部件可以是壳体盖。其他壳体部件可以壳形地构造有壳体底部和从其拉高的、环绕的侧壁。与壳体盖的接触面可以构造在该侧壁的面向壳体盖的端侧处。在无缺陷的emv屏蔽部方面，成型道可以环绕地以及无中断地沿着密封区的接触面延伸。
8、优选地，emv屏蔽部可以是诸如硬化的合成树脂的热固性塑料和/或诸如硅酮的弹性体。emv屏蔽部的原始组分可以在注射成型过程期间是粘性的。在进行施加之后，原始组分可以硬化成emv密封部。此外，emv密封部可以具有能导电的颗粒。
9、在另一个实施变型方案中，成型道可以具有多层结构，亦即由相叠布置的层组成。这些层可以材料相同或材料不同地构造。
10、在另一个实施变型方案中，成型道可以由外部的电绝缘的层和内部的、能导电的芯层构造。能导电的芯层引起emv屏蔽，而外部的电绝缘的层降低电子设备构件到成型道的电闪络的风险。在这种情况下，可以减小电子设备构件和成型道之间的间隙，亦即同时增加电子设备壳体中的可用结构空间。
11、如上面已经提及的那样，emv屏蔽部备选地可以构造为插上式密封件或插入式密封件。插上式密封件或插入式密封件可以作为单独的构件与壳体部件形状配合连接。插上式密封件或插入式密封件的作用方式与成型道的作用方式相同。
12、例如，插上式密封件可以在横截面中具有u型材，该u型材具有两个保持支脚以及型材底部。插上式密封件的两个保持支脚可以包握从壳体部件伸出的接片。此外，插上式密封件的两个保持支脚可以与构造在接片中的槽形状配合接合。插上式密封件在此可以两层式地构建有外部的、电绝缘的层和内部的、能导电的芯层。备选于此，插上式密封件也可以不构造有外部的、电绝缘的层。此外，插上式密封件可以在壳体内部定位或在壳体外部定位，即偏心于密封壁。
13、与插上式密封件相比，插入式密封件可以延长有保持接片，该保持接片的上端部扩宽。插入式密封件可以以其保持接片插入到壳体侧的容纳槽中，该容纳槽在其槽底部处具有底切部，插入式密封件的保持接片的扩宽的端部形状配合地伸入到该底切部中。插入式密封件可以两层式地构建有外部的、电绝缘的层和内部的、可导电的芯层。备选于此，插入式密封件也可以不构造有外部的、电绝缘的层。此外，插入式密封件可以在壳体内部或在壳体外部定位，即偏心于密封壁。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种在用于容纳电子设备构件(5)的电子设备壳体(1)中的密封组件，所述电子设备壳体具有至少两个壳体部件(7,13)，所述至少两个壳体部件在接触面(25,17)处在形成密封区(D)的情况下接合在一起，借助于所述密封区，壳体内部(3)与外部环境密封，其中，所述壳体部件(7,13)中的一个具有EMV屏蔽部，借助于所述EMV屏蔽部来保护所述外部环境免于EMV辐射，其特征在于，所述EMV屏蔽部构造为由能导电的以及可弹性变形的材料构成的注射成型在所述壳体部件(13)处的粘合道或成型道(19)，或者所述EMV屏蔽部构造为插上式密封件或插入式密封件，其作为单独的构件与所述壳体部件(13)形状配合连接。
2.根据权利要求1所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部在所述密封区(D)外布置在所述壳体部件(13)处，并且/或者尤其所述EMV屏蔽部定位在所述壳体内部(3)中和/或所述EMV屏蔽部定位在壳体外侧处。
3.根据权利要求1或2所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部以型材高度(h)从所述壳体部件(13)伸出和/或相对于其他壳体部件(7)以及相对于所述电子设备构
4.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，设有所述EMV屏蔽部的壳体部件(13)是壳体盖，并且所述其他壳体部件(7)壳形地构造有壳体底部(9)和从其拉高的、环绕的侧壁(11)，所述接触面(15)构造在所述侧壁的面向所述壳体盖的端侧处。
5.根据权利要求4所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部环绕地以及无中断地沿着所述密封区(D)延伸，或者所述EMV屏蔽部有中断地沿着所述密封区(D)延伸。
6.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部的材料是诸如硬化的合成树脂的热固性塑料和/或诸如硅酮的弹性体，并且/或者所述EMV屏蔽部的原始组分在注射成型过程期间是粘性的，并且所述原始组分随后硬化成所述成型道(19)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，在所述EMV屏蔽部的材料中混合有能导电的颗粒。
8.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部具有多层结构，亦即具有材料相同或材料不同地构造的层(26,27,28,30)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，所述EMV屏蔽部由外部的电绝缘的层(29)和内部的、能导电的芯层(31)构造，并且所述芯层(31)引起EMV屏蔽，并且所述外部的电绝缘的层(29)降低所述电子设备构件(5)到所述成型道(19)的电闪络的风险，从而能够减小所述电子设备构件和所述成型道(19)之间的间隙(23)，同时增加可用的结构空间。
10.根据权利要求9所述的密封组件，其特征在于，所述外部的电绝缘的层(29)是不传导的粘合剂、不传导的漆或不传导的薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种在用于容纳电子设备构件(5)的电子设备壳体(1)中的密封组件，所述电子设备壳体具有至少两个壳体部件(7,13)，所述至少两个壳体部件在接触面(25,17)处在形成密封区(d)的情况下接合在一起，借助于所述密封区，壳体内部(3)与外部环境密封，其中，所述壳体部件(7,13)中的一个具有emv屏蔽部，借助于所述emv屏蔽部来保护所述外部环境免于emv辐射，其特征在于，所述emv屏蔽部构造为由能导电的以及可弹性变形的材料构成的注射成型在所述壳体部件(13)处的粘合道或成型道(19)，或者所述emv屏蔽部构造为插上式密封件或插入式密封件，其作为单独的构件与所述壳体部件(13)形状配合连接。
2.根据权利要求1所述的密封组件，其特征在于，所述emv屏蔽部在所述密封区(d)外布置在所述壳体部件(13)处，并且/或者尤其所述emv屏蔽部定位在所述壳体内部(3)中和/或所述emv屏蔽部定位在壳体外侧处。
3.根据权利要求1或2所述的密封组件，其特征在于，所述emv屏蔽部以型材高度(h)从所述壳体部件(13)伸出和/或相对于其他壳体部件(7)以及相对于所述电子设备构件(5)经由间隙(21,23)间隔开，使得所述emv屏蔽部与所述其他壳体部件(7)不接触。
4.根据前述权利要求中任一项所述的密封组件，其特征在于，设有所述emv屏蔽部的壳体部件(13)是壳体盖，并且所述其他壳体部件(7)壳形地构造有壳体底部(9)和从其拉高的、环绕的侧壁(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·朗，E·韦里，T·伯特伦，
申请(专利权)人：大众汽车股份公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。