一种彩色滤光片低温镀ＩＴＯ透明导电膜的生产方法，它属于滤光片的镀膜技术领域，它包括如下的工艺步骤：Ａ：清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；Ｂ：将基片上架装片进行镀膜，先镀ＳｉＯ２，基片加热温度为２１０℃～２５０℃，镀膜室传动速度频率为７．０Ｈｚ～１３．０Ｈｚ，使用２个多晶硅靶进行镀ＳｉＯ２膜，其工艺条件是：Ｏ２流量为３５Ｓｃｃｍ、Ａｒ流量２００～２２０Ｓｃｃｍ、真空度３．０×１０－１Ｐａ～４．５×１０－１Ｐａ之间，总气压为０．４０～０．４５Ｐａ；Ｃ：镀ＩＴＯ膜：使用６个ＩＴＯ靶镀ＩＴＯ膜，工艺条件是：镀膜室Ａｒ流量为２００～２２０Ｓｃｃｍ、镀膜室真空度４．０×１０－１Ｐａ～４．５×１０－１Ｐａ之间。本发明专利技术工艺简单，产品合格率高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，它属于滤光片的 镀膜
技术介绍
彩色滤光片，广泛应用于手机、数码相机、数码摄像机、PDA、MP4、车载显示屏、工业 控制面板等。随着此类消费电子产品的市场需求不断增长，彩色滤光片拥有广阔的市场前 景，彩色滤光片的发展拥有良好的市场空间。彩色滤光片生产技术，涵盖光刻技术、清洗技 术、膜厚控制技术、段差控制技术、线宽控制技术、总间距控制技术、图形对位精度控制、表 面质量控制技术等，而彩色滤光片低温镀ITO即氧化铟锡导电膜是彩色滤光片生产的关键 技术，目前其生产工艺技术存在如下的问题容易产生颜色异常、针孔超标、打弧、膜层均勻 性差的缺陷，导致彩色滤光片显示颜色异常、短路、开路等等不良，合格率偏低，严重影响彩 色滤光片产品的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以保证生产出的彩色滤光片颜色正常，产品合格率 高的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法。本专利技术的目的是这样实现的一种彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，它包括如下的工艺步骤A 先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；B:将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2，镀膜采用力合薄膜科技立 式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为210°C 250°C，镀膜室传动速度频率为 7. OHz 13. OHz,在4号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；C 再镀ITO膜使用6个ITO靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之间。所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，它包括如下的具体工艺步 骤A 先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；B 将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式 全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为250°C，镀膜室传动速度频率为11.0Hz，在4 号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；C 再镀ITO膜使用6个ITO靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之间。所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，其特征在于它包括如下的 具体工艺步骤A 先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；B 将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式 全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为230°C，镀膜室传动速度频率为9. 0Hz，在4 号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；C 再镀ITO膜使用6个ITO靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之间。所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，它包括如下的具体工艺步 骤A 先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；B 将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式 全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为210°C，镀膜室传动速度频率为7. 0Hz，在4 号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；C 再镀ITO膜使用6个ITO靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之间。所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法，它包括如下的具体工艺步 骤A 先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；B 将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式 全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为240°C，镀膜室传动速度频率为12. 0Hz，在4 号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；C 再镀ITO膜使用6个ITO靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之间。本专利技术采用低温、多靶位溅射方法在彩色滤光片基板上镀制的低方阻ITO透导电 膜，由于电阻低电，可以起到节能降耗的作用，由于采用低温、多靶位溅射方法镀膜，有效彩 色滤光片基板的破碎和镀膜后彩色滤光片基板老化，提高了产品的合格率。具体实施例方式实施例1先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；将上述处理 的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射 镀膜机，基片加热温度为250°c，镀膜室传动速度频率为11. 0Hz，在4号室使用2个多晶 硅靶进行镀SiO2膜，其工艺条件是02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之间，总气压为0. 40 0. 45Pa ；再镀ITO膜使用6个ITO 靶镀ITO膜，工艺条件是镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^lO^Pa 4. 5*10^^ 之间。测试结果基层的SiO2膜厚为200 A、SiO2透过率为90. 5% ；ITO膜厚2300 A 2500 A, ITO膜面电阻为8 Ω / □ 10 Ω / □，透过率(550nm波长)为彡81. 0 %，颜色均勻， 产品最终检验合格。实施例2先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；将上述处理 的基片上架装片进行镀膜，先镀SiO2，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀 膜机，基片加热温度为230°c，镀膜室传动速度频率为9. 0Hz，在4号室镀SiO2, O2流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa,使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜，6个ITO靶镀ITO膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. O^liTPa 4. 5*10_中￡1之间。测试结果基本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种彩色滤光片低温镀ＩＴＯ透明导电膜的生产方法，它包括如下的工艺步骤：Ａ：先按照常规技术进行超声波清洗基片，再进行平板清洗、热烘干燥；Ｂ：将上述处理的基片上架装片进行镀膜，先镀ＳｉＯ↓［２］，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为２１０℃～２５０℃，镀膜室传动速度频率为７．０Ｈｚ～１３．０Ｈｚ，在４号室使用２个多晶硅靶进行镀ＳｉＯ↓［２］膜，其工艺条件是：Ｏ↓［２］流量为３５Ｓｃｃｍ、Ａｒ流量２００～２２０Ｓｃｃｍ、真空度３．０×１０↑［－１］Ｐａ～４．５×１０↑［－１］Ｐａ之间，总气压为０．４０～０．４５Ｐａ；Ｃ：再镀ＩＴＯ膜：使用６个ＩＴＯ靶镀ＩＴＯ膜，工艺条件是：镀膜室Ａｒ流量为２００～２２０Ｓｃｃｍ、镀膜室真空度４．０＊１０↑［－１］Ｐａ～４．５＊１０↑［－１］Ｐａ之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡安春，吴勇，温景成，吴永光，董坚，
申请(专利权)人：深圳市力合薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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