【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，具体地，涉及一种改善太阳电池的显影残胶的方法及其应用。
技术介绍
1、太阳电池目前采用涂布后印刷银浆，印刷固化后在ito导电膜的表面形成银栅线的技术路线。现有技术中也有通过铜互联技术在ito(tco)导电膜上先进行pvd溅射沉积种子层铜用于导电，然后在此导电层进行图形转移从而电镀出栅线。然后在电镀出的铜栅线的表面镀上一层保护锡，使用电镀铜和化学镀锡栅线来替代丝网印刷银栅线的方案。该技术是太阳电池制作与金属电镀技术的有机融合。在铜互联电池片技术中，铜电极栅线是通过在感光胶上做图形转移、显影、电镀、去膜、回刻方式实现的。但是，在感光胶曝光显影后，经常会发生感光胶显影后形成的凹槽内的残胶过多的不良缺陷，导致了铜种子层与电镀铜之间的杂质较多，从而造成铜栅线线形差、结合力弱、电性能下降等问题，严重制约了铜电镀技术路线的外观良率以及效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种改善太阳电池的显影残胶的方法及其应用。本专利技术在确保胶膜不翘起的前提下，有效去除了凹槽底部的未固化残胶，降低了断栅率；有效去除了凹槽侧壁上的残留足，有效改善了铜栅线截面形貌；小幅增加了底部镀铜面积，保证了去膜回刻后栅线的形貌；提升了太阳电池的填充因子ff以及转化效率eta。
2、在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种改善太阳电池的显影残胶的方法。根据本专利技术的实施例，所述方法包括：
3、(1
4、(2)采用显影液去除所述感光胶层的非固化区域，以便形成凹槽；
5、(3)采用去胶液去除凹槽内部残留的未固化残胶；
6、所述去胶液为dmso水溶液。
7、根据本专利技术实施例的改善太阳电池的显影残胶的方法，第一，在确保胶膜不翘起的前提下，有效去除了凹槽底部的未固化残胶，增强了铜种子层与电镀铜栅线之间的结合力，减少了手搓栅线掉落的概率，使断栅率降至8.5％以内，优选地降至5％以内，现有技术的断栅率一般在15％左右。第二，在确保胶膜不翘起的前提下，有效去除了凹槽侧壁上的残留足，从而保证了在电镀铜时不会因残留足的存在而导致电镀栅线截面中出现残留足的情况，同时还有效改善了铜栅线截面形貌，避免出现由于残留足所导致的栅线中心内扣的现象。第三，能小幅增加底部镀铜面积，从而能保证去膜回刻的时候不会由于回刻速率过快而导致栅线底部向内腐蚀，同时还能保证这部分感光胶还能够被完整的去除，从而保证了去膜回刻后栅线的形貌。第四，提升了太阳电池的填充因子ff以及转化效率eta。
8、另外，根据本专利技术上述实施例的改善太阳电池的显影残胶的方法还可以具有如下附加的技术特征：
9、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，所述dmso水溶液中的dmso的质量浓度为40％-60％。
10、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，所述dmso水溶液中的dmso的质量浓度为45％-55％。
11、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所述去胶液中100-120s。
12、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所述去胶液中105-115s。
13、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(2)中，所述显影液为8-13g/l的na2co3溶液；和/或，在步骤(2)中，将曝光后的所述电池片浸泡在所述显影液中80-100s。
14、在本专利技术的一些实施例中，在步骤(1)中，所述曝光的能量为1000-1500mj，所述曝光的时间为0.7-1s。
15、在本专利技术的再一个方面，本专利技术提出了一种制备太阳电池的方法。根据本专利技术的实施例，所述方法采用以上实施例所述的方法形成具有凹槽的感光胶层。由此，在太阳电池的制备过程中，第一，在确保胶膜不翘起的前提下，有效去除了凹槽底部的未固化残胶，增强了铜种子层与电镀铜栅线之间的结合力，减少了手搓栅线掉落的概率，使断栅率降至8.5％以内，优选地降至5％以内，现有技术的断栅率一般在15％左右。第二，在确保胶膜不翘起的前提下，有效去除了凹槽侧壁上的残留足，从而保证了在电镀铜时不会因残留足的存在而导致电镀栅线截面中出现残留足的情况，同时还有效改善了铜栅线截面形貌，避免出现由于残留足所导致的栅线中心内扣的现象。第三，能小幅增加底部镀铜面积，从而能保证去膜回刻的时候不会由于回刻速率过快而导致栅线底部向内腐蚀，同时还能保证这部分感光胶还能够被完整的去除，从而保证了去膜回刻后栅线的形貌。第四，提升了太阳电池的填充因子ff以及转化效率eta。
16、另外，根据本专利技术上述实施例的方法还可以具有如下技术方案：
17、在本专利技术的一些实施例中，所述方法包括：
18、提供半导体基底；
19、在所述半导体基底的一侧形成第一钝化层，在所述半导体基底远离所述第一钝化层的一侧形成第二钝化层；
20、在所述第一钝化层远离所述半导体基底的一侧形成n型掺杂层，在所述第二钝化层远离所述半导体基底的一侧形成p型掺杂层；
21、在所述n型掺杂层远离所述第一钝化层的一侧形成第一导电层，在所述p型掺杂层远离所述第二钝化层的一侧形成第二导电层；
22、在所述第一导电层远离所述n型掺杂层的一侧形成第一金属种子层，在所述第二导电层远离所述p型掺杂层的一侧形成第二金属种子层；
23、采用以上实施例所述的方法在所述第一金属种子层远离所述第一导电层的一侧形成具有第一凹槽的第一感光胶层，所述第一凹槽裸露出所述第一金属种子层；和/或，采用以上实施例所述的方法在所述第二金属种子层远离所述第二导电层的一侧形成具有第二凹槽的第二感光胶层，所述第二凹槽裸露出所述第二金属种子层；
24、在裸露出的所述第一金属种子层的远离所述第一导电层的一侧形成第一电极层，在裸露出的所述第二金属种子层的远离所述第二导电层的一侧形成第二电极层。
25、在本专利技术的第三个方面，本专利技术提出一种太阳电池。根据本专利技术的实施例，所述太阳电池由以上实施例所述的方法制备得到的。由此，将太阳电池的断栅率降至5％以内，且提升了太阳电池的填充因子ff以及转化效率eta。
26、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种改善太阳电池的显影残胶的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述DMSO水溶液中的DMSO的质量浓度为40％-60％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述DMSO水溶液中的DMSO的质量浓度为45％-55％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所述去胶液中100-120s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所述去胶液中105-115s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述显影液为8-13g/L的Na2CO3溶液；
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述曝光的能量为1000-1500mj，所述曝光的时间为0.7-1s。
8.一种制备太阳电池的方法，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的方法形成具有凹槽的感光胶层。
9.根据权利要求8
10.一种太阳电池，其特征在于，由权利要求8或9中所述的方法制备得到的。
...【技术特征摘要】
1.一种改善太阳电池的显影残胶的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述dmso水溶液中的dmso的质量浓度为40％-60％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述dmso水溶液中的dmso的质量浓度为45％-55％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所述去胶液中100-120s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，将形成有所述凹槽的所述电池片浸泡在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：晏嘉懿，周华，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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