【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及tsv蚀刻后清洗，具体为一种tsv蚀刻后清洗工艺。
技术介绍
1、tsv为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；tsv技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3d先进封装的关键技术之一。高密度集成：通过先进封装，可以大幅度地提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。克服现有的2d-sip(system in apackage，二维系统级封装)和pop(package on package，三维封装堆叠)系统的不足，满足微电子产品对于多功能和小型化的要求；提高电性能：由于tsv技术可以大幅度地缩短电互连的长度，从而可以很好地解决出现在soc(二维系统级芯片)技术中的信号延迟等问题，提高电性能；多种功能集成：通过tsv互连的方式，可以把不同的功能芯片(如射频、内存、逻辑、数字和mems等)集成在一起实现电子元器件的多功能；降低制造成本：虽然目前tsv三维集成技术在工艺上的成本较高，但是可以在元器件的总体水平上降低制造成本。
2、而传统的单晶片为喷淋清洗，电学性能较低，为了解决该技术问题，提出，一种tsv蚀刻后清洗工艺。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本申请旨在提供一种tsv蚀刻后清洗工艺，该tsv蚀刻后清洗工艺包括以下步骤：
2、步骤一、通过在兆频超声波装置和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位，在整个晶片的每个点上提供均匀
3、步骤二、使用5x50μm蚀刻后tsv晶片，通过物理分析和电气测试进行实验验证；
4、步骤三、配备edx的sem用于检测清洁前和清洁后的tsv试片的含氟聚合物残余物的存在，fib-sem用于评估镀铜性能，tsv泄漏电流图和电压斜坡介电击穿作为主要电气可靠性指标，用于评估清洁效果。
5、优选的，所述晶片由砷、铝、镓、铟、磷、氮、锶这几种元素中的若干种组成。
6、优选的，所述晶片形状为正方形或长方形,上表面有单电极或双电极。
7、优选的，所述tsv晶片是一种穿通硅晶圆或芯片的垂直互连结构，可完成连通上下层晶圆或芯片。
8、优选的，所述fib-sem为一种聚焦离子束扫描电子显微镜，其为同时具备聚焦离子束和扫描电子显微镜功能的系统。
9、优选的，所述fib-sem双束系统把fib系统和传统扫描电子显微系统按一定的角度同时装在一个装置上，把试样调节到共心高度位置。
10、有益效果：该tsv蚀刻后清洗工艺，硅通过(tsv)器件是3d芯片封装的关键推动因素，以提高封装密度和提高器件性能，tsv缩放对于实现3dic对下一代设备的好处至关重要。在这项研究中，空间交替相移(saps)兆频超声波技术被应用于tsv蚀刻后清洗中的侧壁残留物去除，saps技术通过在兆频超声波换能器和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位来向晶片表面提供均匀的声能，清除残留物的化学自由基在稀溶液中产生，并由兆频超声波能量促进，此外，在超声搅拌过程中产生的气泡空化的机械力提高了质量传递速率，并提高了清洗过程中残余物的去除效率。
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1.一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：该TSV蚀刻后清洗工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述晶片由砷、铝、镓、铟、磷、氮、锶这几种元素中的若干种组成。
3.根据权利要求1所述的一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述晶片形状为正方形或长方形,上表面有单电极或双电极。
4.根据权利要求1所述的一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述TSV晶片是一种穿通硅晶圆或芯片的垂直互连结构，可完成连通上下层晶圆或芯片。
5.根据权利要求1所述的一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述FIB-SEM为一种聚焦离子束扫描电子显微镜，其为同时具备聚焦离子束和扫描电子显微镜功能的系统。
6.根据权利要求1所述的一种TSV蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述FIB-SEM双束系统把FIB系统和传统扫描电子显微系统按一定的角度同时装在一个装置上，把试样调节到共心高度位置。
【技术特征摘要】
1.一种tsv蚀刻后清洗工艺，其特征在于：该tsv蚀刻后清洗工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种tsv蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述晶片由砷、铝、镓、铟、磷、氮、锶这几种元素中的若干种组成。
3.根据权利要求1所述的一种tsv蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述晶片形状为正方形或长方形,上表面有单电极或双电极。
4.根据权利要求1所述的一种tsv蚀刻后清洗工艺，其特征在于：所述tsv晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐竹林，
申请(专利权)人：华林科纳江苏半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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