【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和包含金属络合物的至少一个空穴注入层的有机电子器件。
技术介绍
1、作为自发光器件的有机电子器件(例如有机发光二极管oled)具有宽视角、优异的对比度、快速反应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现性。典型的oled包括依序层叠在基底上的阳极层、空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极层。在这方面，hil、htl、eml和etl是由有机化合物形成的薄膜。
2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由hil和htl移动到eml，且从阴极注入的电子经由etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新结合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，就会发光。空穴和电子的注入和流动应平衡，以使具有上述结构的oled具有低工作电压、优异的效率和/或长的寿命。
3、有机发光二极管的性能可受空穴注入层的特性影响，其中，可受空穴注入层中包含的空穴传输化合物和金属络合物的特性影响。
4、wo2017029370涉及通式ia的金属酰胺和其作为有机发光二极管(oled)的空穴注入层(hil)的用途和一种制造包括空穴注入层的有机发光二极管(oled)的方法，所述空穴注入层包含所定义的金属酰胺。
5、wo2017029366涉及一种用于oled的空穴注入层，其包含掺杂有电荷中性金属酰胺化合物的三芳基胺化合物，其特征在于所述空穴注入层具有至少约≥20nm至约≤1000nm的厚度和所定义的电荷中性金属酰胺化合物。
...【技术保护点】
1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括基底、阳极层、阴极层、至少一个发光层和至少一个或多个空穴注入层，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间，并且其中所述空穴注入层包含：
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中排除以下化合物E1至E5：
3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中所述阳极层包括第一阳极子层和第二阳极子层，其中
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有机电子器件，其中式(I)的金属络合物中的M选自金属离子，其中相应的金属具有小于2.4的根据Allen的电负性值，优选地M选自碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属或者III族或V族金属，还优选地M选自原子质量≥24Da的金属，另外优选地M选自原子质量≥24Da的金属并且M具有≥2的氧化数。
5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有机电子器件，其中式(I)的金属络合物具有≥339g/mol且≤2000g/mol的分子量Mw，优选地分子量Mw≥400g/mol且≤1500g/mol，还优选地分子量Mw≥450g/mol且≤1500g/mol，
6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件的所述阳极层还包括第三阳极子层，其中所述第三阳极子层优选包含透明导电氧化物，其中所述第三阳极子层布置在所述基底与所述第一阳极子层之间。
7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中式(III)和式(VI)的化合物具有≥400g/mol且≤2000g/mol的分子量Mw，优选地分子量Mw≥450g/mol且≤1500g/mol，还优选地分子量Mw≥500g/mol且≤1000g/mol，另外优选地分子量Mw≥550g/mol且≤900g/mol。
8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的有机电子器件，其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5独立地选自D1至D22：
9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的有机电子器件，其中式(III)和式(IV)的化合物选自F1至F19：
10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的有机电子器件，其中式(I)中的m和n相同并且是从1至4的整数，优选1至3，还优选2或3。
11.根据前述权利要求1至10中的任一项所述的有机电子器件，其中所述金属络合物选自式(Ia)：
12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的有机电子器件，其中B1和B2基团中的至少一个或两个各自包括至少1个至5个取代基，优选2至4个取代基，或3个取代基，所述取代基独立地选自卤素、F、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、OCF3、OC2F5或CN。
13.根据前述权利要求1至12中的任一项所述的有机电子器件，其中式(II)的配体L独立地选自G1至G21：
14.根据前述权利要求1至13中的任一项所述的有机电子器件，其中式(I)的金属络合物选自化合物W1至W12：
15.根据前述权利要求1至14中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件还包括空穴传输层，其中所述空穴传输层布置在所述空穴注入层和所述至少一个发光层或第一发光层之间。
16.根据权利要求15所述的有机电子器件，其中所述空穴传输层包括根据式(III)或(IV)的基质化合物，优选相同地选择在空穴注入层和空穴传输层中的基质化合物。
17.根据前述权利要求1至16中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件为发光器件或显示器件。
18.一种用于有机电子器件中或有机电子器件的层中的金属络合物，其中所述金属络合物具有式(I)：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括基底、阳极层、阴极层、至少一个发光层和至少一个或多个空穴注入层，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间，并且其中所述空穴注入层包含：
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中排除以下化合物e1至e5：
3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中所述阳极层包括第一阳极子层和第二阳极子层，其中
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有机电子器件，其中式(i)的金属络合物中的m选自金属离子，其中相应的金属具有小于2.4的根据allen的电负性值，优选地m选自碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属或者iii族或v族金属，还优选地m选自原子质量≥24da的金属，另外优选地m选自原子质量≥24da的金属并且m具有≥2的氧化数。
5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有机电子器件，其中式(i)的金属络合物具有≥339g/mol且≤2000g/mol的分子量mw，优选地分子量mw≥400g/mol且≤1500g/mol，还优选地分子量mw≥450g/mol且≤1500g/mol，另外优选地分子量mw≥450g/mol且≤1400g/mol。
6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件的所述阳极层还包括第三阳极子层，其中所述第三阳极子层优选包含透明导电氧化物，其中所述第三阳极子层布置在所述基底与所述第一阳极子层之间。
7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中式(iii)和式(vi)的化合物具有≥400g/mol且≤2000g/mol的分子量mw，优选地分子量mw≥450g/mol且≤1500g/mol，还优选地分子量mw≥500g/mol且≤1000g/mol，另外优选地分子量mw≥550g/mol且≤900g/m...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔·乌瓦罗夫，乌尔里希·黑格曼，斯特芬·维尔曼，皮尔马里亚·平特，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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