【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体化合物生产设备领域，尤其涉及一种半导体化合物合成反应炉。
技术介绍
1、随着世界高新技术产业的迅速发展，世界高新技术产业对化合物半导体材料的需求量迅速增长，化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。化合物半导体材料在生产时，通过将半导体化合物放置于反应炉中，在反应炉中进行加热合成反应，但是目前的反应炉只能同时制备一种化合物。因此，目前的反应炉对不同需求的适应能力差，难以实现化合物半导体材料产业化生产，严重阻碍了高新技术产业和微电子光电产业信息材料事业的发展。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体化合物合成反应炉，旨在提高反应炉在面对不同需求时的适应能力。
2、为实现上述目的，采用以下技术方案：
3、一种半导体化合物合成反应炉，包括：
4、炉体；
5、坩埚，所述坩埚设置于所述炉体内；
6、反应器皿，所述反应器皿的数量至少为两个，且所述反应器皿设置于所述坩埚内；
7、加热组件，每个所述反应器皿与所述坩埚之间均设置有所述加热组件；
8、控制器，所述控制器与每个所述加热组件连接，并且能够单独控制其中一个所述加热组件。
9、可选地，两个相邻的所述反应器皿之间均设置有隔热组件，所述隔热组件包括第一隔热件和第二隔热件，所述第一隔热件和所述第二隔热件分别与各自相邻的所述反应器皿连接。
10、
11、可选地，所述第一隔热层和第三隔热层的内部均开设有若干个封闭孔。
12、可选地，所述加热组件为电阻加热组件或电磁感应加热组件，且所述电阻加热组件和所述电磁感应加热组件交替设置。
13、可选地，所述加热组件与所述反应器皿之间设置有绝缘层。
14、可选地，所述反应炉还包括冷却装置，所述冷却装置包括进水管路和出水管路，所述炉体为双层夹套结构且具有内部空腔，所述进水管路和所述出水管路均与所述内部空腔相连通。
15、可选地，所述反应炉还包括：
16、测温单元，所述测温单元设置为至少两组，所述测温单元与所述反应器皿一一对应。
17、可选地，所述反应炉还包括气路系统，所述气路系统包括：
18、气体管道，所述气体管道一端与所述炉体内连通；
19、真空机组，所述真空机组与所述气体管道另一端连通，用于对所述炉体抽取真空；
20、充气装置，所述充气装置与所述气体管道连通，用于向所述炉体内充入保护气体；
21、放气装置，所述放气装置与所述气体管道连通，用于排放所述炉体内的气体。
22、可选地，所述气路系统还包括：
23、安全气阀，所述安全气阀与所述气体管道连通，用于缓解所述炉体内的气压。
24、本申请所能实现的有益效果为：
25、本申请实施例提出的一种半导体化合物合成反应炉，包括炉体、坩埚、反应器皿、加热组件和控制器，所述坩埚设置于所述炉体内；所述反应器皿的数量至少为两个，且所述反应器皿设置于所述坩埚内；每个所述反应器皿与所述坩埚之间均设置有所述加热组件；所述控制器与每个所述加热组件连接，并且能够单独控制其中一个所述加热组件。本申请通过在坩埚内设置至少两个反应器皿，相当于将坩埚内的空间划分为多个独立的空间，多个独立的空间分别通过与之相对应的加热组件进行加热，能够在同一反应炉中同时制备多种不同的化合物，以此实现同一反应炉进行多种类的化合物制备，大幅提高了反应炉在面对不同需求时的适应能力。
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1.一种半导体化合物合成反应炉，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，两个相邻的所述反应器皿之间均设置有隔热组件，所述隔热组件包括第一隔热件和第二隔热件，所述第一隔热件和所述第二隔热件分别与各自相邻的所述反应器皿连接。
3.如权利要求2所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述第一隔热件包括第一隔热层和第二隔热层，所述第二隔热件包括第三隔热层和第四隔热层，所述第二隔热层与所述第四隔热层相对设置，所述第二隔热层包括若干个第一隔热块，所述第四隔热层包括若干个第二隔热块，所述第一隔热块和所述第二隔热块错位设置，使得每两个相邻的所述第一隔热块与位于两个所述第一隔热块之间的所述第二隔热块形成一个第一封闭槽、每两个相邻的所述第二隔热块与位于两个所述第二隔热块之间的所述第一隔热块形成一个第二封闭槽。
4.如权利要求3所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述第一隔热层和第三隔热层的内部均开设有若干个封闭孔。
5.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述加热组件为电阻加热组件或电磁感应加热组
6.如权利要求5所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述加热组件与所述反应器皿之间设置有绝缘层。
7.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述反应炉还包括冷却装置，所述冷却装置包括进水管路和出水管路，所述炉体为双层夹套结构且具有内部空腔，所述进水管路和所述出水管路均与所述内部空腔相连通。
8.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述反应炉还包括：
9.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述反应炉还包括气路系统，所述气路系统包括：
10.如权利要求9所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述气路系统还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体化合物合成反应炉，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，两个相邻的所述反应器皿之间均设置有隔热组件，所述隔热组件包括第一隔热件和第二隔热件，所述第一隔热件和所述第二隔热件分别与各自相邻的所述反应器皿连接。
3.如权利要求2所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述第一隔热件包括第一隔热层和第二隔热层，所述第二隔热件包括第三隔热层和第四隔热层，所述第二隔热层与所述第四隔热层相对设置，所述第二隔热层包括若干个第一隔热块，所述第四隔热层包括若干个第二隔热块，所述第一隔热块和所述第二隔热块错位设置，使得每两个相邻的所述第一隔热块与位于两个所述第一隔热块之间的所述第二隔热块形成一个第一封闭槽、每两个相邻的所述第二隔热块与位于两个所述第二隔热块之间的所述第一隔热块形成一个第二封闭槽。
4.如权利要求3所述半导体化合物合成反应炉，其特征在于，所述第一隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：周毅，郑林，石华凤，南长斌，张磊，潘锦功，傅干华，
申请(专利权)人：成都中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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