【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置。
技术介绍
1、芯片的制造精度是制造芯片时各个方面的准确程度，例如光刻、蚀刻、沉积等工艺的精度，它直接决定了芯片的功能性能、信号处理能力、能耗或热量控制以及互连性能等方面的可靠性。
2、随着集成电路芯片功能和性能的不断增强以及半导体特征尺寸的不断缩小，芯片的制造精度需求越来越高，导致机台中某一部件的微小变化虽不会影响机台设置，却使生产制造的晶圆的良率或电性规格出现周期性恶化，因此，如何改善生产制造时晶圆良率或电性规格的恶化是现在急需解决的问题之一。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善生产制造时晶圆良率的恶化、提高晶圆良率的机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置。
2、第一方面，本申请提供了一种机台参数的确定方法，方法包括：获取历史数据集，其中，历史数据集包括多个数据子集，每一数据子集包括历史机台参数和历史晶圆参数；根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围；根据机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，试验数据集包括机台参数对应的试验参数范围；获取机台按照试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率；根据晶圆试验良率确定机台的目标参数集，目标参数集包括机台参数对应的目标参数范围。
3、在其中一个实施例中，历史机台参数包括多个子机台参数，根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，包括：根据历史数据集中的
4、在其中一个实施例中，机台包括多个部件；其中，根据机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，包括：根据恶化参数范围确定机台的异常部件；根据异常部件确定试验数据集。
5、在其中一个实施例中，机台参数包括射频时间；恶化参数范围包括射频时间的射频恶化范围，机台的异常部件包括边缘环；其中，根据异常部件确定试验数据集，包括：根据异常部件确定试验参数，试验参数包括射频时间和过刻蚀时间；从射频恶化范围内选取多个恶化子范围；针对每一恶化子范围配置多个过刻蚀时间；其中，试验数据集包括多个试验子集，每一试验子集包括一个恶化子范围和恶化子范围对应的一个过刻蚀时间。
6、在其中一个实施例中，获取机台按照试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，包括：获取机台按照试验数据集中每一试验子集制备晶圆后的晶圆试验良率，其中，晶圆试验良率包括多个子良率，每一试验子集分别对应一子良率；根据晶圆试验良率确定机台的目标参数集，包括：针对每一恶化子范围获取具有最大子良率对应的目标过刻蚀时间；根据各恶化子范围对应的目标过刻蚀时间获取目标参数集，目标参数集包括恶化子范围以及与恶化子范围对应的目标过刻蚀时间。
7、在其中一个实施例中，每一数据子集还包括历史晶圆良率；其中，根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围之前，方法还包括：获取历史数据集中的异常子数据集；其中，异常子数据集中的历史晶圆良率低于预设阈值；对异常子数据集进行清洗。
8、在其中一个实施例中，方法还包括：获取机台根据目标参数集制备晶圆的晶圆良率；在晶圆良率低于理论阈值的情况下，反馈调节目标参数集，直到机台参数的控制系统根据调节后的目标参数集制备晶圆的晶圆良率达到理论阈值。
9、第二方面，本申请还提供了一种机台参数的控制方法，包括：采用本申请实施例中任一项的机台参数的确定方法获取机台的目标参数集；根据制备工艺需求从目标参数集中确定目标参数；控制机台按照目标参数工作。
10、第三方面，本申请还提供了一种机台参数的控制系统，包括：机台，与先进过程控制系统、主机连接，用于根据机台参数制备晶圆；主机，用于获取历史数据集，根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，根据机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，试验数据集包括机台参数对应的试验参数范围，获取机台按照试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，根据晶圆试验良率确定机台的目标参数集；其中，历史数据集包括多个数据子集，每一数据子集包括历史机台参数和历史晶圆参数；目标参数集包括至少一机台参数对应的目标参数范围；先进过程控制系统，与主机、机台连接，用于根据制备工艺需求从目标参数集中确定目标参数，控制机台按照目标参数工作。
11、第四方面，本申请还提供了一种机台参数的控制装置，其特征在于，装置包括：参数获取模块，获取历史数据集，其中，历史数据集包括多个数据子集，每一数据子集包括历史机台参数和历史晶圆参数；模型建立模块，用于根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，根据机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，试验数据集包括机台参数对应的试验参数范围，获取机台按照试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，根据晶圆试验良率确定机台的目标参数集，目标参数集包括至少一机台参数对应的目标参数范围；参数控制模块，用于根据制备工艺需求从目标参数集中确定目标参数，控制机台按照目标参数工作。
12、第五方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器上存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现本公开中任一个实施例中所述的方法的步骤。
13、第六方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本公开中任一个实施例中所述的方法的步骤。
14、本专利技术的机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置具有如下意想不到的效果：
15、上述机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置，通过获取包括多个历史机台参数和多个历史晶圆参数的历史数据集，保证了数据获取的普遍性，根据历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，根据恶化参数范围确定晶圆良率恶化的原因，然后根据恶化参数范围设定包括机台参数对应的试验参数范围的试验数据集，获取机台按照试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，以及根据晶圆试验良率确定机台的目标参数集，采用目标参数集为机台参数制备晶圆，这样，可以基于历史数据集获取对应的恶化参数范围，可以提高恶化参数范围确定的普适性和精准度，进而基于恶化参数范围确定试验数据集，可以高效、准确地定位改善晶圆良率恶化的试验数据集，进而基于试验数据集确定机台的目标参数集，进而可改善生产制造时晶圆良率的恶化，提高晶圆良率。
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1.一种机台参数的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述历史机台参数包括多个子机台参数，根据所述历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述机台包括多个部件；其中，根据所述机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述机台参数包括射频时间；所述恶化参数范围包括所述射频时间的射频恶化范围，所述机台的异常部件包括边缘环；其中，所述根据所述异常部件确定所述试验数据集，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取机台按照所述试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，每一所述数据子集还包括历史晶圆良率；其中，所述根据所述历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种机台
9.一种机台参数的控制系统，其特征在于，包括：
10.一种机台参数的控制装置，其特征在于，所述装置包括：
11.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种机台参数的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述历史机台参数包括多个子机台参数，根据所述历史数据集确定使晶圆良率恶化的机台参数对应的恶化参数范围，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述机台包括多个部件；其中，根据所述机台参数对应的恶化参数范围设定试验数据集，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述机台参数包括射频时间；所述恶化参数范围包括所述射频时间的射频恶化范围，所述机台的异常部件包括边缘环；其中，所述根据所述异常部件确定所述试验数据集，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取机台按照所述试验数据集制备晶圆后的晶圆试验良率，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦绪威，邱秀华，许可，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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