System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 玻璃密封的气体放电管制造技术_技高网
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玻璃密封的气体放电管制造技术

技术编号:40142332 阅读:16 留言:0更新日期:2024-01-23 23:48
一种玻璃密封的气体放电管。在一些实施例中,气体放电管(GDT)可以包括具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板。所述GDT还可以包括实施为覆盖绝缘体基板的第一侧上的开口的第一电极,以及实施为覆盖绝缘体基板的第二侧上的开口的第二电极。所述GDT还可以包括实施在第一电极和绝缘体基板的第一侧之间的第一玻璃密封件,以及实施在第二电极和绝缘体基板的第二侧之间的第二玻璃密封件,使得第一玻璃密封件和第二玻璃密封件对由开口以及第一电极和第二电极定义的腔室提供气密密封。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及气体放电管以及相关的器件和方法。


技术介绍

1、气体放电管(gdt)是具有在两个电极之间约束的一定体积的气体的器件。当在两个电极之间存在足够的电势差时,气体可以电离以提供导电媒质,从而产生电弧形式的电流。

2、基于这种工作原理,gdt可以配置为在电气干扰期间提供用于各种应用的可靠而有效的保护。在一些应用中,由于诸如低电容和低插入/回波损耗的属性,gdt可以比半导体放电器件更为优选。相应地,gdt经常使用于电信和其中期望对诸如过电压的电气干扰进行防护的其他应用中。


技术实现思路

1、在一些实施方式中,本申请涉及一种气体放电管(gdt)器件,其包括:具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板,和实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第一侧上的所述开口的第一电极,以及实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第二侧上的所述开口的第二电极。所述gdt器件还包括实施在所述第一电极和所述绝缘体基板的所述第一侧之间的第一玻璃密封件,以及实施在所述第二电极和所述绝缘体基板的所述第二侧之间的第二玻璃密封件,使得所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件对由所述开口以及所述第一电极和所述第二电极定义的腔室提供气密密封。

2、在一些实施例中,所述绝缘体基板可以包括陶瓷基板。在一些实施例中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个可以包括铜材料。

3、在一些实施例中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个可以包括回流玻璃层。所述回流玻璃层可以包括来自在所述绝缘体基板和对应电极的相应侧上的玻璃层的玻璃材料。

4、在一些实施例中,所述gdt器件可以进一步包括基本上容纳在所述腔室内的气体或气体混合物。在一些实施例中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个可以包括或基于氧化硅复合物。所述氧化硅复合物可以包括例如二氧化硅或石英。

5、在一些实施方式中,本申请涉及一种用于制造气体放电管(gdt)器件的方法。所述方法包括:提供或形成具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板,以及在所述绝缘体基板的所述第一侧和所述第二侧中的每一个上的所述开口周围施加玻璃层。所述方法还包括:提供或形成第一电极和第二电极,以及在所述第一电极和所述第二电极中的每一个上施加玻璃层。所述方法还包括:形成在所述绝缘体基板的所述第一侧上的第一电极和在所述绝缘体基板的所述第二侧上的第二电极的组件,使得每个电极上的玻璃层与所述绝缘体基板的对应侧上的玻璃层接触(engage)。所述方法还包括:对所述组件进行加热以熔化每个电极上的玻璃层和所述绝缘体基板的对应侧上的玻璃层,并产生回流玻璃密封件。

6、在一些实施例中,在所述绝缘体基板的每一侧上的所述开口周围施加所述玻璃层,以及在所述第一电极和所述第二电极中的每一个上施加所述玻璃层可以包括烧结步骤。

7、在一些实施例中,所述回流玻璃密封件可以对由所述开口以及所述第一电极和所述第二电极所定义的腔室提供气密密封。在一些实施例中,所述方法可以进一步包括在加热的至少一部分期间提供期望气体,使得所述气密密封的腔室容纳所述期望气体。

8、在一些实施例中,所述方法可以进一步包括在形成所述回流玻璃密封件之后冷却所述组件。在一些实施例中,所述gdt可以是由定义绝缘体基板的阵列的绝缘体片(insulator sheet)所接合的多个gdt中的一个。在一些实施例中,所述方法可以进一步包括将绝缘体片分割以产生多个单独的gdt。这种分割可以在组件冷却之后进行。

9、在一些实施方式中,本申请涉及气体放电管(gdt)的组件。所述组件可以包括绝缘体片,其具有由相应边界定义的多个单元,每个单元包括具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板。所述组件可以进一步包括:多个第一电极,每个第一电极实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第一侧上的相应单元的所述开口;以及多个第二电极,每个第二电极实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第二侧上的相应单元的所述开口。所述组件可以进一步包括:多个第一玻璃密封件,每个第一玻璃密封件实施在所述第一电极和相应单元的所述绝缘体基板的所述第一侧之间;以及多个第二玻璃密封件,每个第二玻璃密封件实施在所述第二电极和相应单元的所述绝缘体基板的所述第二侧之间,使得所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件为由所述相应单元的所述开口以及所述第一电极和所述第二电极定义的腔室提供气密密封。

10、在一些实施例中,所述多个单元可以布置成阵列。所述边界中的至少一些可以配置为允许所述各单元的阵列被分割成单独的分割单元。

11、在一些实施方式中,本申请涉及一种用于制造气体放电管(gdt)器件的方法。该方法包括:提供或形成具有由相应的边界定义的多个单元的绝缘体片,每个单元包括具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板。该方法进一步包括:在每个单元的绝缘体基板的第一侧上的开口周围施加玻璃层,以及在每个单元的绝缘体基板的第二侧上的开口周围施加玻璃层。该方法还包括:提供或形成多个第一电极和多个第二电极,以及在每个第一电极和每个第二电极上施加玻璃层。该方法还包括:对在所述绝缘体片的第一侧上的第一电极和在所述绝缘体片的第二侧上的第二电极进行组装(assembling),使得每个电极上的玻璃层与所述相应单元的绝缘体基板的对应侧上的玻璃层接触。

12、在一些实施例中,该方法可以进一步包括:加热组件以熔化每个电极上的玻璃层和所述相应单元的所述绝缘体基板的对应侧上的玻璃层,并产生回流玻璃密封件,所述回流玻璃密封件为由所述相应单元的所述开口以及所述第一电极和所述第二电极定义的腔室提供气密密封。该方法可以进一步包括:在所述加热的至少一部分期间提供期望气体,使得每个气密密封的腔室容纳所述期望气体。该方法可以进一步包括:在形成用于每个单元的回流玻璃密封件之后冷却所述组件。该方法可以进一步包括:将绝缘体片进行分割以产生多个单独的gdt。

13、在一些实施方式中,本申请涉及一种具有气体放电管(gdt)的电器件,所述气体放电管(gdt)包括:具有第一侧和第二侧并定义开口的绝缘体基板,和实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第一侧上的所述开口的第一电极,以及实施为覆盖所述绝缘体基板的所述第二侧上的所述开口的第二电极。所述gdt还包括:实施在所述第一电极和所述绝缘体基板的所述第一侧之间的第一玻璃密封件,以及实施在所述第二电极和所述绝缘体基板的所述第二侧之间的第二玻璃密封件,使得所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件对由所述开口以及所述第一电极和所述第二电极所定义的腔室提供气密密封。所述电器件还包括电连接至所述gdt的电气部件。

14、在一些实施例中,所述gdt与所述电气部件之间的电连接可以配置为使得所述电器件是单个封装单元。

15、为了概述本申请的目的,已经在这里描述了本专利技术的某些方面、优点和新颖特征。应当理解,根据本专利技术的任何特定实施例,不一定要实现所有这些优点。因此,可以以实现或优化本文所教导的一个优点或一组优点的方式来实现或实施本专利技术,而不必实现本文所教导或教本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体放电管(GDT)器件,包括:

2.如权利要求1所述的GDT器件,其中,所述绝缘体基板包括陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的GDT器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括铜材料。

4.如权利要求1所述的GDT器件,其中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个包括回流玻璃层。

5.如权利要求4所述的GDT器件,其中,所述回流玻璃层包括来自在所述绝缘体基板和对应电极的相应侧上的玻璃层的玻璃材料。

6.如权利要求1所述的GDT器件,还包括基本上容纳在所述腔室内的气体或气体混合物。

7.如权利要求1所述的GDT器件,其中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个包括或基于氧化硅复合物。

8.如权利要求7所述的GDT器件,其中,所述氧化硅复合物包括二氧化硅或石英。

9.一种用于制造气体放电管(GDT)器件的方法,所述方法包括:

10.一种气体放电管(GDT)的组件,包括:

【技术特征摘要】

1.一种气体放电管(gdt)器件,包括:

2.如权利要求1所述的gdt器件,其中,所述绝缘体基板包括陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的gdt器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括铜材料。

4.如权利要求1所述的gdt器件,其中,所述第一玻璃密封件和所述第二玻璃密封件中的每一个包括回流玻璃层。

5.如权利要求4所述的gdt器件,其中,所述回流玻璃层包括来自在所述绝缘体基板和对应电极的相应侧上的玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员:Z·王P·沙克G·L·伯恩斯
申请(专利权)人:伯恩斯公司
类型:发明
国别省市:

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