【技术实现步骤摘要】
本技术属于散热器结构，尤其涉及一种充电模块的散热结构。
技术介绍
1、对于充电模块的，特别是单板的散热器，大多是由散热块、绝缘板、以及晶体元器件等部分组成，通常元器件及散热块表面总是凸凹不平，当面和面发生接触时，接触只发生在最高点，低点充满空气的空隙，而空气的导热系数非常小，使得接触面的接触热阻比较大。为了保证散热效果更好，需设置导热层结构，通过导热层来填充接触面之间的空隙，以缩短热流距离，提高传热量。
2、相关技术中，通常采用移印或钢网印刷的方式来形成导热层，使得散热块和绝缘板之间、绝缘板和晶体元器件之间的空隙被导热材料填满，材料成本和制备成本高；导热材料在器件表面的位置分布不够理想，晶体器件的引脚等部件容易受导热材料的影响而产生接触不良，散热器的使用效率低。
技术实现思路
1、本技术的技术目的在于提供一种充电模块的散热结构，旨在相关技术中散热结构的制备成本高等问题。
2、为解决上述技术问题，本技术是这样实现的，一种充电模块的散热结构，包括：依次层叠的散热块、第一导热层、绝缘层、第二导热层以及具有引脚的晶体器件层；第一导热层与绝缘层的接触区域小于绝缘层的投影面积；第二导热层与绝缘层的接触区域小于绝缘层的投影面积且大于晶体器件层的投影面积，引脚位于晶体器件层中不与第二导热层相连的让位区域。
3、进一步地，第一导热层和第二导热层的厚度分别为0.08-0.18mm。
4、进一步地，第一导热层和第二导热层的材料皆为导热硅脂。
5
6、进一步地，第二导热层的投影轮廓的到晶体器件层的投影外轮廓之间的距离大于1mm。
7、进一步地，绝缘层为陶瓷基片。
8、进一步地，绝缘层材料为氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化铍中的一种。
9、进一步地，绝缘层上靠近晶体器件层的一侧的未与第二导热层接触的区域设置有气吸点。
10、进一步地，晶体器件层包括多个晶体管，各晶体管的一端分别连接有对应的引脚。
11、进一步地，晶体管、绝缘层以及散热块之间通过螺钉固定连接。
12、本技术中充电模块的散热结构与现有技术相比，有益效果在于：散热块和绝缘层之间通过第一导热层连接，第一导热层未填充满绝缘层和散热块之间的缝隙，其未填充满的区域有利于在进行导热材料的涂覆操作时取放作业；第二导热层的背离绝缘层的一侧仅和晶体器件层的散热面结合，没有和晶体器件层的引脚等部位接触，从而能够避免导热材料对晶体器件层中引脚等部件的相关功能造成不良影响。此外，绝缘层的两表面无需被导热层全部覆盖，在一定程度上有利于节约导热材料成本。
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1.一种充电模块的散热结构，其特征在于，包括依次层叠的散热块、第一导热层、绝缘层、第二导热层以及具有引脚的晶体器件层；所述第一导热层与所述绝缘层的接触区域小于所述绝缘层的投影面积；所述第二导热层与所述绝缘层的接触区域小于所述绝缘层的投影面积且大于所述晶体器件层的投影面积，所述引脚位于所述晶体器件层中不与所述第二导热层相连的让位区域。
2.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层的厚度分别为0.08-0.18mm。
3.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层的材料皆为导热硅脂。
4.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层的投影轮廓的到所述绝缘层的投影外轮廓之间的距离大于2mm。
5.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第二导热层的投影轮廓的到所述晶体器件层的投影外轮廓之间的距离大于1mm。
6.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述绝缘层为陶瓷基片。
7.根据权
8.根据权利要求7所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述绝缘层上靠近所述晶体器件层的一侧的未与所述第二导热层接触的区域设置有气吸点。
9.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述晶体器件层包括多个晶体管，各所述晶体管的一端分别连接有对应的所述引脚。
10.根据权利要求9所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述晶体管、所述绝缘层以及所述散热块之间通过螺钉固定连接。
...【技术特征摘要】
1.一种充电模块的散热结构，其特征在于，包括依次层叠的散热块、第一导热层、绝缘层、第二导热层以及具有引脚的晶体器件层；所述第一导热层与所述绝缘层的接触区域小于所述绝缘层的投影面积；所述第二导热层与所述绝缘层的接触区域小于所述绝缘层的投影面积且大于所述晶体器件层的投影面积，所述引脚位于所述晶体器件层中不与所述第二导热层相连的让位区域。
2.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层的厚度分别为0.08-0.18mm。
3.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层的材料皆为导热硅脂。
4.根据权利要求1所述的充电模块的散热结构，其特征在于，所述第一导热层的投影轮廓的到所述绝缘层的投影外轮廓之间的距离大于2mm。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：亓文建，夏冠玉，李广，马义鹏，魏世博，
申请(专利权)人：深圳英飞源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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