【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种hemt器件及其制备方法。
技术介绍
1、hemt（high electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管）在制备过程中会使用到刻蚀工艺，高能的等离子体在会在hemt器件上聚集电荷从而造成静电放电（electrostatic discharge，esd），进而导致器件损坏。另外，对于gan hemt器件，在制备过程中采用的独特制备工艺如撕金工艺（金属剥离采用蓝膜贴合撕金的方式），同样会导致器件上产生静电放电，造成器件的良率损失。
2、为了解决静电放电对器件良率的影响，目前通常采用改变工艺路线的方式，例如，使用湿法剥离代替撕金剥离，但是会导致加工成本增加，生产效率降低。并且，由刻蚀工艺中等离子体引入的静电放电无法完全规避，电荷在器件表面聚集会造成器件损伤。
3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种hemt器件及其制备方法，以防止器件在制备过程中因电荷聚集造成损坏。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种hemt器件，包括：
3、衬底；
4、设于所述衬底表面的外延结构层；
5、设于所述外延结构层背离所述衬底表面的源极、漏极和栅极；所述源极与hemt器件周围的划片道电连接。
6、可选的，还包括：
7、设于所述源极与所述划片道之间的保护环；
8
9、可选的，所述源极与所述划片道直接通过导电通道电连接。
10、可选的，所述外延结构层中对应所述漏极和所述源极的区域为离子注入导电区，所述外延结构层中除对应所述划片道、有源区和第一连接区以外的区域为绝缘区，所述源极与所述划片道通过对应所述第一连接区的二维电子气电连接；所述第一连接区为连接所述源极与所述划片道的区域。
11、可选的，离子注入导电区还包括所述外延结构层中对应所述划片道的区域。
12、可选的，当所述划片道不允许存在金属时，还包括与所述划片道连接的划片道凸起；所述外延结构层中对应所述划片道、所述划片道凸起、所述漏极和所述源极的区域为离子注入导电区，所述外延结构层中除对应所述划片道、划片道凸起和有源区以外的区域为绝缘区；所述源极与所述划片道凸起通过金属层电连接。
13、可选的，当所述划片道不允许存在金属时，还包括与所述划片道连接的划片道凸起；所述外延结构层中对应所述划片道的局部区域、所述划片道凸起、所述漏极和所述源极的区域为离子注入导电区，所述外延结构层中除对应所述划片道、划片道凸起和有源区以外的区域为绝缘区；所述源极与所述划片道凸起通过金属层电连接；所述划片道的局部区域包括与所述划片道凸起连接的区域。
14、可选的，所述外延结构层中对应所述划片道的区域为离子注入导电区，所述外延结构层中除对应所述划片道、所述保护环、有源区、第二连接区和第三连接区以外的区域为绝缘区；
15、所述源极与所述保护环电连接，所述保护环与所述划片道通过对应所述第三连接区的二维电子气电连接；所述第二连接区为连接所述源极与所述保护环的区域，所述第三连接区为连接所述保护环与所述划片道的区域。
16、可选的，所述外延结构层中除对应所述划片道、所述保护环、有源区、第二连接区和第三连接区以外的区域为绝缘区；
17、所述源极与所述保护环电连接，所述保护环与所述划片道通过位于第三连接区的金属层电连接。
18、可选的，所述金属层与所述保护环的连接处以及所述金属层与所述划片道的连接处，为欧姆接触或者肖特基接触。
19、可选的，所述外延结构层中对应所述划片道的区域为离子注入导电区。
20、可选的，所述外延结构层中对应所述划片道的区域为未注入离子区。
21、可选的，当所述划片道不允许存在金属时，还包括与所述划片道连接的划片道凸起；所述外延结构层中对应所述划片道的局部区域、所述划片道凸起的区域为离子注入导电区；所述划片道的局部区域包括与所述划片道凸起连接的区域。
22、可选的，所述外延结构层中对应所述划片道的区域、第三连接区为离子注入导电区，所述外延结构层中除对应所述划片道、所述保护环、有源区、第二连接区和第三连接区以外的区域为绝缘区；所述源极与所述保护环电连接，所述保护环与所述划片道通过对应所述第三连接区的注入离子电连接。
23、本专利技术还提供一种hemt器件制备方法，包括：
24、准备衬底；
25、在所述衬底的表面上生长外延结构层；
26、在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极；
27、其中，所述源极与hemt器件周围的划片道电连接。
28、可选的，当所述源极与所述划片道通过对应第一连接区的二维电子气电连接时，在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极之前，还包括：
29、在所述外延结构层的表面生长保护层；
30、在所述保护层的作用下，对所述外延结构层对应所述划片道、所述漏极和所述源极的区域注入离子并激活，使注入离子的区域为离子注入导电区；
31、去除所述保护层，并在所述外延结构层的表面生长介质层；
32、对所述外延结构层中除对应所述划片道、有源区和第一连接区以外的区域注入隔离离子，使注入隔离离子的区域为绝缘区；
33、其中，所述第一连接区为连接所述源极与所述划片道的区域，所述外延结构层中未注入隔离离子的区域具有二维电子气。
34、可选的，当所述划片道不允许存在金属，所述源极与划片道凸起通过金属层电连接时，对所述外延结构层对应所述划片道、所述漏极和所述源极的区域注入离子并激活包括：
35、在所述保护层的作用下，对所述外延结构层中对应所述划片道、划片道凸起、所述漏极和所述源极的区域注入离子并激活；
36、对所述外延结构层中除对应所述划片道、有源区和第一连接区以外的区域注入隔离离子包括：
37、对所述外延结构层中除对应所述划片道、划片道凸起和有源区以外的区域注入隔离离子；
38、在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极时，还包括：
39、在所述源极与所述划片道凸起之间生长金属层。
40、可选的，在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极之前，还包括：
41、在所述外延结构层的表面生长保护层；
42、在所述保护层的作用下，对所述外延结构层中对应所述划片道的区域注入离子并激活，使注入离子的区域为离子注入导电区；
43、去除所述保护层，并在所述外延结构层的表面生长介质层；
44、对所述外延结构层中除对应所述划片道、保护环、有源区、第二连接区和第三连接区以外的区域注入隔离离子，使注入隔离离子的区域为绝缘本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述源极（5）与所述划片道（3）直接通过导电通道电连接。
4.如权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述漏极（4）和所述源极（5）的区域为离子注入导电区，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、有源区（13）和第一连接区（14）以外的区域为绝缘区，所述源极（5）与所述划片道（3）通过对应所述第一连接区（14）的二维电子气（7）电连接；所述第一连接区（14）为连接所述源极（5）与所述划片道（3）的区域。
5.如权利要求4所述的HEMT器件，其特征在于，离子注入导电区还包括所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域。
6.如权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，当所述划片道（3）不允许存在金属时，还包括与所述划片道（3）连接的划片道凸起（15）；
7.如权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，当所述划片道（3）不允许存
8.如权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域为离子注入导电区，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、所述保护环（17）、有源区（13）、第二连接区（18）和第三连接区（19）以外的区域为绝缘区；
9.如权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、所述保护环（17）、有源区（13）、第二连接区（18）和第三连接区（19）以外的区域为绝缘区；
10.如权利要求9所述的HEMT器件，其特征在于，所述金属层（16）与所述保护环（17）的连接处以及所述金属层（16）与所述划片道（3）的连接处，为欧姆接触或者肖特基接触。
11.如权利要求9所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域为离子注入导电区。
12.如权利要求9所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域为未注入离子区。
13.如权利要求9所述的HEMT器件，其特征在于，当所述划片道（3）不允许存在金属时，还包括与所述划片道（3）连接的划片道凸起（15）；
14.如权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域、第三连接区（19）为离子注入导电区，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、所述保护环（17）、有源区（13）、第二连接区（18）和第三连接区（19）以外的区域为绝缘区；所述源极（5）与所述保护环（17）电连接，所述保护环（17）与所述划片道（3）通过对应所述第三连接区（19）的注入离子电连接。
15.一种HEMT器件制备方法，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的HEMT器件制备方法，其特征在于，当所述源极与所述划片道通过对应第一连接区的二维电子气电连接时，在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极之前，还包括：
17.如权利要求16所述的HEMT器件制备方法，其特征在于，当所述划片道不允许存在金属，所述源极与划片道凸起通过金属层电连接时，对所述外延结构层对应所述划片道、所述漏极和所述源极的区域注入离子并激活包括：
18.如权利要求15所述的HEMT器件制备方法，其特征在于，在所述外延结构层的表面制作源极、漏极和栅极之前，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种hemt器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的hemt器件，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的hemt器件，其特征在于，所述源极（5）与所述划片道（3）直接通过导电通道电连接。
4.如权利要求3所述的hemt器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述漏极（4）和所述源极（5）的区域为离子注入导电区，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、有源区（13）和第一连接区（14）以外的区域为绝缘区，所述源极（5）与所述划片道（3）通过对应所述第一连接区（14）的二维电子气（7）电连接；所述第一连接区（14）为连接所述源极（5）与所述划片道（3）的区域。
5.如权利要求4所述的hemt器件，其特征在于，离子注入导电区还包括所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域。
6.如权利要求3所述的hemt器件，其特征在于，当所述划片道（3）不允许存在金属时，还包括与所述划片道（3）连接的划片道凸起（15）；
7.如权利要求3所述的hemt器件，其特征在于，当所述划片道（3）不允许存在金属时，还包括与所述划片道（3）连接的划片道凸起（15）；
8.如权利要求2所述的hemt器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中对应所述划片道（3）的区域为离子注入导电区，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、所述保护环（17）、有源区（13）、第二连接区（18）和第三连接区（19）以外的区域为绝缘区；
9.如权利要求2所述的hemt器件，其特征在于，所述外延结构层（2）中除对应所述划片道（3）、所述保护环（17）、有源区（13）、第二连接区（18）和第三连接区（19）以外的区域为绝缘区；
10.如权利要求9所述的hemt...
【专利技术属性】
技术研发人员：程川，杨天应，陈高鹏，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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