【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种转移印刷技术，尤其涉及一种巨量超薄芯片转印印章及转印方法。
技术介绍
1、尽管柔性电子在信息、能源和医疗方面的作用越来越重要，但它们与异形接口的集成仍然是一个悬而未决的挑战。固体接触式弹性体印章有时会产生裂纹，而牺牲层法等非接触式方法无法实现精确定位转移。在此，清华大学团队提出了具有高良率的液滴印章转移打印(lstp)。液滴印章被设计为一种有效的工具来转移变薄的无机柔性芯片，以此制造一种广泛应用于柔性电路大规模制造的减薄微型发光二极管。
2、公开号为cn109637957b的中国专利文献公开了一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，该转印基板，包括：基板，位于基板一侧的表面上沟槽，以及位于基板与沟槽之间的微流控制电路；沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于通道的任意一侧且与通道连接的容置槽；其中，通道的表面具有疏水层，容置槽的表面具有亲水层；微流控制电路，用于驱动携带有发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内。由于微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续将发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移。
3、上述专利方案为被动的芯片转移方式，需要将芯片一个个的放置在液滴上，在对液滴进行驱动，以达到运输芯片的目的，但是针对于超薄芯片(厚度小于1um)，芯片的转移方式需要极高的转移精度，且转印量巨大，增加了操作难度，同时在上述方案中液滴的移动
技术实现思路
1、为了克服现有技术超薄芯片转印中，固体印章的预压力可能对芯片造成损坏，而液体印章控制精度高，操作难度大的技术问题，本专利技术的一个目的在于提供一种巨量超薄芯片转印印章及转印方法，通过阵列的液体轻柔的接触阵列芯片进行批量拾取，极大减小了按压力对芯片造成的破坏，降低了操作难度，同时通过控制印章的油膜的倾斜角度和目标基底的移动速度，来改变相邻两个芯片依次释放到目标基底上的间距，最终实现芯片在目标基底上的排列间距可控。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案实现：一种巨量超薄芯片转印印章，包括印章主体；所述印章主体设有一工作面；所述工作面上涂有油层；所述油层上滴有液滴；所述液滴能够拾取芯片并携带所述芯片相对所述印章主体滑移。
3、进一步地，所述油层为二甲基硅油。
4、一种巨量超薄芯片转印方法，包括如下步骤：
5、(1)将转印印章移动至第一基底下方，并使每个液滴分别对准一个芯片；
6、(2)向上施加恒定外力，使所述液滴与所述芯片充分接触；
7、(3)向下将所述转印印章从第一基底移开，所述芯片分别被对应的所述液滴拾取；
8、所述液滴与所述芯片之间的界面粘附力大于所述芯片与所述第一基底的界面粘附力，所述芯片仅轻柔的贴附在所述第一基底下端，所述芯片与所述第一基底之间的界面粘附力很小。此过程需要注意：所述转印印章与所述第一基底需要保持绝对水平。
9、(4)将所述转印印章移动至第二基底上方，并与第二基底保持一定间距，所述间距极小，所述液滴滑移过程中，不会侵覆；
10、(5)将所述转印印章倾斜一定角度，使所述液滴顺着油层发生整体滑移，相邻的所述液滴不接触，同时所述第二基底沿滑移方向同步移动；
11、因为所述油层的存在，所述转印印章与所述液滴之间的摩擦力接近于0；各个所述液滴同时相对所述转印印章滑移。
12、(6)移除所述转印印章，并烘干所述第二基底。
13、可选地，所述转印印章的倾斜角度固定且所述第二基底匀速运动，所述第二基底上的所述芯片的间距相等。
14、可选地，所述转印印章的倾斜角度实时变化和/或所述第二基底变速运动，所述第二基底上的所述芯片的间距能够对应改变。
15、优选地，所述恒定外力仅使所述液滴与所述芯片充分接触，不能使所述转印印章压紧所述芯片。
16、优选地，所述液滴的最大截面积小于或等于所述芯片的最大截面积；所述液滴体积越小，对应的拾取所述芯片的误差越小，同时较小的所述液滴粘附力也会强一点。
17、相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
18、(1)液滴接触芯片，预压力极小，对芯片损伤小，有利于转移超薄芯片(厚度低于1um)。
19、(2)芯片在目标基底上的间距可控，扩展了转印印章的使用场景，仅需改变转印印章的倾角和/或目标基底的移动速度，就能调整转印芯片的间距，控制成本和操作成本低。
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1.一种巨量超薄芯片转印印章，包括印章主体；所述印章主体设有一工作面；其特征在于：所述工作面上涂有油层；所述油层上滴有液滴；所述液滴能够拾取芯片并携带所述芯片相对所述印章主体滑移。
2.如权利要求1所述的转印印章，其特征在于：所述油层为二甲基硅油。
3.一种巨量超薄芯片转印方法，其特征在于：基于权利要求1或2中任一所述转印印章实现，包括如下步骤：
4.如权利要求3所述的转印方法，其特征在于：所述转印印章的倾斜角度固定且所述第二基底匀速运动，所述第二基底上的所述芯片的间距相等。
5.如权利要求3所述的转印方法，其特征在于：所述转印印章的倾斜角度实时变化和/或所述第二基底变速运动，所述第二基底上的所述芯片的间距能够对应改变。
6.如权利要求3所述的转印方法，其特征在于：所述恒定外力仅使所述液滴与所述芯片充分接触，不能使所述转印印章压紧所述芯片。
7.如权利要求3所述的转印印章，其特征在于：所述液滴的最大截面积小于或等于所述芯片的最大截面积。
【技术特征摘要】
1.一种巨量超薄芯片转印印章，包括印章主体；所述印章主体设有一工作面；其特征在于：所述工作面上涂有油层；所述油层上滴有液滴；所述液滴能够拾取芯片并携带所述芯片相对所述印章主体滑移。
2.如权利要求1所述的转印印章，其特征在于：所述油层为二甲基硅油。
3.一种巨量超薄芯片转印方法，其特征在于：基于权利要求1或2中任一所述转印印章实现，包括如下步骤：
4.如权利要求3所述的转印方法，其特征在于：所述转印印章的倾斜角度固定且所...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚春莹，唐秋雨，凌盛斌，汪海栋，
申请(专利权)人：绍兴圆炬科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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