System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体存储装置制造方法及图纸_技高网

半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号:40123957 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-23 21:05
本发明专利技术所提供的半导体存储装置,包含多个第1导电体,相互分开排列于第1方向,各自在第1导电体的第1方向侧具有未被相邻的第1导电体覆盖的第1部分;存储器导柱,在第1方向延伸,与多个第1导电体相接,包含半导体及包围半导体的膜;第3导电体,在第1方向延伸,具有与多个第1导电体中的1个第2导电体的第1部分的第1方向侧的面相接的下表面;第4导电体,在第1方向延伸,在多个第1导电体中的1个第5导电体的第1部分中,贯穿第5导电体及位于比多个第1导电体中的第5导电体更靠与第1方向相反的第2方向侧的至少1个第6导电体,在侧面中与第5导电体相接;及至少1个第1绝缘体,覆盖至少1个第6导电体各者中面向第4导电体的面。

【技术实现步骤摘要】

实施方式总体上涉及一种存储装置。


技术介绍

1、已知有一种将存储单元3维配置的存储装置。存储装置谋求具有更小的面积。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的问题在于提供一种具有更小的面积的存储装置。

2、一实施方式的存储装置包含多个第1导电体、存储器导柱、第3导电体、第4导电体、及至少1个第1绝缘体。

3、所述多个第1导电体相互分开排列于第1方向。所述多个第1导电体各自在所述第1导电体的所述第1方向侧具有未被相邻的第1导电体覆盖的第1部分。所述存储器导柱在所述第1方向延伸,与所述多个第1导电体相接,包含半导体及包围所述半导体的膜。所述第3导电体在所述第1方向延伸,具有与所述多个第1导电体中的1个第2导电体的所述第1部分的所述第1方向侧的面相接的下表面。所述第4导电体在所述第1方向延伸,在所述多个第1导电体中的1个第5导电体的所述第1部分中,贯穿所述第5导电体及位于比所述多个第1导电体中的所述第5导电体更靠与所述第1方向相反的第2方向侧的至少1个第6导电体,且在侧面中与所述第5导电体相接。至少1个第1绝缘体覆盖所述至少1个第6导电体各者中面向所述第4导电体的面。

【技术保护点】

1.一种存储装置,其具备:

2.根据权利要求1所述的存储装置,其还具备:

3.根据权利要求2所述的存储装置,其中

4.根据权利要求3所述的存储装置,其中

5.根据权利要求2所述的存储装置,其中

6.根据权利要求5所述的存储装置,其中

7.根据权利要求2所述的存储装置,其中

8.根据权利要求1所述的存储装置,其中

9.根据权利要求1所述的存储装置,其中

【技术特征摘要】

1.一种存储装置,其具备:

2.根据权利要求1所述的存储装置,其还具备:

3.根据权利要求2所述的存储装置,其中

4.根据权利要求3所述的存储装置,其中

5.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:小藤贤宏
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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