薄膜晶体管及其制备方法和电路技术

技术编号：40123003 阅读：8 留言：0更新日期：2024-01-23 20:57

本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：基底；栅极；有源层，包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括：第一有源子图案，第一有源子图案包括第一有源区和第一源漏接触区，第一源漏接触区通过第一有源区与第二有源图案相连，第一有源图案的材料包括金属氧化物半导体、低温多晶硅、非晶硅中至少之一，第二有源图案的材料包括半导体碳纳米管；源极和漏极，二者间隔设置且分别与有源层相连；钝化层，位于第二有源图案远离基底一侧。本公开实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法和电路。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭威，孟虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人