System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种可调电场多极化转换的微波器件制造技术_技高网
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一种可调电场多极化转换的微波器件制造技术

技术编号:40111722 阅读:11 留言:0更新日期:2024-01-23 19:16
发明专利技术涉及一种可调电场多极化转换的微波器件,包括:多个阵列布设的超表面单元,超表面单元包括上导电环层、中间导电环层、下导电环层、上介质层以及下介质层。上导电环层水平设置且为封闭的环形结构且连接有用于控制上导电环层切换正反电压的通断部件、开设有在X方向断开的上缺口;中间导电环层中设有沿M方向断开的两个中间缺口;下导电环层水平设置在中间导电环层的下方;下导电环层上开设有沿Y方向断开的下缺口。Y方向与X方向垂直,M方向与Y方向的夹角为45°;上介质层位于上导电环层与中间导电环层之间;下介质层位于下导电环层与中间导电环层之间。本发明专利技术即能实现反射状态下的极化转换又能实现透射状态下的极化转换。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及微波设备,尤其是指一种可调电场多极化转换的微波器件


技术介绍

1、用于调控电磁波的超表面具有低损耗、结构紧凑、易制造,设计灵活的优点,能够得到天然材料无法实现的负折射率。研究方法集中在对电磁波幅度,相位,频率,极化等特性的调控,此外,在超表面设计中使用可调谐材料或者引入可调部件可以实现更多功能,电磁波入射到超表面上会在金属结构表面激发感应电流,在谐振频率处,电磁波的幅度或者相位特性变化,从而改变透射波或者反射波的极化。但是超表面结构一般只能在单一的透射或者反射状态下工作,所以同时实现透射和反射极化转换的结构设计有待创新。


技术实现思路

1、为此,专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中不能同时实现透射和反射极化转换的问题。

2、为解决上述技术问题,专利技术提供了一种可调电场多极化转换的微波器件,包括:多个阵列布设的超表面单元,超表面单元包括:

3、上导电环层,水平设置且为封闭的环形结构,上导电环层上连接有用于控制上导电环层切换正反电压的通断部件以及开设有在x方向断开的上缺口;

4、中间导电环层,水平设置在上导电环层的下方且为封闭的环形结构,中间导电环层中设有沿m方向断开的两个中间缺口;

5、下导电环层,水平设置在中间导电环层的下方,下导电环层在水平面中的正投影与上导电环层在水平面的正投影重合;下导电环层上开设有沿y方向断开的下缺口;y方向、x方向以及m方向,三者相较于同一个交点,且y方向与x方向垂直,m方向与y方向的夹角为45°;

6、上介质层,位于上导电环层与中间导电环层之间,用于绝缘上导电环层与中间导电环层;

7、下介质层,位于下导电环层与中间导电环层之间,用于绝缘下导电环层与中间导电环层。

8、在专利技术的一个实施例中,上导电环层、中间导电环层以及下导电环层均为中心对称图形。

9、在专利技术的一个实施例中,上导电环层、中间导电环层以及下导电环层的对称中心重合。

10、在专利技术的一个实施例中,上导电环层以及中间导电环层在水平面中的正投影的形状不同。

11、在专利技术的一个实施例中,上导电环层以及中间导电环层在水平面中的正投影的形状相同。

12、在专利技术的一个实施例中,上导电环层以及中间导电环层在水平面中的正投影均为方形。

13、在专利技术的一个实施例中,中间导电环层在水平面中的正投影的外轮廓包围上导电环层在水平面中的正投影的外轮廓。

14、在专利技术的一个实施例中,中间导电环层的宽度大于上导电环层以及下导电环层的宽度。

15、在专利技术的一个实施例中,通断部件采用pin射频开关二极管;微波器件还包括与上导电环层导通的两条直流偏置金属线。

16、在专利技术的一个实施例中,两条直流偏置金属线均通过线路与上导电环层导通,线路上设有高频电感。

17、在专利技术的一个实施例中,上导电环层、中间导电环层以及下导电环层均采用金属材质。

18、在专利技术的一个实施例中,上导电环层、中间导电环层以及下导电环层均为表面沉金的铜。

19、在专利技术的一个实施例中,上介质层以及下介质层均采用f4b材料。

20、专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:

21、本专利技术所述的一种可调电场多极化转换的微波器件,其能够在不同的频段内分别实现了透射状态下的入射线极化波到交叉极化转换;反射状态下的线极化波到共极化波和交叉极化波的转换。

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【技术保护点】

1.一种可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:包括:多个阵列布设的超表面单元,所述超表面单元包括:

2.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层、所述中间导电环层以及所述下导电环层均为中心对称图形。

3.根据权利要求2所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层、所述中间导电环层以及所述下导电环层的对称中心重合。

4.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层以及所述中间导电环层在所述水平面中的正投影的形状不同。

5.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层以及所述中间导电环层在所述水平面中的正投影的形状相同。

6.根据权利要求5所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层以及所述中间导电环层在所述水平面中的正投影均为方形。

7.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述中间导电环层在所述水平面中的正投影的外轮廓包围所述上导电环层在所述水平面中的正投影的外轮廓。

8.根据权利要求1或7所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述中间导电环层的宽度大于所述上导电环层以及所述下导电环层的宽度。

9.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述通断部件采用PIN射频开关二极管;所述微波器件还包括与所述上导电环层导通的两条直流偏置金属线。

10.根据权利要求9所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:两条所述直流偏置金属线均通过线路与所述上导电环层导通,所述线路上设有高频电感。

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【技术特征摘要】

1.一种可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:包括:多个阵列布设的超表面单元,所述超表面单元包括:

2.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层、所述中间导电环层以及所述下导电环层均为中心对称图形。

3.根据权利要求2所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层、所述中间导电环层以及所述下导电环层的对称中心重合。

4.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层以及所述中间导电环层在所述水平面中的正投影的形状不同。

5.根据权利要求1所述的可调电场多极化转换的微波器件,其特征在于:所述上导电环层以及所述中间导电环层在所述水平面中的正投影的形状相同。

6.根据权利要求5所述的可调电场多极化转换的微...

【专利技术属性】
技术研发人员:张允晶杨恒李鹏李怡雯何兴理
申请(专利权)人:苏州大学
类型:发明
国别省市:

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