【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种溅射靶及其制造方法。
技术介绍
1、作为透明导电膜、半导体膜的材料，已知zn-sn-o类(zto：锌锡氧化物)。透明导电膜例如被用于太阳能电池、液晶表面元件、触控面板等(专利文献1等)。另外，半导体膜被用作薄膜晶体管(tft)的半导体层(沟道层)(专利文献2等)。zto膜通常使用包含zn-sn-o类烧结体的溅射靶形成。
2、还已知在上述zto中掺杂有镓(ga)的ga-zn-sn-o类(gzto)的膜。例如，在专利文献3、4中公开了使用由氧化锌、氧化镓、氧化锡制作的溅射靶形成薄膜。专利文献3的课题在于制作体电阻低且高密度的溅射靶以及提供相对于金属薄膜能够进行选择性蚀刻的透明且非晶的半导体膜。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2017-36198号公报
6、专利文献2：日本特开2010-37161号公报
7、专利文献3：日本特开2010-18457号公报
8、专利文献4：日本特表2016-507004号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、zto膜在用作半导体膜的情况下，由于载流子浓度高，因此存在耗电多的问题。因此，考虑进行膜的组成调节而降低载流子浓度。但是，当降低载流子浓度时，载流子迁移率(也简称为迁移率)随之降低，存在无法得到所期望的半导体特性的问题。鉴于这种情况，本专利技术的课题在于提供一种适合于形成低载流子浓度且高迁移率的半导体
3、用于解决问题的手段
4、本专利技术的一个方式为一种溅射靶，所述溅射靶含有锌(zn)、锡(sn)、镓(ga)和氧(o)，其中，所述溅射靶含有以ga/(zn+sn+ga)的原子比计0.15以上且0.50以下的ga，所述溅射靶含有以sn/(zn+sn)的原子比计0.30以上且0.60以下的sn，所述溅射靶的体积电阻率为50ω·cm以下。
5、专利技术效果
6、根据本专利技术，具有以下优异效果：能够提供一种适合于形成低载流子浓度且高迁移率的半导体膜的溅射靶。
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1.一种溅射靶，所述溅射靶含有锌(Zn)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O)，其中，所述溅射靶含有以Ga/(Zn+Sn+Ga)的原子比计0.15以上且0.50以下的Ga，所述溅射靶含有以Sn/(Zn+Sn)的原子比计0.30以上且0.60以下的Sn，所述溅射靶的体积电阻率为50Ω·cm以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射靶的相对密度为97％以上。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，所述溅射靶的平均晶粒尺寸为10μm以下。
4.一种溅射靶的制造方法，所述溅射靶的制造方法为权利要求1～3中任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，称量ZnO粉末、SnO粉末、Ga2O3粉末并进行混合，然后进行热压烧结。
5.根据权利要求4所述的溅射靶的制造方法，其中，在1000℃～1300℃下对混合粉末进行预烧，并对预烧粉末进行热压烧结。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种溅射靶，所述溅射靶含有锌(zn)、锡(sn)、镓(ga)和氧(o)，其中，所述溅射靶含有以ga/(zn+sn+ga)的原子比计0.15以上且0.50以下的ga，所述溅射靶含有以sn/(zn+sn)的原子比计0.30以上且0.60以下的sn，所述溅射靶的体积电阻率为50ω·cm以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射靶的相对密度为97％以上。
3.根...
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