【技术实现步骤摘要】
本申请涉及热膨胀，特别涉及一种巨膨胀材料偏硼酸锂的实现方法、巨膨胀材料及应用。
技术介绍
1、热膨胀现象在自然界中普遍存在。温度影响着晶体尺寸的变化，其中一类材料会在温度的作用下晶格参数会发生突变，并且这种变化会通过晶格的周期性传递至宏观，最终实现宏观形状的剧烈变形。这类在温度刺激下发生巨大形状变化的材料在热开关领域具有潜在的应用价值。
2、具有巨膨胀特性的结晶有机化合物，其块状晶体在升温过程中常伴随着大幅的宏观形状变化。通过熵驱动有机分子在特定框架结构中重定向，诱导结构相变引起晶体尺度变化约10％。相比之下，大多数无机结构热相变所引起的单胞体积变化普遍在5％左右，而icsd显示金刚石和立方氮化硼相变前后单胞体积均具有53％的膨胀，表明无机材料在热致形变中潜力。然而这两者的相变条件较为苛刻，因此让无机材料发生巨大晶格参数突变的同时，还具备温和相变条件仍是该领域研究的困难所在。
技术实现思路
1、鉴于此，有必要针对现有技术存在的技术缺陷提供一种具备温和相变条件的巨膨胀材料的实现方法、巨膨胀材料及应用。
2、为解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
3、本申请目的之一，提供了一种巨膨胀材料的实现方法，包括下述步骤：
4、将四方相的偏硼酸锂在600-740℃的温度下退火，所述四方相的偏硼酸锂发生形状变化。
5、在其中一些实施例中，所述四方相的偏硼酸锂转化为单斜相的偏硼酸锂。
6、在其中一些实施例中，所述四方相的偏硼酸
7、在其中一些实施例中，所述偏硼酸锂在相变前后晶格参数a、b、c和单胞体积v的变化率分别为37.7％、2.6％、2.6％和33.6％。
8、在其中一些实施例中，所述偏硼酸锂在相变后宏观尺寸明显膨胀，计算包络线所围面积得到膨胀率为30-60％。
9、本申请目的之一，提供了一种巨膨胀材料，由所述的巨膨胀材料的实现方法制备得到。
10、本申请目的之二，提供了一种所述的巨膨胀材料在热开关中的应用。
11、本申请采用上述技术方案，其有益效果如下：
12、本申请提供的巨膨胀材料及其实现方法，将四方相的偏硼酸锂在600-740℃的温度下退火，所述四方相的偏硼酸锂的形状发生变化，本申请提供的偏硼酸锂结构具有类似金刚石和立方氮化硼的原子分布，结构空隙由离子基团占据，结构具有致密性，可满足升温过程中提供结构内应力迫使原子重新分布，四方结构偏硼酸锂结构相变前后引起巨大体积膨胀，引发结构转变且会直接反映到宏观尺寸，相变条件温和，可适用于实际应用的场合，更大的宏观形状变化能更好地实现热开关的功能。
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1.一种巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述四方相的偏硼酸锂转化为单斜相的偏硼酸锂。
3.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述四方相的偏硼酸锂为粉末或块状晶体。
4.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述偏硼酸锂在相变前后晶格参数a、b、c和单胞体积V的变化率分别为37.7％、2.6％、2.6％和33.6％。
5.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述偏硼酸锂在相变后宏观尺寸明显膨胀，计算包络线所围面积得到膨胀率为30-60％。
6.一种巨膨胀材料，其特征在于，由权利要求1至5任一项所述的巨膨胀材料的实现方法制备得到。
7.一种如权利要求6所述的巨膨胀材料在热开关中的应用。
【技术特征摘要】
1.一种巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述四方相的偏硼酸锂转化为单斜相的偏硼酸锂。
3.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述四方相的偏硼酸锂为粉末或块状晶体。
4.如权利要求1所述的巨膨胀材料的实现方法，其特征在于，所述偏硼酸锂在相变前后晶格参数a、b、c和单...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜兴兴，梁政利，林哲帅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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