【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，属于纳米粉体。
技术介绍
1、与传统液体电解质相比，固态电解质显著提高了钠离子电池的安全性和电化学稳定性，这使其成为下一代高能电池的有前途的替代技术。nasicon型固体电解质是近年来研究最多的固体电解质之一，其通式为na1+xzr2sixp3-xo12(0＜x＜3)，其不仅具有良好的离子导电性，同时还拥有较高的化学稳定性以及热稳定性。其中，当x=2时的化合物na3zr2si2po12具有很高的室温离子电导率（6.7×10-4s·cm-1），300℃时的离子电导率能达到0.2 s·cm-1，具有广阔的应用前景。目前常用的固相烧结法制备得到的粉体颗粒较大且大小不均匀，并且需要较高的烧结温度和烧结时间，制备工艺复杂，能耗较高不便于规模化生产。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下。
3、一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，所述nzsp的化学式为na1+xzr2sixp3-xo12，0＜x＜3方法步骤包括：
4、（1）将硅源、乙醇和去离子水纯度以上的水充分混合，加入柠檬酸，加热搅拌充分溶解，得到第一混合溶液；
5、（2）将钠源、锆源和磷源加入第一混合溶液中，加热搅拌充分溶解，得到第二混合溶液；硅源、锆源和磷源按化学计量比称取；钠源过量10%~15%；
6、（3）将第二混合溶液在50~
7、（4）将干凝胶研磨成粉状，置于马弗炉中煅烧，煅烧结束后，球磨，得到一种高纯度nzsp纳米粉体。
8、优选的，所述第一混合溶液中，硅源质量：乙醇和水总质量为1~3:7，其中乙醇和水的质量为4:3~6:1。
9、优选的，所述第二混合溶液中，柠檬酸和金属阳离子的摩尔比为1~2:1。
10、优选的，所述硅源为二氧化硅、正硅酸四乙酯和正硅酸四甲酯中的一种以上。
11、优选的，所述钠源为碳酸钠、碳酸氢钠、乙酸钠、硝酸钠和氟化钠中的一种以上。
12、优选的，所述锆源为硝酸氧锆、氧氯化锆、二氧化锆、氯化锆和氢氧化锆中的一种以上。
13、优选的，所述磷源为磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸三铵、五氧化二磷和磷酸中的一种以上。
14、优选的，步骤（1）中，加热温度为50~80℃。
15、优选的，步骤（2）中，加热温度为50~80℃。
16、优选的，步骤（3）中，干燥温度为100℃~280℃，干燥时间为3h~8h。
17、优选的，步骤（4）中，煅烧时，首先在400~500℃下烧结3~4h，然后升温至700~850℃烧结2~3h。
18、优选的，升温速率为2℃/min~5℃/min。
19、一种高纯度nzsp纳米粉体，所述粉体通过以上方法制备得到。
20、有益效果
21、本专利技术提供了一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，生产周期短、方法简便且适合工业化规模生产的特点。通过本专利技术所述方法制备的nzsp纳米粉体，形貌均匀，材料性能高。
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1.一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：所述NZSP的化学式为Na1+xZr2SixP3-xO12，0＜x＜3方法步骤包括：
2.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：所述第一混合溶液中，硅源质量：乙醇和水总质量为1~3:7，乙醇和水的质量为4:3~6:1。
3.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：所述第二混合溶液中，柠檬酸和金属阳离子的摩尔比为1~2:1。
4.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：所述硅源为二氧化硅、正硅酸四乙酯和正硅酸四甲酯中的一种以上；
5.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：步骤（1）中，加热温度为50~80℃。
6.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：步骤（2）中，加热温度为50~80℃。
7.如权利要求1所述的一种高纯度NZSP纳米粉体制备方法，其特征在于：步骤（3）中，干燥温度为100℃~280℃，干燥时间为3h~8h。<...
【技术特征摘要】
1.一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，其特征在于：所述nzsp的化学式为na1+xzr2sixp3-xo12，0＜x＜3方法步骤包括：
2.如权利要求1所述的一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，其特征在于：所述第一混合溶液中，硅源质量：乙醇和水总质量为1~3:7，乙醇和水的质量为4:3~6:1。
3.如权利要求1所述的一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，其特征在于：所述第二混合溶液中，柠檬酸和金属阳离子的摩尔比为1~2:1。
4.如权利要求1所述的一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，其特征在于：所述硅源为二氧化硅、正硅酸四乙酯和正硅酸四甲酯中的一种以上；
5.如权利要求1所述的一种高纯度nzsp纳米粉体制备方法，其特征在于：步骤（1）中，加热温度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成志，苗润青，金海波，李静波，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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