【技术实现步骤摘要】
本技术涉及传感器电路，具体是指一种高精度低功耗高压稳压电路。
技术介绍
1、在有些传感器电路中需要高电压并且精度高的偏置电源，一般是由开关电源实现，但开关电源的纹波大，精度不高。如果由三端稳压器实现，三端稳压器的耐压不够，电路实现困难，随着电子设备的普及和发展，人们对这些设备的精度要求越来越高，这就导致对设备的供电电源精度要求也越来越高，同时还要求供电电源的稳定性越来越好，因此，急需要一种高精度低功耗高压稳压电路。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种高精度低功耗高压稳压电路。
2、本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
3、一种高精度低功耗高压稳压电路，包括电压基准源电路、mos管、运算放大器；所述稳压电路的输入端与mos管的漏极连接，所述mos管的栅极与运算放大器的输出端连接，所述运算放大器的输入端与电压基准源电路连接；所述电压基准源电路包括稳压器、电阻r6和电阻r7，所述电阻r6、电阻r7与稳压器连接，用于稳定输入电压，所述电阻r6的第一端与运算放大器的输入端连接，所述电阻r6的第二端与电阻r7连接。
4、进一步的，所述mos管为n沟道增强型mos管。
5、进一步的，所述运算放大器的输入端包括反向输入端，所述反向输入端接入有负电源，所述运算放大器的输出端接入有正电源。
6、进一步的，所述稳压电路还包括电阻r1、电阻r3以及电阻r4，所述运算放大器的输入端还包括正向输入端，所述正向输入端
7、进一步的，所述稳压电路还包括电容c1，所述电容c1的第一端与mos管的源极连接，所述电容c1的第二端接地。
8、进一步的，所述稳压电路还包括电容c5，所述电容c5的第一端与mos的漏极连接，所述电容c5的第二端接地。
9、进一步的，所述mos管的型号为irfp250。
10、进一步的，所述运算放大器的型号为icl7611。
11、本技术相比现有技术具有以下优点及有益效果：
12、本技术通过mos管、运算放大器、电压基准源电路结合实现高精度、低功耗、高压稳压的效果，通过mos管输出大电流，运算放大器为低功耗型，输入电压经过电压基准源电路输出实现高压稳压。
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1.一种高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：包括电压基准源电路、MOS管、运算放大器；
2.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述MOS管为N沟道增强型MOS管。
3.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述运算放大器的输入端包括反向输入端，所述反向输入端接入有负电源，所述运算放大器的输出端接入有正电源。
4.根据权利要求3所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述稳压电路还包括电阻R1、电阻R3以及电阻R4，所述运算放大器的输入端还包括正向输入端，所述正向输入端与电阻R4的第一端连接，所述反向输入端与电阻R1的第一端连接，所述电阻R4的第二端与电阻R1的第二端连接，所述电阻R3的第一端与电阻R4的第二端、电阻R1的第二端连接，所述电阻R3的第二端接地。
5.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述稳压电路还包括电容C1，所述电容C1的第一端与MOS管的源极连接，所述电容C1的第二端接地。
6.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征
7.根据权利要求2所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述MOS管的型号为IRFP250。
8.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述运算放大器的型号为ICL7611。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：包括电压基准源电路、mos管、运算放大器；
2.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述mos管为n沟道增强型mos管。
3.根据权利要求1所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述运算放大器的输入端包括反向输入端，所述反向输入端接入有负电源，所述运算放大器的输出端接入有正电源。
4.根据权利要求3所述的高精度低功耗高压稳压电路，其特征在于：所述稳压电路还包括电阻r1、电阻r3以及电阻r4，所述运算放大器的输入端还包括正向输入端，所述正向输入端与电阻r4的第一端连接，所述反向输入端与电阻r1的第一端连接，所述电阻r4的第二端与电阻r1的第二端连...
【专利技术属性】
技术研发人员：廉大伟，许兆欣，
申请(专利权)人：深圳市杰曼科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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