System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 功率放大器及其偏置电路、射频前端模组制造技术_技高网

功率放大器及其偏置电路、射频前端模组制造技术

技术编号:40092538 阅读:10 留言:0更新日期:2024-01-23 16:26
本申请实施例提供了一种功率放大器及其偏置电路、射频前端模组,偏置电路包括:偏置子电路、第一分流子电路或第二分流子电路;偏置子电路包括偏置晶体管,偏置晶体管的第一端与偏置控制端耦合,偏置晶体管的第二端与供电电源端耦合,偏置晶体管的第三端用于向功率放大电路提供偏置电流;第一分流子电路的第一端与偏置子电路中偏置晶体管的第二端耦合,用于分流供电电源端输出的电流;第二分流子电路的第一端与偏置子电路中偏置晶体管的第三端耦合,用于分流偏置晶体管的第三端输出的电流。通过第一分流子电路或第二分流子电路降低向功率放大电路提供的偏置电流,防止功率放大器温度过高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频通信,尤其涉及一种功率放大器及其偏置电路、射频前端模组


技术介绍

1、射频通信系统在通信、导航、射电天文和电子对抗等领域有广泛的应用,功率放大器是射频通信系统中非常关键的模块,主要用于将小功率的射频信号放大,然后通过天线辐射出去,以进行信息通信。功率放大器工作时会发热,一般输出功率越大,发热越严重,当温度过高时,可能导致元器件损坏。


技术实现思路

1、本申请提供了一种功率放大器及其偏置电路、射频前端模组,能够防止功率放大器温度过高。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种功率放大器的偏置电路,所述偏置电路包括:

3、偏置子电路,所述偏置子电路包括偏置晶体管,所述偏置晶体管的第一端与偏置控制端耦合,所述偏置晶体管的第二端与供电电源端耦合,所述偏置晶体管的第三端用于向功率放大电路提供偏置电流;

4、第一分流子电路,所述第一分流子电路的第一端与所述偏置子电路中偏置晶体管的第二端耦合,所述第一分流子电路的第二端接地,所述第一分流子电路用于分流所述供电电源端输出的电流。

5、第二方面,本申请实施例提供了一种功率放大器的偏置电路,所述偏置电路包括:

6、偏置子电路,所述偏置子电路包括偏置晶体管,所述偏置晶体管的第一端与偏置控制端耦合,所述偏置晶体管的第二端与供电电源端耦合,所述偏置晶体管的第三端用于向功率放大电路提供偏置电流;

7、第二分流子电路,所述第二分流子电路的第一端与所述偏置子电路中偏置晶体管的第三端耦合,所述第二分流子电路的第二端接地,所述第二分流子电路用于分流所述偏置晶体管的第三端输出的电流。

8、第三方面,本申请实施例提供了一种功率放大器,包括:功率放大电路和前述的偏置电路,所述偏置电路用于向所述功率放大电路提供偏置电流。

9、第四方面,本申请实施例提供了一种射频前端模组,包括前述的功率放大器的偏置电路,或者包括前述的功率放大器。

10、本申请实施例提供的功率放大器及其偏置电路、射频前端模组,偏置电路包括:偏置子电路,偏置子电路包括偏置晶体管,偏置晶体管的第一端与偏置控制端耦合,偏置晶体管的第二端与供电电源端耦合,偏置晶体管的第三端用于向功率放大电路提供偏置电流;第一分流子电路和/或第二分流子电路,第一分流子电路的第一端与偏置子电路中偏置晶体管的第二端耦合,第一分流子电路的第二端接地,第一分流子电路用于分流供电电源端输出的电流;第二分流子电路的第一端与偏置子电路中偏置晶体管的第三端耦合,第二分流子电路的第二端接地,第二分流子电路用于分流偏置晶体管的第三端输出的电流。通过第一分流子电路和/或第二分流子电路降低向功率放大电路提供的偏置电流,防止功率放大器温度过高。

11、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请实施例的公开内容。

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【技术保护点】

1.一种功率放大器的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括:

2.根据权利要求1所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路被配置为:根据所述功率放大电路的输出功率,切换至连通状态或断开状态。

3.根据权利要求2所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还被配置为:根据所述功率放大电路的输出功率,调节从所述供电电源端分流的电流大小。

4.根据权利要求2所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第一功率阈值时,切换至连通状态。

5.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第一功率阈值时,根据所述输出功率的大小,调节从所述供电电源端分流的电流大小。

6.根据权利要求5所述的偏置电路,其特征在于,所述第一功率阈值大于或等于所述功率放大器的工作模式对应的额定功率。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路包括第一晶体管,所述第一晶体管的控制端用于接收控制信号,以根据所述控制信号控制所述第一晶体管导通或关断。

8.根据权利要求7所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还包括第一电阻电路,所述第一电阻电路与所述第一晶体管串联。

9.根据权利要求7所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路还包括控制电路,所述控制电路与所述第一晶体管的控制端耦合以控制所述第一晶体管导通或关断。

10.根据权利要求9所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路还用于根据所述功率放大电路的输出功率,调节施加至所述第一晶体管的控制端的电压。

11.根据权利要求10所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路至少包括第一初级电感、第一次级电感和第一整流滤波电路;

12.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为PNP型晶体管或P型场效应管,所述控制电路还包括第一电压转换电路;

13.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为NPN型晶体管,所述控制电路还包括第二电压转换电路;

14.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为N型场效应管,所述控制电路还包括第三电压转换电路;

15.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路还包括第四电压转换电路,所述第四电压转换电路用于调节控制施加至所述第一晶体管的控制端上的电压大小。

16.根据权利要求8所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路还包括控制电路,所述控制电路与所述第一电阻电路耦合以控制所述第一电阻电路的阻值。

17.根据权利要求16所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路用于根据所述功率放大电路的输出功率,调节所述第一电阻电路的阻值。

18.根据权利要求7所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还包括第一二极管,所述第一二极管与所述第一晶体管串联。

19.一种功率放大器的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括:

20.根据权利要求19所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括多个所述偏置子电路,其中至少部分所述偏置子电路中偏置晶体管的第三端与各自对应的第二分流子电路的第一端耦合。

21.根据权利要求20所述的偏置电路,其特征在于,其中至少两个所述第二分流子电路各自从对应的所述偏置晶体管分流的电流不同。

22.根据权利要求19所述的偏置电路,其特征在于,所述第二分流子电路被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第二功率阈值时,切换至连通状态。

23.根据权利要求22所述的偏置电路,其特征在于,所述第二分流子电路还被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第二功率阈值时,根据所述输出功率的大小,调节从所述偏置晶体管分流的电流大小。

24.根据权利要求19-23中任一项所述的偏置电路,其特征在于,所述第二分流子电路包括第二晶体管,所述第二晶体管的控制端用于接收控制信号,以根据所述控制信号控制所述第二晶体管导通或关断。

25.根据权利要求24所述的偏置电路,其特征在于,所述第二分流子电路还包括第二电阻电路,所述第二电阻电路与所述第二晶体管串联。

26.根据权利要求25所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路还包括控制电路,所述控制电路与所述第二晶体管的控制端耦合以控制所述第二晶体管导通或关断。

27.根据权利要求26所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路还用于根据所述功率放大电路的输出功率...

【技术特征摘要】

1.一种功率放大器的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括:

2.根据权利要求1所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路被配置为:根据所述功率放大电路的输出功率,切换至连通状态或断开状态。

3.根据权利要求2所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还被配置为:根据所述功率放大电路的输出功率,调节从所述供电电源端分流的电流大小。

4.根据权利要求2所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第一功率阈值时,切换至连通状态。

5.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还被配置为:在所述功率放大电路的输出功率大于第一功率阈值时,根据所述输出功率的大小,调节从所述供电电源端分流的电流大小。

6.根据权利要求5所述的偏置电路,其特征在于,所述第一功率阈值大于或等于所述功率放大器的工作模式对应的额定功率。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路包括第一晶体管,所述第一晶体管的控制端用于接收控制信号,以根据所述控制信号控制所述第一晶体管导通或关断。

8.根据权利要求7所述的偏置电路,其特征在于,所述第一分流子电路还包括第一电阻电路,所述第一电阻电路与所述第一晶体管串联。

9.根据权利要求7所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路还包括控制电路,所述控制电路与所述第一晶体管的控制端耦合以控制所述第一晶体管导通或关断。

10.根据权利要求9所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路还用于根据所述功率放大电路的输出功率,调节施加至所述第一晶体管的控制端的电压。

11.根据权利要求10所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路至少包括第一初级电感、第一次级电感和第一整流滤波电路;

12.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为pnp型晶体管或p型场效应管,所述控制电路还包括第一电压转换电路;

13.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为npn型晶体管,所述控制电路还包括第二电压转换电路;

14.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述第一晶体管为n型场效应管,所述控制电路还包括第三电压转换电路;

15.根据权利要求11所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路还包括第四电压转换电路,所述第四电压转换电路用于调节控制施加至所述第一晶体管的控制端上的电压大小。

16.根据权利要求8所述的偏置电路,其特征在于,所述偏置电路还包括控制电路,所述控制电路与所述第一电阻电路耦合以控制所述第一电阻电路的阻值。

17.根据权利要求16所述的偏置电路,其特征在于,所述控制电路用于根据所述功率放大电路的输出功率,调节所述第一电阻电路的阻值。

【专利技术属性】
技术研发人员:张滔赖晓蕾倪建兴
申请(专利权)人:锐石创芯深圳科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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