【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体外延生长，具体地，涉及一种led结构及发光装置。
技术介绍
1、algan基紫外led(light emitting diode，发光二极管)芯片具有使用便捷、能效高、波长范围广等优点而被广泛关注。紫外led具有无汞污染、波长可控、体积小、耗电低、寿命长等优点，在杀菌消毒、医疗卫生、水与空气净化等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。目前，中波紫外线uvb(280-315nm)和深紫外线uvc(＜280nm)led通常使用c面蓝宝石作为衬底，在其上进一步生长algan量子阱作为活动区域。衬底与量子阱活动区域之间通常生长有一层aln和一层高铝组分n型alzga1-zn。但是，aln层与高铝组分n型alzga1-zn层之间存在晶格常数差异，容易导致aln层与高铝组分n型alzga1-zn层出现裂纹、缺陷向上串延等问题，影响led的发光效率。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种led结构及发光装置，以提高led的发光效率及提升量产表面良率。
2、为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：
3、本申请第一方面提供了一种led结构，包括：aln层；位于所述aln层上的过渡层；位于所述过渡层上的n型alzga1-zn层；位于所述n型alzga1-zn层上的发光层；位于所述发光层上的p型层；所述过渡层由至少一个周期的alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构组成，每个周期包括一层alxga1-xn层与一层alyga1-yn层；其中，0≤x≤
4、在一些实施方式中，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x、y的取值分别为60％≤x≤90％，60％≤y≤90％。
5、在一些实施方式中，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x＞y。
6、在一些实施方式中，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x的取值为80％≤x≤90％，y的取值为60％≤y≤70％。
7、在一些实施方式中，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，alxga1-xn层与alyga1-yn层的浓度恒定。
8、在一些实施方式中，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，每个周期内的alxga1-xn层的厚度与alyga1-yn层的厚度相同。
9、在一些实施方式中，每个周期内的所述alxga1-xn层的厚度与所述alyga1-yn层的厚度均为5-20nm。
10、在一些实施方式中，每个周期的alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构的厚度为10-30nm。
11、在一些实施方式中，所述过渡层的厚度为200-300nm。
12、在一些实施方式中，所述过渡层为非掺杂alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构。
13、在一些实施方式中，还包括：位于所述多量子阱层上的电子阻挡层。
14、在一些实施方式中，所述n型alzga1-zn层中z的取值为0.5<z<1。
15、本申请第二方面提供了一种发光装置，其包括本申请第一方面提供的任意一种led结构。
16、与现有技术相比，本申请的有益效果：
17、本申请提供了一种led结构，其包括在aln层和n型alzga1-zn层之间设置的过渡层。该过渡层由至少一个周期的alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构组成，每个周期包括一层alxga1-xn层与一层alyga1-yn层；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x、y不同时取1。本申请通过设置的过渡层减小了aln层和n型alzga1-zn层之间的晶格常数差异，降低了aln层和n型alzga1-zn层因材料界面应力聚集而产生的龟裂的问题。提升了量产led结构的表面良率，提升了led结构的发光效率及改善led结构的老化光衰。
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1.一种LED结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x、y的取值分别为60％≤x≤90％，60％≤y≤90％。
3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x＞y。
4.如权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中x的取值为80％≤x≤90％，y的取值为60％≤y≤70％。
5.如权利要求4所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中，AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层的浓度恒定。
6.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构中，每个周期内的AlxGa1-xN层的厚度与AlyGa1-yN层的厚度相同。
7.如权利要求6所述的LED结构，其特征在于，每个周期内的所述AlxGa1-xN层的厚度与所述AlyGa1-yN层的
8.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，每个周期的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构的厚度为10-30nm。
9.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述过渡层的厚度为200-300nm。
10.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述过渡层为非掺杂AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格结构。
11.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，还包括：
12.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述n型AlzGa1-zN层中z的取值为0.5<z<1。
13.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括如权利要求1至12任一项所述的LED结构。
...【技术特征摘要】
1.一种led结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x、y的取值分别为60％≤x≤90％，60％≤y≤90％。
3.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x＞y。
4.如权利要求3所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中x的取值为80％≤x≤90％，y的取值为60％≤y≤70％。
5.如权利要求4所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，alxga1-xn层与alyga1-yn层的浓度恒定。
6.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构中，每个周期内的alxga1-xn层的厚度与alyga1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨仲杰，张国华，黄景蜂，蓝永凌，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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