【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1中记载了“n型杂质浓度随着从半导体基板12的上表面(图2的上端的位置)向深的位置前进而上升，在柱区24内成为极大值a1”。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-090917号公报
5、专利文献2：国际公开第2016/030966号
技术实现思路
1、技术问题
2、在形成有接触沟槽部的情况下，优选二极管的稳态损耗vf不增加。
3、技术方案
4、在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：二极管部；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的阳极区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的正面侧的位置；以及沟槽接触部，其在所述二极管部中设置于所述半导体基板的正面，在所述半导体基板的深度方向上，与所述沟槽接触部的底部相同深度处的所述阳极区的掺杂浓度为1e16cm-3以上且1e17cm-3以下。
5、在上述半导体装置中，所述阳极区在所述半导体基板的深度方向上具有所述掺杂浓度的峰，所述沟槽接触部的底部在所述半导体基板的深度方向上可以位于比所述阳极区的掺杂浓度的峰更靠所述正面侧的位置。
6、在上述任一半导体装置中，所述阳极区可以在所述半导体基板的深度方向上的与所述沟槽接触部的所述底部相同的深度处，具有所述掺杂浓度的正的斜率。
7、在上述任一半导体装置中，所述掺杂浓
8、在所述任一半导体装置中，所述阳极区可以具有平坦部，该平坦部在所述半导体基板的深度方向上具有0.6μm以上且3.0μm以下的厚度，且掺杂浓度为1e16cm-3以上且1e17cm-3以下。
9、在上述任一半导体装置中，所述沟槽接触部的下端的深度可以是从所述半导体基板的正面起算为0.3μm以上且0.6μm以下。
10、在上述任一半导体装置中，可以具有第二导电型的二极管插塞区，该二极管插塞区在沟槽的延伸方向上选择性地设置于所述沟槽接触部的底部的下方，且掺杂浓度高于所述阳极区的掺杂浓度。
11、在上述任一半导体装置中，所述二极管部在所述半导体基板的背面具备掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的阴极区，所述阴极区可以包括第一导电型的第一阴极部和第二导电型的第二阴极部。
12、在上述任一半导体装置中，还具备晶体管部，所述晶体管部具有第一导电型的发射区和第二导电型的基区，所述第一导电型的发射区设置于所述漂移区的上方且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述第二导电型的基区设置于所述漂移区的上方，所述阳极区的掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度。
13、在上述任一半导体装置中，在所述半导体基板的深度方向上，所述阳极区的下端可以与所述基区的下端为相同深度。
14、在上述任一半导体装置中，所述阳极区的下端可以在所述半导体基板的深度方向上比所述基区的下端深。
15、在上述任一半导体装置中，在所述晶体管部中，可以具有第二导电型的晶体管插塞区，所述第二导电型的晶体管插塞区在所述沟槽接触部的底部沿沟槽的延伸方向延伸而设置，且掺杂浓度高于所述阳极区的掺杂浓度。
16、在上述任一半导体装置中，在所述晶体管部还具备边界部，所述边界部在所述半导体基板的正面侧具有所述阳极区并且在所述半导体基板的背面侧具有第二导电型的集电区，所述边界部可以具有设置于所述半导体基板的正面的所述沟槽接触部。
17、在上述任一半导体装置中，在所述边界部中，在与所述晶体管部邻接的台面部中，在所述沟槽接触部的底部可以具有沿沟槽的延伸方向延伸而设置的第二导电型的晶体管插塞区，在与所述二极管部邻接的台面部中，在所述沟槽接触部的底部可以具有沿沟槽的延伸方向选择性地设置的第二导电型的二极管插塞区。
18、在上述任一半导体装置中，所述边界部可以具有被设定为与栅极电位不同的电位的一个以上的虚设沟槽部。
19、在本专利技术的第二方式中，提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括在半导体基板形成第一导电型的漂移区的步骤、在比所述漂移区更靠所述半导体基板的正面侧的位置设置第二导电型的阳极区的步骤、以及在所述半导体基板的正面设置沟槽接触部的步骤，在所述半导体基板的深度方向上，与所述沟槽接触部的底部相同的深度处的所述阳极区的掺杂浓度为1e16cm-3以上且1e17cm-3以下。
20、在上述半导体装置的制造方法中，可以还包括通过向所述阳极区的一部分进一步进行离子注入，从而形成掺杂浓度高于所述阳极区的掺杂浓度的第二导电型的基区的步骤。
21、在上述任一半导体装置的制造方法中，形成所述阳极区的步骤可以包括一次或多次注入离子的步骤，所述一次或多次注入离子的步骤中的加速电压可以为100kev以上且650kev以下。
22、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述一次或多次离子注入的步骤可以包括以第一加速电压进行离子注入的步骤和以第二加速电压进行离子注入的步骤，所述第一加速电压可以低于所述第二加速电压，以所述第一加速电压注入的离子的剂量可以比以所述第二加速电压注入的离子的剂量多。
23、应予说明，上述
技术实现思路
并未列举本专利技术的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包
17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
18.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：上村和贵，松井俊之，内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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