【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种微型发光二极管显示芯片。
技术介绍
1、微型发光二极管(microlight-emittingdiode，microled)是一种尺寸单位为微米级的发光元件，具有体积小、寿命长、色彩丰富和功耗低等优点。但是，microled存在发光效率低的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示芯片，解决了microled发光效率低的问题。
2、第一方面，本申请一实施例提供的一种微型发光二极管显示芯片包括：基板；第一反射层，设置于所述基板上；发光结构层，设置于所述第一反射层上；第二反射层，设置于所述发光结构层上；所述发光结构层包括多个阵列排布的led单元，所述led单元包括台阶结构，所述台阶结构使得相邻的所述led单元电隔离并能够独立的被驱动；其中，所述发光结构层与所述第二反射层之间设置有平坦化层，使所述第二反射层具有平整的表面，所述第一反射层的反射率高于所述第二反射层的反射率，所述第一反射层和所述第二反射层形成谐振腔。
3、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，所述平坦化层填充所述发光结构层的间隙，且与所述发光结构层的顶表面齐平共同形成第一平面，其中，所述第二反射层设置于所述第一平面上；或者，所述平坦化层完全覆盖并高于所述发光结构层的顶表面，所述平坦化层远离所述发光结构层的一侧具有第二平面，且所述第二反射层设置于所述第二平面上。
4、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，台阶结构的台阶面形成l
5、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，led单元包括：依次位于所述第一反射层上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；其中，台阶结构形成于第二掺杂型半导体层上，台阶结构的高度不小于第二掺杂型半导体层的厚度，以至少使相邻的led单元的第二掺杂型半导体层电隔离。
6、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，多个led单元具有公共第一掺杂型半导体层。
7、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，台阶结构还形成于有源层和第一掺杂型半导体层上；其中，台阶结构的高度等于led单元的厚度，以使相邻的led单元中的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层电隔离。
8、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，led单元还包括：钝化层和电极层；钝化层覆盖所述led单元的台阶结构，其中，钝化层上设置有第一开口以暴露所述led单元的第二掺杂型半导体层；电极层覆盖第一开口，且与led单元的第二掺杂型半导体层形成电接触。
9、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，基板包括驱动电路，驱动电路包括多个触点，触点位于相邻的led单元之间；钝化层上还设置有第二开口并暴露所述触点，电极层通过第二开口和对应的触点电连接，以利用电极层电连接led单元的第二掺杂型半导体层和对应的触点。
10、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，微型发光二极管显示芯片还包括：键合层，设置于基板和第一反射层之间；其中，所述键合层的材质为au、sn、in、cu和ti中的一种或者多种的合金；或者所述键合层的材质是聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、光刻胶、氢倍半硅氧烷和二乙烯基硅氧烷-双-苯并环丁烯中的一种或多种。
11、结合第一方面，在本申请的一些实现方式中，平坦化层的材料包括以下材料中的任意一种：光刻胶、聚酰亚胺、挡墙胶、苯丙环丁烯、al、ag、sio2、al2o3、zro2、tio2、si3n4和hfo2。
12、第二方面，本申请一实施例提供的一种微型发光二极管显示芯片的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成发光结构层和第一反射层；提供基板；将所述第一反射层与所述基板键合；去除所述衬底，以暴露所述发光结构层；在所述发光结构层上形成多个阵列排布的led单元，led单元包括台阶结构，所述台阶结构使得相邻的所述led单元电隔离并能够独立的被驱动；在所述led单元远离基板的一侧形成平坦化层，在所述平坦化层上形成第二反射层，所述第一反射层的反射率高于所述第二反射层的反射率，所述第一反射层和所述第二反射层形成谐振腔。
13、结合第二方面，在本申请的一些实现方式中，所述在所述发光结构层上形成多个led单元，包括：在所述发光结构层上形成多个台阶结构，所述多个台阶结构将所述发光结构层分隔为多个led单元。
14、结合第二方面，在本申请的一些实现方式中，所述led单元包括：依次位于第一反射层上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；其中，所述在所述发光结构层上形成多个台阶结构，包括：去除位于多个预设区域的第二掺杂型半导体层，以形成所述多个台阶结构；其中，所述台阶结构的高度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度，以至少使相邻的所述led单元中的所述第二掺杂型半导体层电隔离。
15、结合第二方面，在本申请的一些实现方式中，所述在所述发光结构层上形成多个台阶结构，包括：去除位于多个预设区域的第二掺杂型半导体层、有源层和至少部分第一掺杂型半导体层，以形成所述多个台阶结构，以至少使相邻的所述led单元中的所述有源层和所述第二掺杂型半导体层电隔离。
16、结合第二方面，在本申请的一些实现方式中，在所述将所述第一反射层与所述基板键合之前，还包括：在所述第一反射层和/或所述基板上形成键合层；所述将所述第一反射层与所述基板键合包括：通过所述键合层将所述第一反射层与所述基板键合。
17、结合第二方面，在本申请的一些实现方式中，所述基板包括驱动电路，所述驱动电路包括多个触点，所述触点位于相邻的所述led单元之间；其中，在所述去除位于多个预设区域的第二掺杂型半导体层，以形成所述多个台阶结构之后，还包括：在所述第一反射层和所述键合层上的与所述触点对应的位置形成刻蚀孔，以暴露所述触点；在所述led单元的远离所述第一反射层的一侧形成钝化层；在所述钝化层上形成暴露所述第二掺杂型半导体层的第一开口；在所述钝化层上的与所述触点对应的位置形成第二开口，并暴露所述触点；在所述钝化层上形成电极层，所述电极层通过第二开口和对应的触点电连接，以利用电极层电连接led单元的第二掺杂型半导体层和对应的触点。
18、本申请实施例提供的微型发光二极管显示芯片，能够通过谐振腔提高出光准直性和发光效率。另外，平坦化层提高了第二反射层的平整性，进一步提高了谐振腔的谐振效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述平坦化层填充所述发光结构层的间隙且与所述发光结构层的顶表面齐平共同形成第一平面，其中，所述第二反射层设置于所述第一平面上；
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述台阶结构的台阶面形成所述LED单元的发光面，所述第二反射层至少覆盖所述台阶面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述LED单元包括：依次位于所述第一反射层上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述多个LED单元具有公共第一掺杂型半导体层。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述台阶结构还形成于所述有源层和所述第一掺杂型半导体层上；
7.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述LED单元还包括：钝化层和电极层；
8.根据权利要求7所述的微型发光
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述平坦化层的材料包括以下材料中的任意一种：光刻胶、聚酰亚胺、挡墙胶、苯丙环丁烯、Al、Ag、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、Si3N4和HfO2。
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述平坦化层填充所述发光结构层的间隙且与所述发光结构层的顶表面齐平共同形成第一平面，其中，所述第二反射层设置于所述第一平面上；
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述台阶结构的台阶面形成所述led单元的发光面，所述第二反射层至少覆盖所述台阶面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述led单元包括：依次位于所述第一反射层上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示芯片，其特征在于，所述多个led单元具有公共第一掺杂型半导体层。
...【专利技术属性】
技术研发人员：庄永漳，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。