【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及显示的，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)在显示领域的应用越来越广，特别的，小尺寸的micro-led以其超高分辨率和突出的性能成为下一代显示技术的首选。但是，无论是gan系材料的micro-led还是gaas系材料的micro-led，都会由于尺寸效应导致micro-led的光效下降，使得micro-led的发光亮度下降。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管芯片及其制作方法，以提高发光二极管的发光亮度。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片，包括至少一个发光单元；至少一个所述发光单元包括至少两个层叠设置的发光器件；每个所述发光器件包括层叠设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，相邻的两个所述发光器件共用第一半导体层或第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层。
3、可选地，所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；相邻所述发光单元中相邻的两个所述发光器件共用所述第一半导体层或所述第二半导体层。
4、可选地，发光二极管芯片还包括隔离结构；所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；沿所述发光二极管芯片的出光方向，第i个所述发光单元包括奇数个所述发光器件时，第i个所述发光单元与相邻所述发光单元之间设置有所述隔离结构；所述
5、可选地，所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；沿所述发光单元的排列方向，第一个所述发光单元包括奇数个所述发光器件；其他所述发光单元包括偶数个所述发光器件。
6、可选地，同一所述发光单元中的至少两个所述发光器件的发光颜色相同；和/或，
7、所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元时，不同所述发光单元的发光器件的发光颜色不同。
8、可选地，发光二极管芯片还包括多个引出电极；
9、每个所述引出电极与所述第一半导体层或所述第二半导体层连接，至少一个所述引出电极设置于所述发光器件的侧边。
10、可选地，至少一个所述引出电极与所述第一半导体层或所述第二半导体层至少部分环形接触。
11、可选地，所述引出电极包括第一引出电极和至少一个第二引出电极；所述第一引出电极和至少一个所述第二引出电极分别设置于所述发光器件的两侧；所述第一引出电极与所述第一半导体层连接，所述第二引出电极与所述第二半导体层一一对应连接。
12、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种发光二极管芯片的制作方法，包括：
13、在衬底上生长第一层第一半导体层；
14、在所述第一层第一半导体层上生长第一层量子阱层；
15、在所述第一层量子阱层上生长第一层第二半导体层；
16、在所述第一层第二半导体层上生长第二层量子阱层；
17、在所述第二层量子阱层上生长第二层第一半导体层。
18、可选地，在衬底上生长第一层第一半导体层，包括：
19、在所述衬底上设置掩膜版，所述掩膜版暴露所述衬底的芯片区；
20、在所述芯片区生长所述第一层第一半导体层。
21、本专利技术实施例的技术方案，通过设置每个发光单元包括至少两个层叠设置的发光器件，每个发光器件均可以为发光单元提供一定的光效，从而可以增加发光单元的光效，进而提高了发光单元的发光亮度。另外，相邻两个发光器件共用第一半导体层或第二半导体层，从而可以使得相邻两个发光器件共用阳极或阴极，简化了发光单元的膜层结构和工艺流程。另外，当发光二极管芯片包括至少两个发光单元时，不同的发光单元可以采用外延技术堆叠形成，从而可以避免不同的发光单元通过键合工艺进行堆叠，从而在发光二极管芯片应用于显示面板时，减少了键合工艺的次数，进而可以提高显示面板的良率。
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1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括至少一个发光单元；至少一个所述发光单元包括至少两个层叠设置的发光器件；每个所述发光器件包括层叠设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，相邻的两个所述发光器件共用第一半导体层或第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；相邻所述发光单元中相邻的两个所述发光器件共用所述第一半导体层或所述第二半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括隔离结构；所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；沿所述发光二极管芯片的出光方向，第i个所述发光单元包括奇数个所述发光器件时，第i个所述发光单元与相邻所述发光单元之间设置有所述隔离结构；所述隔离结构至少包括第三半导体层和第四半导体层，所述第三半导体层设置在所述发光单元的第一半导体层上，所述第三半导体层和所述第四半导体层为不同类型的半导体层，所述第三半导体层与所述第一半
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；沿所述发光单元的排列方向，第一个所述发光单元包括奇数个所述发光器件；其他所述发光单元包括偶数个所述发光器件。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，同一所述发光单元中的至少两个所述发光器件的发光颜色相同；和/或，
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括多个引出电极；
7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，至少一个所述引出电极与所述第一半导体层或所述第二半导体层至少部分环形接触。
8.根据权利要求6或7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述引出电极包括第一引出电极和至少一个第二引出电极；所述第一引出电极和至少一个所述第二引出电极分别设置于所述发光器件的两侧；所述第一引出电极与所述第一半导体层连接，所述第二引出电极与所述第二半导体层一一对应连接。
9.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在衬底上生长第一层第一半导体层，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括至少一个发光单元；至少一个所述发光单元包括至少两个层叠设置的发光器件；每个所述发光器件包括层叠设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，相邻的两个所述发光器件共用第一半导体层或第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；相邻所述发光单元中相邻的两个所述发光器件共用所述第一半导体层或所述第二半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括隔离结构；所述发光二极管芯片包括至少两个所述发光单元，至少两个所述发光单元层叠设置；沿所述发光二极管芯片的出光方向，第i个所述发光单元包括奇数个所述发光器件时，第i个所述发光单元与相邻所述发光单元之间设置有所述隔离结构；所述隔离结构至少包括第三半导体层和第四半导体层，所述第三半导体层设置在所述发光单元的第一半导体层上，所述第三半导体层和所述第四半导体层为不同类型的半导体层，所述第三半导体层与所述第一半导体层的类型不同；其中，i为大于1的整数。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：李军帅，杨军，谢海忠，孔玮，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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