【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及一种电子装置封装和其制造方法。
技术介绍
1、在电子装置封装中，有机介电材料用作底部填充剂层或介电层以在重新分布层(redistribution layer,rdl)上方和例如导电凸块或其类似物的互连件(interconnector)周围提供保护。然而，有机材料的保护在高于其玻璃转变温度的高温下劣化，且应力可能损坏rdl。
技术实现思路
1、在一些实施例中，电子装置封装包含rdl、第一电子组件和安置在rdl与第一电子组件之间的互连件。互连件沿着一方向倾斜。
2、在一些实施例中，电子装置封装包含rdl、第一电子组件和互连件。rdl包含最顶部电路层，且最顶部电路层包括导电迹线。第一电子组件安置在rdl上方。互连件安置在rdl与第一电子组件之间。通过从第一电子组件的中心朝向第一电子组件的边缘延伸来界定方向，且方向穿透互连件的第一侧壁和第二侧壁，第二侧壁比第一侧壁距第一电子组件的中心更远，且导电迹线在第二侧壁的投影区外部。
【技术保护点】
1.一种电子装置封装，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述互连件的侧壁与所述RDL的上部表面具有小于90度的夹角，所述互连件包含底部表面，所述互连件的所述侧壁和所述底部表面包含相交部分，且所述RDL包含在由所述相交部分投影的区外部的最顶部电路层。
3.根据权利要求2所述的电子装置封装，其中所述最顶部电路层在由所述互连件的所述侧壁投影的区外部。
4.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述RDL包括第一介电层、所述第一介电层下方的导电迹线、所述导电迹线下方的第二介电层，其中所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。
5.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述方向大体上从所述第一电子组件的中心朝向所述第一电子组件的边缘延伸，且所述方向穿透所述互连件。
6.根据权利要求5所述的电子装置封装，其中第一假想切线由所述第一电子组件的所述中心和所述互连件的周长的第一点界定，且第二假想切线由所述第一电子组件的所述中心和所述互连件的所述周长的第二点界定，且所述方向大体上在从所述互连件的中心朝向所述第一点延伸的
7.根据权利要求6所述的电子装置封装，其中所述RDL包含最顶部电路层，所述最顶部电路层在从所述第一边界到所述第二边界所界定的区外部。
8.根据权利要求1所述的电子装置封装，其进一步包括安置在所述RDL上的第二电子组件，其中所述方向朝向所述第二电子组件。
9.根据权利要求8所述的电子装置封装，其进一步包括安置在所述第一电子组件的边缘与所述第二电子组件的边缘之间的间隙中的底部填充剂层。
10.根据权利要求9所述的电子装置封装，其进一步包括包封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述底部填充剂层的包封层。
11.根据权利要求2所述的电子装置封装，其进一步包括底部填充剂层，其中所述RDL包括安置在所述最顶部电路层上的第一介电层，所述底部填充剂层安置在所述第一电子组件与所述RDL的所述第一介电层之间，且所述第一介电层的杨氏模量小于所述底部填充剂层的杨氏模量。
12.根据权利要求3所述的电子装置封装，其中所述RDL包括接触所述互连件的第一介电层，所述第一介电层包含在由所述互连件的所述侧壁投影的所述区中的凹陷部分，且所述凹陷部分低于所述第一介电层的上部表面。
13.根据权利要求12所述的电子装置封装，其中所述凹陷部分包含弯曲表面。
14.根据权利要求12所述的电子装置封装，其中所述第一介电层进一步包含在由所述互连件的所述侧壁投影的所述区外部的突出部分，且所述突出部分高于所述第一介电层的所述上部表面。
15.一种电子装置封装，其包括：
16.根据权利要求15所述的电子装置封装，其中所述RDL包括最顶部介电层，所述互连件沿着所述方向倾斜，且所述互连件的所述第二侧壁与所述最顶部介电层的上部表面具有小于90度的夹角。
17.根据权利要求16所述的电子装置封装，其中所述最顶部介电层的所述上部表面包含所述投影区下方的凹陷部分。
18.根据权利要求17所述的电子装置封装，其中所述凹陷部分包含弯曲表面。
19.根据权利要求18所述电子装置封装，其中所述最顶部介电层进一步包含所述投影区外部的突出部分，且所述突出部分高于所述最顶部介电层的所述上部表面。
20.根据权利要求16所述的电子装置封装，其进一步包括安置在所述RDL上的第二电子组件，其中所述方向朝向所述第二电子组件。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置封装，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述互连件的侧壁与所述rdl的上部表面具有小于90度的夹角，所述互连件包含底部表面，所述互连件的所述侧壁和所述底部表面包含相交部分，且所述rdl包含在由所述相交部分投影的区外部的最顶部电路层。
3.根据权利要求2所述的电子装置封装，其中所述最顶部电路层在由所述互连件的所述侧壁投影的区外部。
4.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述rdl包括第一介电层、所述第一介电层下方的导电迹线、所述导电迹线下方的第二介电层，其中所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。
5.根据权利要求1所述的电子装置封装，其中所述方向大体上从所述第一电子组件的中心朝向所述第一电子组件的边缘延伸，且所述方向穿透所述互连件。
6.根据权利要求5所述的电子装置封装，其中第一假想切线由所述第一电子组件的所述中心和所述互连件的周长的第一点界定，且第二假想切线由所述第一电子组件的所述中心和所述互连件的所述周长的第二点界定，且所述方向大体上在从所述互连件的中心朝向所述第一点延伸的第一边界与从所述互连件的所述中心朝向所述第二点延伸的第二边界之间的范围内。
7.根据权利要求6所述的电子装置封装，其中所述rdl包含最顶部电路层，所述最顶部电路层在从所述第一边界到所述第二边界所界定的区外部。
8.根据权利要求1所述的电子装置封装，其进一步包括安置在所述rdl上的第二电子组件，其中所述方向朝向所述第二电子组件。
9.根据权利要求8所述的电子装置封装，其进一步包括安置在所述第一电子组件的边缘与所述第二电子组件的边缘之间的间隙中的底部填充剂层。
10.根据权利要求9所述的电子装置封装，其进一步包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖仲航，高金利，黄志亿，李德章，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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