【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池，因其隧穿层独特的隧穿特性能够显著降低电子与空穴的复合，可以显著增加电池，尤其是双面poly电池的开路电压和电流密度。
2、然而，目前双面poly结构电池的电池效率仍然较低，究其原因，制约双面poly电池效率进一步提升的主要因素是无论正结太阳能电池，还是背结太阳能电池中的掺杂多晶硅层具有较高的寄生吸收现象，从而导致其电流密度较低，进而降低了电池的电池效率。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够降低寄生吸收现象，提升电池效率的晶体硅太阳能电池及其制备方法和应用。
2、第一方面，本申请提供一种晶体硅太阳能电池，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；
3、所述第一掺杂多晶硅层的表面设置有第三掺杂多晶硅层；和/或，所述第二掺杂多晶硅层的表面设置有第四掺杂多晶硅层；
4、所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层、所述第三掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层与所述基底层的极性相同或相反，且所述第三掺杂多晶硅层掺杂有第一元素，所述第四掺杂多晶硅层掺杂有第二元素，所述第一元素和所述第二元素分别独立地选自碳元素或氧元素。
5、在一些实施方式中，所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层之间还设置有第三隧穿层；
7、可选地，所述第三隧穿层的材质为sio2。
8、在一些实施方式中，所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层之间还设置有第四隧穿层；
9、可选地，所述第四隧穿层的厚度为1nm～2nm；
10、可选地，所述第四隧穿层的材质为sio2。
11、在一些实施方式中，所述晶体硅太阳能电池，满足以下特征中的至少一项：
12、1)所述第一隧穿层和所述第二隧穿层的厚度分别独立地为1nm～2nm；
13、2)所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层、所述第三掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层的厚度分别独立地为50nm～200nm；
14、3)所述第一隧穿层和所述第二隧穿层的材质均为sio2。
15、在一些实施方式中，在所述第三掺杂多晶硅层中，所述第一元素的质量浓度为1％～5％；
16、在所述第四掺杂多晶硅层中，所述第二元素的质量浓度为1％～5％。
17、在一些实施方式中，所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层、所述第三掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层均包含第三元素，所述第三元素包含n型元素或p型元素。
18、在一些实施方式中，所述第三掺杂多晶硅层背离所述第一掺杂多晶硅层的表面设有第一钝化层；
19、所述第四掺杂多晶硅层的背离所述第二掺杂多晶硅层的表面设有第二钝化层。
20、在一些实施方式中，所述晶体硅太阳能电池，满足以下特征中的至少一项：
21、1)所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质为sinx；
22、2)所述第一钝化层和所述第二钝化层的厚度分别独立地为70nm～80nm。
23、在一些实施方式中，所述第一钝化层和所述第二钝化层上均设置有电极。
24、第二方面，本申请提供一种如第一方面所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
25、在所述基底层的正面依次形成所述第一隧穿层、所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层，在所述基底层的背面依次形成所述第二隧穿层、所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层，制备所述晶体硅太阳能电池。
26、在一些实施方式中，所述制备方法还包括：
27、在所述第三掺杂多晶硅层背离所述第一掺杂多晶硅层的表面沉积第一钝化层，在所述第四掺杂多晶硅层背离所述第二掺杂多晶硅层的表面沉积第二钝化层。
28、第三方面，本申请提供一种电池组件，包括第一方面所述的晶体硅太阳能电池。
29、本申请提供的晶体硅太阳能电池，在基体层的正面和/或背面设置包含碳元素和/或氧元素的掺杂层，在确保电池钝化性能的同时，可以降低寄生吸收，提高了电池效率，满足双面poly结构的电池的需求。其中，通过掺杂碳元素可以增强电池对于短波段光线的吸收能力，从而降低寄生电流。而且c-h键强高于si-h键，掺杂碳元素可以避免第三掺杂多晶硅层形成过程中发生的h溢出而导致的爆膜现象，最大程度保证其工艺稳定性；氧元素可以达到提升电池对长波段光的吸收能力，进而达到减少寄生吸收，提升电池的电流密度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层之间还设置有第三隧穿层；
3.如权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层之间还设置有第四隧穿层；
4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，满足以下特征中的至少一项：
5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，在所述第三掺杂多晶硅层中，所述第一元素的质量浓度为1％～5％；
6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层、所述第三掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层均包含第三元素，所述第三元素包含n型元素或p型元素。
7.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第三掺杂多晶硅层背离所述第一掺杂多晶硅层的表面设有第一钝化层；>
8.如权利要求7所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，满足以下特征中的至少一项：
9.如权利要求7或8所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层上均设置有电极。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括：
12.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的晶体硅太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：基底层；所述基底层的正面依次设置有第一隧穿层和第一掺杂多晶硅层，所述基底层的背面依次设置有第二隧穿层和第二掺杂多晶硅层；
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层之间还设置有第三隧穿层；
3.如权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层和所述第四掺杂多晶硅层之间还设置有第四隧穿层；
4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，满足以下特征中的至少一项：
5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，在所述第三掺杂多晶硅层中，所述第一元素的质量浓度为1％～5％；
6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，王昭，韩秉伦，王子港，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。