【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种掩膜版清洗方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，对半导体制造的工艺技术的要求越来越高。在半导体制造工艺中，掩膜版随着工艺节点的提升成本越来越高，制作难度越来越大。提高掩膜版的成品良率就变成一个越发重要的课题。。
2、在制作过程中掩膜版上的污染物颗粒成为影响成品率的重要原因，因此，掩膜版的清洗工艺至关重要。目前，常规的掩模版的清洗工艺主要使用化学药剂处理搭配超声波震荡的方式进行清洗。这种方式虽然可以把大部分的污染物颗粒去除，但是部分污染物通过正常清洗无法完全去除的情况也经常发生。这样存有污染物的掩膜版是不能够正常使用的，从而影响良率，而如果加强化学药剂处理或超声波能量来提高清洗能力，则会加大对掩模版本身材质和图形的破坏，也会提高产品报废的风险。
3、因此，如何在保证掩膜版质量的前提下，提高掩膜版的清洗效果，就成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例解决的技术问题是如何在保证掩膜版质量的前提下，提高掩膜版的清洗效果。
2、为解决上述问题，本申请实施例提供一种掩膜版清洗方法，包括：
3、获取清洗掩膜版的清洗制程，所述清洗制程包括各个清洗试剂的清洗顺序、清洗温度和单次清洗时间，所述清洗顺序能够使相邻各所述清洗试剂的清洗温度的温度差满足温度差阈值，所述清洗温度的交替次数满足次数阈值，所述单次清洗时间满足所述清洗试剂的时间阈值；
4、根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成
5、可选地，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的高温清洗试剂和低温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：
6、利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
7、当所述高温清洗试剂的清洗时间，达到所述高温清洗试剂的所述单次清洗时间，且未达到所述清洗温度的交替次数时，更换所述低温清洗试剂；
8、利用所述低温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
9、当所述低温清洗试剂的清洗时间，达到所述低温清洗试剂的所述单次清洗时间，且未达到所述清洗温度的交替次数时，更换所述高温清洗试剂，直至达到所述清洗温度的交替次数，完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗。
10、可选地，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的低温清洗试剂和高温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：
11、利用所述低温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
12、当所述低温清洗试剂的清洗时间，达到所述低温清洗试剂的所述单次清洗时间，且未达到所述清洗温度的交替次数时，更换所述高温清洗试剂；
13、利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
14、当所述高温清洗试剂的清洗时间，达到所述高温清洗试剂的所述单次清洗时间，且未达到所述清洗温度的交替次数时，更换所述低温清洗试剂，直至达到所述清洗温度的交替次数，完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗。
15、可选地，所述高温清洗试剂包括化学品清洗试剂，所述低温清洗试剂包括化学品清洗试剂或去离子水清洗试剂。
16、可选地，所述高温清洗试剂包括去离子水清洗试剂，所述低温清洗试剂包括化学品清洗试剂或去离子水清洗试剂。
17、如前述任一项实施例所述的掩膜版清洗方法，可选地，适用于旋转式清洗平台。
18、如前述任一项实施例所述的掩膜版清洗方法，可选地，适用于浸泡式清洗平台。
19、可选地，所述次数阈值大于等于2。
20、可选地，所述温度差阈值的范围为50℃-140℃。
21、与现有技术相比，本申请实施例的技术方案具有以下优点：
22、在本申请实施例提供的一种掩膜版清洗方法中，通过首先获取清洗掩膜版的清洗制程，所述清洗制程包括各个清洗试剂的清洗顺序、清洗温度和单次清洗时间，所述清洗顺序能够使相邻各所述清洗试剂的清洗温度的温度差满足温度差阈值，所述清洗温度的交替次数满足次数阈值，所述单次清洗时间满足所述清洗试剂的时间阈值；然后根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗。
23、可以看出，本申请实施例所提供的掩膜版清洗方法，通过根据获取的清洗制程，在各个具有温度差的清洗试剂中，按照清洗制程中确定的清洗顺序，依次根据各个清洗试剂对应的单次清洗时间使用对应的清洗试剂清洗掩膜版，最终完成所述掩膜版的清洗，也使得清洗过程中清洗温度的交替次数满足次数阈值。
24、可以看出，本申请实施例所提供掩膜版清洗方法，通过在具有温度差的各个清洗试剂中，使用对应清洗顺序的清洗试剂清洗掩膜版，可以实现掩膜版和污染物在不同温度下的热胀冷缩程度提高去除污染物的几率，由于掩膜版和污染物的材料不同，热膨胀系数不同，热胀冷缩的程度也就不同，当在交替的不同清洗温度环境中清洗时，可以利用清洗试剂的清洗温度的高低温变化，实现改变需要清洗的掩膜版上附着物的附着力度，从而可以提高各个清洗温度中清洗试剂的清洗效果，且不会对掩膜版的材质和掩膜版上的图形造成破坏，可以实现在保证掩膜版质量的前提下，提高掩膜版的清洗效果。
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1.一种掩膜版清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的高温清洗试剂和低温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
3.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的低温清洗试剂和高温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述低温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
4.如权利要求2所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述高温清洗试剂包括化学品清洗试剂，所述低温清洗试剂包括化学品清洗试剂或去离子水清洗试剂。
5.如权利要求2所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述高温清洗试剂包括去离子水清洗试剂，所述低温清洗试剂包括化学品清洗试剂或去离子水清洗试剂。
6.如权利要求1-5任一
7.如权利要求1-5任一项所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，适用于浸泡式清洗平台。
8.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述次数阈值大于等于2。
9.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述温度差阈值的范围为50℃-140℃。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜版清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的高温清洗试剂和低温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述高温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
3.如权利要求1所述的掩膜版清洗方法，其特征在于，所述清洗制程的清洗试剂包括清洗顺序相邻的低温清洗试剂和高温清洗试剂，二者的清洗温度的温度差满足所述温度差阈值，所述根据所述清洗制程清洗所述掩膜版，直至完成所述清洗制程，完成所述掩膜版的清洗的步骤包括：利用所述低温清洗试剂，清洗所述掩膜版；
4.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，凌文君，秦学飞，黄达，卢聪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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