【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件加工领域，尤其是晶圆减薄方法、晶圆减薄阶段测厚方法、系统及减薄设备。
技术介绍
1、晶圆减薄时晶圆加工中的重要过程。随着企业对产线的加工效率的要求越来越高。在晶圆减薄时，多片同时减薄时期望得到的。
2、而在晶圆减薄过程中，需要通过如申请公布号为cn116805572a的中国专利技术专利中所揭示的测量机构来实现晶圆的测厚，和现有技术一样，在多片晶圆同时减薄时，同样是使第一测头保持打在晶圆上的状态进行实时测高，这样就造成相邻晶圆之间的间隙会移动到第一测头处，而当第一测头划过一片晶圆之间的间隙需要打到下一片晶圆时，由于晶圆的顶面和承片台的顶面具有一定的高度差，因此，第一测头很可能出现磕坏晶圆的情况，尤其是在晶圆的厚度较薄时，磕坏的风险更大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种晶圆减薄方法、晶圆减薄阶段测厚方法、系统及减薄设备。
2、本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：
3、晶圆减薄方法，分多个阶段进行多片呈圆形分布且绕分度台的轴线公转的晶圆的减薄，在每个阶段中，按照如下过程确定每个晶圆的厚度：
4、s1,在研磨机构进行一个阶段的研磨过程中，持续判断研磨机构的主轴是否下移该阶段需要下移的距离；
5、s2,在确定主轴已下移该阶段需要下移的距离时，控制主轴上抬并使分度台停止自转，使测厚组件下移对第一片晶圆进行测厚,完成测厚后，所述测厚组件上抬；
6、
7、s4,确定是否所有晶圆都完成测厚，若否，则执行s3;若是，则执行s5;
8、s5,将测得的多个厚度中的最大值作为该阶段完成时各晶圆的厚度。
9、优选的，在每个阶段中，当主轴下方的磨轮与晶圆接触后，使主轴进给速度控制在0.1微米/秒-0.3微米/秒之间。
10、优选的，所述s2中，所述分度台停止时，所述分度台上的一个晶圆与所述测厚组件的第一测头共轴；
11、所述s3中，所述分度台转动的角度为360°/n,其中n为分度台上的晶圆的数量。
12、优选的，在所述测厚组件下移至第一测头与一晶圆接触后，所述分度台开始转动，在所述分度台转动至所述第一测头处于该晶圆的外侧之前，所述测厚组件抬高，获取所述测厚组件在所述第一测头与该晶圆接触期间测得的至少两个厚度，计算获取的厚度的最大值与最小值的差值，确定求出的所述差值是否在第一差值阈值范围内，若是，则确定所述多个厚度的平均值作为该晶圆在对应阶段完成时测得的厚度，若否，则报警提醒人工处理。
13、优选的，所述s5中，确定测得的相邻两片晶圆的厚度的差值是否在第二差值阈值范围内，若是，则将测得的多个厚度中的最大值作为该阶段完成时各晶圆的厚度，若否，则报警提醒人工处理。
14、优选的，在一个阶段完成时，根据该阶段完成时确定的晶圆厚度、主轴下移的距离及下一阶段晶圆要研磨到的厚度计算得到所述下一个阶段主轴需要下移的距离。
15、优选的，在每个阶段后，根据所述晶圆在该阶段后的理论厚度及实际测得的晶圆厚度计算出磨轮的磨损量。
16、晶圆减薄阶段测厚方法，包括如下步骤：
17、s1,在研磨机构进行一个阶段的研磨过程中，持续判断研磨机构的主轴是否下移该阶段需要下移的距离；
18、s2,在确定主轴已下移该阶段需要下移的距离时，控制主轴上抬并使分度台停止自转，使测厚组件下移对第一片晶圆进行测厚,完成测厚后，所述测厚组件上抬；
19、s3,使下一片晶圆转动到所述测厚组件的下方；所述测厚组件下移对所述下一片晶圆进行测厚，完成测厚后，所述测厚组件上抬；
20、s4,确定是否所有晶圆都完成测厚，若否，则执行s3;若是，则执行s5;
21、s5,将测得的多个厚度中的最大值作为该阶段完成时各晶圆的厚度。
22、多片晶圆减薄阶段测厚系统，包括
23、主轴到位判断单元,用于在研磨机构进行一个阶段的研磨过程中，持续判断研磨机构的主轴是否下移该阶段需要下移的距离；
24、测厚单元,用于在确定主轴已下移该阶段需要下移的距离时，控制主轴上抬并使分度台停止自转，使测厚组件下移对第一片晶圆进行测厚,完成测厚后，所述测厚组件上抬；
25、重复判断单元,用于使下一片晶圆转动到所述测厚组件的下方；所述测厚组件下移对所述下一片晶圆进行测厚，完成测厚后，所述测厚组件上抬；
26、测厚完成确定单元,用于确定是否所有晶圆都完成测厚；若否，则发信号给重复判断单元;若是，则发信号给厚度确定单元;
27、厚度确定单元,用于将测得的多个厚度中的最大值作为该阶段完成时各晶圆的厚度。
28、减薄装置，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序，所述程序被执行时实现如上任一所述的晶圆减薄方法或如上所述的晶圆减薄阶段测厚方法。
29、本专利技术技术方案的优点主要体现在：
30、本专利技术改变了现有技术采用连续研磨，实时连续测厚的加工方式，采用了分阶段的加工方式，从而在每个阶段加工时，可以不进行晶圆厚度的检测，而在每个阶段后，通过测厚装置进行多片晶圆的测厚，有效避免了实时连续测厚存在磕坏晶圆的问题，实现了高效和高质量的有效兼容。
31、本专利技术在一个阶段后，测得多片晶圆的厚度时，选择最大值，有利于更准确地确定下一阶段主轴需要下移的距离，这样能够避免磨轮磨损造成的主轴控制误差，有利于提高主轴控制精度和加工效率。
32、本专利技术在每个阶段后获得多个晶圆的厚度时，判断相邻两个晶圆的厚度的差值是否符合阈值，能够有效地识别出异常数据，从而提高检测精度。
33、本专利技术在每个阶段后对每个晶圆进行测厚时，测量多个数据并确定差值，能够有效地保证获取数据的精度，并以平均值作为该晶圆的厚度值，有利于保证单个晶圆厚度数据的准确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.晶圆减薄方法，其特征在于，分多个阶段进行多片呈圆形分布且绕分度台的轴线公转的晶圆的减薄，在每个阶段中，按照如下过程确定每个晶圆的厚度：
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在每个阶段中，当主轴下方的磨轮与晶圆接触后，使主轴进给速度控制在0.1微米/秒-0.3微米/秒之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在所述测厚组件下移至第一测头与一晶圆接触后，所述分度台开始转动，在所述分度台转动至所述第一测头处于该晶圆的外侧之前，所述测厚组件抬高，获取所述测厚组件在所述第一测头与该晶圆接触期间测得的至少两个厚度，计算获取的厚度的最大值与最小值的差值，确定求出的所述差值是否在第一差值阈值范围内，若是，则确定所述多个厚度的平均值作为该晶圆在对应阶段完成时测得的厚度，若否，则报警提醒人工处理。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：所述S5中，确定测得的相邻两片晶圆的厚度的差值是否在第二差值阈值范围内，若是，则将测得的多个厚度中的最大值作为该阶段完成时
6.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在一个阶段完成时，根据该阶段完成时确定的晶圆厚度、主轴下移的距离及下一阶段晶圆要研磨到的厚度计算得到下一个阶段主轴需要下移的距离。
7.根据权利要求1-6任一所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在每个阶段后，根据所述晶圆在该阶段后的理论厚度及实际测得的晶圆厚度计算出磨轮的磨损量。
8.晶圆减薄阶段测厚方法，其特征在于，包括如下步骤：
9.多片晶圆减薄阶段测厚系统，其特征在于，包括：
10.减薄装置，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序，其特征在于：所述程序被执行时实现如权利要求1-7任一所述的晶圆减薄方法或如权利要求8所述的晶圆减薄阶段测厚方法。
...【技术特征摘要】
1.晶圆减薄方法，其特征在于，分多个阶段进行多片呈圆形分布且绕分度台的轴线公转的晶圆的减薄，在每个阶段中，按照如下过程确定每个晶圆的厚度：
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在每个阶段中，当主轴下方的磨轮与晶圆接触后，使主轴进给速度控制在0.1微米/秒-0.3微米/秒之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄方法，其特征在于：在所述测厚组件下移至第一测头与一晶圆接触后，所述分度台开始转动，在所述分度台转动至所述第一测头处于该晶圆的外侧之前，所述测厚组件抬高，获取所述测厚组件在所述第一测头与该晶圆接触期间测得的至少两个厚度，计算获取的厚度的最大值与最小值的差值，确定求出的所述差值是否在第一差值阈值范围内，若是，则确定所述多个厚度的平均值作为该晶圆在对应阶段完成时测得的厚度，若否，则报警提醒人工处理。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文豪，周旭平，童永娟，赵杰，赵锋，孙志超，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。