【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电阻器生产，具体涉及一种高精度片式热敏电阻器及其制造方法。
技术介绍
1、热敏电阻(热敏感电阻)是随着温度变化电阻变现出相应巨大变化的陶瓷半导体。由于热敏电阻的灵敏性、精确性和稳定性，通常热敏电阻在许多应用中都作为最有优势的传感器，这些应用包括温度测量、补偿和控制。
2、热敏电阻的最重要特性是具有极高的电阻温度系数和相对温度特性的极为精确的电阻。在操作温度范围内，这种对温度变化的敏感性能导致热敏电阻的电阻值产生一千万到一的变化。但是目前印刷型热敏电阻精度为±5％，已无法满足市场对该产品高精度的需求。
技术实现思路
1、针对现有技术中所存在的不足，本专利技术的目的是提出一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。
2、本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，该方法包括以下步骤，
4、s1：在基板的下表面印刷电极材料，形成若干个相互间隔且互不连接的背面电极，其中，所述基板具有多个折粒单元，在每个折粒单元上，所述背面电极分别间隔设置在所述折粒单元的下表面相对两侧；
5、s2：在所述基板的上表面印刷电极材料，然后烧结形成第一正电极层，其中，在每个折粒单元上，所述第一正电极层包括间隔设置在相对两侧的左电极和右电极；
6、s3：在所述第一正电极层的中间印刷电阻材料，然后烧结形成第一电阻层，所述第一电阻层的一端延伸至部分覆盖所述左电极的上表面，第一电阻
7、s4：在所述第一电阻层上再次印刷电阻材料，然后烧结形成第二电阻层，所述第二电阻层覆盖于所述第一电阻层的上表面；
8、s5：在所述第二电阻层上印刷电极材料，然后烧结形成第二正电极层，其中，所述第二正电极层部分覆盖所述第二电阻层且未与所述第一正电极层搭接；
9、s6：在所述第二正电极层上印刷绝缘材料，然后烧结形成第一保护层，其中，所述第一保护层完全覆盖并熔结于所述第二电阻层，且两端分别延伸至覆盖所述左电极和所述右电极；
10、s7：将s6得到的产品进行镭射修阻处理，待产品达到设定阻值后停止；
11、s8：在第一保护层上印刷绝缘材料，然后烧结形成第二保护层，其中，所述第二保护层完全覆盖并熔结于所述第一保护层；
12、s9：将s8得到的产品进行热处理；
13、s10：在所述第一正电极层未被步骤s3中第一电阻层所覆盖的上表面印刷电极材料，然后烧结形成第三正电极层；
14、s11：对s10烧结得到产品进行第一分离操作，得到多根条状半成品，对所述条状半成品的侧面进行真空溅射，形成侧面电极，所述侧面电极向两端延伸以连接所述第一正电极层、第三正电极层和所述背面电极；
15、s12：对s11得到的产品进行第二分离操作，得到多个颗粒状半成品，每个所述颗粒状半成品对应一所述折粒单元，对所述颗粒状半成品进行电镀处理，得到高精度片式热敏电阻器。
16、进一步的，步骤s7中，所述镭射修阻包括：
17、s701：对步骤s6中所得到的产品进行电阻阻值的测量；
18、s702：所测量得出的阻值传输至矩阵数据库中进行比对并计算得出差额阻值；
19、s703：通过镭射修阻将差额阻值剔除，并返回步骤s701，直至所测量得出的阻值与矩阵数据库中设定阻值相等后停止返回步骤s701。
20、进一步的，步骤s701中，将产品放置于油槽中保持恒温，并通过电桥对产品阻值进行测量，测量完成后再通过超声波清洗风干即对产品进行清洗和风干。
21、进一步的，步骤s7中，所述镭射修阻光源采用冷光源或半冷光源；
22、进一步的，步骤s12中，通过电镀处理，使所述侧面电极依次覆盖镍层和锡层，并通过着磁以剔除不良的高精度片式热敏电阻器。
23、进一步的，步骤s6中，烧结温度为600°～700°。
24、进一步的，步骤s9中，对步骤s8烧结后的产品常温放置4h～12h后，进行220℃～280℃范围内的烧结。
25、进一步的，所述第三正电极层填充于所述侧面电极和所述第一保护层之间。
26、进一步的，在步骤s12后还包括步骤s13，
27、步骤s13：通过控制环境温度范围在24°～26°范围内，对所述高精度片式热敏电阻器进行检测，检测合格后将其包装在编带中，并将编带盘入卷盘。
28、一种高精度片式热敏电阻器，根据上述任意一项所述的制造方法制得，所述高精度片式热敏电阻器的电阻值r为：5ω≤r≤2mω。
29、本专利技术通过上述方法得到的高精度片式热敏电阻器，在基板上形成一对背面电极、第一正电极层、第一电阻层、第二电阻层、第二正电极层、第一保护层、第二保护层、侧面电极、背面电极和第三正电极层，通过上述设计得到的高精度片式热敏电阻器，在第一正面电极的上表面上覆盖有部分覆盖电阻层，保护层和侧面电极之间填充第三正电极层，通过镭射修阻处理保证热敏电阻器的电阻阻值精度，阻值精度可以达到±0.5％以下。
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1.一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S7中，所述镭射修阻包括：
3.根据权利要求2所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S701中，将产品放置于油槽中保持恒温，并通过电桥对产品阻值进行测量，测量完成后再通过超声波清洗风干即对产品进行清洗和风干。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S7中，所述镭射修阻光源采用冷光源或半冷光源。
5.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S12中，通过电镀处理，使所述侧面电极依次覆盖镍层和锡层，并通过着磁以剔除不良的高精度片式热敏电阻器。
6.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S6中，烧结温度为600°～700°。
7.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤S9中，对步骤S8烧结后的产品常温放
8.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：所述第三正电极层填充于所述侧面电极和所述第一保护层之间。
9.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：在步骤S12后还包括步骤S13，
10.一种高精度片式热敏电阻器，其特征在于：根据权利要求1至9任意一项所述的制造方法制得，所述高精度片式热敏电阻器的电阻值R为：5Ω≤R≤2MΩ。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤s7中，所述镭射修阻包括：
3.根据权利要求2所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤s701中，将产品放置于油槽中保持恒温，并通过电桥对产品阻值进行测量，测量完成后再通过超声波清洗风干即对产品进行清洗和风干。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤s7中，所述镭射修阻光源采用冷光源或半冷光源。
5.根据权利要求1所述的一种高精度片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：步骤s12中，通过电镀处理，使所述侧面电极依次覆盖镍层和锡层，并通过着磁以剔除不良的高精度片式热敏电...
【专利技术属性】
技术研发人员：程东东，施如峯，陈东凯，王明生，吴桂林，
申请(专利权)人：翔声科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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