【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功能陶瓷领域，本专利技术涉及一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法。
技术介绍
1、随着功率器件的不断发展，越来越向着小型化、集成化的方向发展，其中的陶瓷覆铜基板提出了更高要求。陶瓷由于其高抗弯强度、强断裂韧性、低热膨胀系数等优异性能受到了广泛关注。
2、但目前在实现陶瓷与金属的连接时，当陶瓷与铜直接结合时，存在不少问题，由于陶瓷大多是离子键或共价键组成的化合物，而铜由金属键组成，二者润湿性较差；而且陶瓷与金属铜的热膨胀系数相差大，通过钎焊高温(>1200℃)连接陶瓷与金属铜时，在降温过程中界面连接处会产生较大的残余应力，大大降低了结合强度和使用寿命。针对制备困难的问题，可以通过陶瓷表面金属化或添加活性金属元素作为过渡层，在界面发生化学反应生成新的化合物来解决。但这两种方法都需要在陶瓷与金属中间添加过渡层来实现结合，步骤比较繁琐，成本较高且结合强度不高。
技术实现思路
1、为克服现有技术的不足，本专利技术提供一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法。以解决上述问题，利用陶瓷表面激光改性的手段；不需要借助其他材料就可以与金属直接结合制备出陶瓷基板。不需要添加活性金属焊料，减少成本，且通过限定的具体条件下形成了新的物质。从而实现陶瓷与金属铜的紧密结合，具有良好的热稳定性，在同等工艺下远高于现有技术。
2、本专利技术的上述目的是通过以下技术方案实现的：
3、一种复合金属陶瓷基板，包括陶瓷基体和铜箔，陶瓷基体通过激光实现表面改性，并使用热等静压
4、进一步的，所述的陶瓷基体厚度为0.30～0.50mm。
5、进一步的，所述的激光表面改性为在陶瓷表面进行激光标刻。
6、进一步的，所述的铜箔厚度为0.02～1.00mm。
7、本专利技术与现有技术相比的有益效果是：
8、本专利技术公开的陶瓷覆铜基板结构，包括经过激光表面改性的陶瓷和铜箔。能够实现金属与陶瓷的紧密结合而不需要添加活性金属焊料，减少成本，本专利技术通过在铜与陶瓷之间生成si-cu共晶相从而实现陶瓷与金属铜的紧密结合，具有良好的热稳定性，在0℃-100℃间热循环100次，铜层未开裂。剥离强度可以到5.0n/mm，在同等工艺下远高于现有技术。
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1.一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，包括陶瓷基体和铜箔，陶瓷基体通过激光实现表面改性，并使用热等静压烧结将铜箔与表面激光改性后的陶瓷基体结合。
2.如权利要求1所述的一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，所述的陶瓷基体厚度为0.30～0.50mm。
3.如权利要求2所述的一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，所述的铜箔厚度为0.02～1.00mm。
4.如权利要求2所述的一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，所述的激光表面改性为在陶瓷表面进行激光标刻。
5.如权利要求1-4任一项所述的一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，具体步骤如下所示：
【技术特征摘要】
1.一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，包括陶瓷基体和铜箔，陶瓷基体通过激光实现表面改性，并使用热等静压烧结将铜箔与表面激光改性后的陶瓷基体结合。
2.如权利要求1所述的一种直接制备复合金属陶瓷基板的方法，其特征是，所述的陶瓷基体厚度为0.30～0.50mm。
3.如权利要求2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兴安，韩霜，罗凌，孙旭东，惠宇，吕卉，李彦钊，任培，孙晶，刘旭东，那兆霖，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：
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