System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 太阳能电池制备方法及太阳能电池技术_技高网

太阳能电池制备方法及太阳能电池技术

技术编号:40061879 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-16 22:49
本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池,太阳能电池制备方法包括:提供底电池;对所述底电池进行加热处理,将所述底电池的温度升高到预设温度区间内;在所述底电池的表面上形成透明导电层,且在形成所述透明导电层的过程中,对所述底电池进行持续加热,将所述底电池的温度维持在所述预设温度区间内;形成顶电池,所述顶电池位于所述透明导电层远离所述底电池的表面上。至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及太阳能电池,特别涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池


技术介绍

1、化石能源存在大气污染并且储量有限,而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点,因此,太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源,由于太阳能电池具有良好的光电转化效率,太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。

2、为了尽可能提高太阳能电池的效率和对入射光线的利用率,当前常用的方式是将不同禁带宽度的半导体电池片层叠在一起形成叠层太阳能电池,从而尽可能增大太阳光的能量利用率,提高叠层太阳能电池的光电转换效率。然而,当前的叠层太阳能电池的实际光电转换效率与理论效率存在较大的偏差,叠层太阳能电池的结构有待优化、光电转换效率有待提升。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法及太阳能电池,至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

2、本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法,包括:提供底电池;对所述底电池进行加热处理,将所述底电池的温度升高到预设温度区间内;在所述底电池的表面上形成透明导电层,且在形成所述透明导电层的过程中,对所述底电池进行持续加热,将所述底电池的温度维持在所述预设温度区间内;形成顶电池,所述顶电池位于所述透明导电层远离所述底电池的表面上。

3、在一些实施例中,所述预设温度区间中的最小温度大于或者等于200℃。

4、在一些实施例中,所述预设温度区间包括200℃至600℃。

5、在一些实施例中,所述预设温度区间包括300℃至400℃。

6、在一些实施例中,对所述底电池进行加热处理的加热方式包括:电阻加热、红外加热或者高频感应加热。

7、在一些实施例中,形成所述透明导电层的工艺方法包括:所述透明导电层的沉积温度随所述透明导电层的沉积时长梯度增大,其中,所述沉积温度为所述透明导电薄膜沉积过程中所述底电池的温度。

8、在一些实施例中,形成所述透明导电层的工艺方法包括:形成至少两层透明导电薄膜,各所述透明导电薄膜沿垂直于所述底电池表面的第一方向依次层叠,且任一所述透明导电薄膜的所述沉积温度,和所述透明导电薄膜与所述底电池沿所述第一方向的间隔负相关。

9、在一些实施例中,任一所述透明导电薄膜的所述沉积温度为第一温度,与所述透明导电薄膜邻接的另一所述透明导电薄膜的沉积温度为第二温度,所述第一温度和所述第二温度之间的差值为100-400℃。

10、在一些实施例中,形成所述透明导电层的工艺包括:磁控溅射、原子层沉积或者化学气相沉积。

11、相应的本申请实施例还提供了一种太阳能电池,通过上述太阳能电池制备方法形成,包括:沿第一方向层叠设置的底电池、透明导电层和顶电池。

12、在一些实施例中,沿所述第一方向,所述透明导电薄膜的折射率呈下降趋势。

13、在一些实施例中,所述透明导电层包括沿所述第一方向层叠设置的至少两层透明导电薄膜,且沿所述第一方向,所述透明导电薄膜的折射率梯度下降。

14、在一些实施例中,所述透明导电层的厚度为1nm至20nm。

15、在一些实施例中,所述透明导电层对波长为700nm至1200nm的光线的透过率大于或等于97.5%,所述透明导电层的方阻小于或等于25欧姆/方。

16、在一些实施例中,所述底电池包括背面钝化接触太阳能电池,所述顶电池包括钙钛矿薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池或者iii族-v族薄膜太阳能电池。

17、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

18、本申请实施例提供的太阳能电池制备方法中,在提供底电池后对底电池进行加热,将底电池的温度升高到预设温度区间的范围内,然后在温度处于预设温度区间内的底电池上形成透明导电层,并且在形成透明导电层的过程中持续对底电池进行加热,使底电池的温度维持在预设温度区间内。通过对底电池的持续加热处理,使得透明导电层的形成温度处于预设温度区间内,从而显著的提高透明导电层的导电性和透光率,降低透明导电层的寄生吸收和载流子传输损耗,增大叠层太阳能电池的整体效率。由于透明导电层形成过程中将底电池的温度升高并维持在预设温度区间内,在透明导电层形成的同时,相当于对底电池进行了一次额外的退火处理,能够增强底电池的钝化效果,降低底电池的复合电流,从而提高底电池的光电转换性能,进而进一步提高叠层太阳能电池的整体光电转换效率。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间中的最小温度大于或者等于200℃。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间包括200℃至600℃。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间包括300℃至400℃。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,对所述底电池进行加热处理的加热方式包括:电阻加热、红外加热或者高频感应加热。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述透明导电层的工艺方法包括:

7.根据权利要求6所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述透明导电层的工艺方法包括:

8.根据权利要求7所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,任一所述透明导电薄膜的所述沉积温度为第一温度,与所述透明导电薄膜邻接的另一所述透明导电薄膜的沉积温度为第二温度,所述第一温度和所述第二温度之间的差值为100-400℃。

>9.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述透明导电层的工艺包括:磁控溅射、原子层沉积或者化学气相沉积。

10.一种太阳能电池,其特征在于,通过如权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池制备方法形成,包括:

11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第一方向,所述透明导电薄膜的折射率呈下降趋势。

12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层包括沿所述第一方向层叠设置的至少两层透明导电薄膜,且沿所述第一方向,所述透明导电薄膜的折射率梯度下降。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,在沿所述第一方向上,所述透明导电层的厚度为1nm至20nm。

14.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层对波长为700nm至1200nm的光线的透过率大于或等于97.5%,所述透明导电层的方阻(100nm厚度)小于或等于25欧姆/方。

15.根据权利要求10所述的太阳能电池,其特征在于,所述底电池包括背面钝化接触太阳能电池,所述顶电池包括钙钛矿薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池或者III族-V族薄膜太阳能电池。

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间中的最小温度大于或者等于200℃。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间包括200℃至600℃。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,所述预设温度区间包括300℃至400℃。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,对所述底电池进行加热处理的加热方式包括:电阻加热、红外加热或者高频感应加热。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述透明导电层的工艺方法包括:

7.根据权利要求6所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所述透明导电层的工艺方法包括:

8.根据权利要求7所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,任一所述透明导电薄膜的所述沉积温度为第一温度,与所述透明导电薄膜邻接的另一所述透明导电薄膜的沉积温度为第二温度,所述第一温度和所述第二温度之间的差值为100-400℃。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法,其特征在于,形成所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张远方徐孟雷杨洁张昕宇
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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