【技术实现步骤摘要】
本专利文件涉及半导体技术，并且更具体地，涉及包括贯通电极(throughelectrode)的半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装。
技术介绍
1、电子产品要求越来越大量的数据处理，同时其尺寸却越来越小。因此，还要求用于这种电子产品中的半导体芯片具有薄的厚度和小的尺寸。此外，已经制造出其中嵌入了多个半导体芯片的半导体封装。
2、多个半导体芯片可以在垂直方向上层叠，并且通过穿过每个半导体芯片的通孔彼此电连接。
技术实现思路
1、在实施方式中，半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面上；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分和绝缘层；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时与该一对贯通电极连接，其中，该一对贯通电极之间的距离大于绝缘层的厚度的两倍。
2、在另一实施方式中，半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面上；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分和绝缘层；含金属薄膜层，含金属薄膜层设置在绝缘层上并且同时与该一对贯通电极连接；以及后连接电极，后连接电极设置在含金属薄膜层上并连接到含金属薄膜层，其中，含金属薄膜层包括由于含金属薄膜层的凹陷而形成在后连接电极的侧壁下方的底切部，并且其中，后连接电极的宽度等于或大于该一对贯通电极的宽度、该一对贯通电极之间的距离以及底切部的宽度之和。
3、在另一实施方式中，半导体封装可以包括：第一
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1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，
3.根据权利要求2所述的半导体封装，
4.根据权利要求3所述的半导体封装，
5.根据权利要求3所述的半导体封装，
6.根据权利要求5所述的半导体封装，
7.根据权利要求1所述的半导体封装，
8.根据权利要求7所述的半导体封装，
9.根据权利要求7所述的半导体封装，
10.根据权利要求9所述的半导体封装，
11.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装，
13.根据权利要求11所述的半导体封装，
14.根据权利要求11所述的半导体封装，
15.根据权利要求14所述的半导体封装，
16.根据权利要求15所述的半导体封装，
17.根据权利要求16所述的半导体封装，
18.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
19.根据权利要求18所述的半导体封装，所述半导体封
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，
3.根据权利要求2所述的半导体封装，
4.根据权利要求3所述的半导体封装，
5.根据权利要求3所述的半导体封装，
6.根据权利要求5所述的半导体封装，
7.根据权利要求1所述的半导体封装，
8.根据权利要求7所述的半导体封装，
9.根据权利要求7所述的半导体封装，
10.根据权利要求9所述的半导体封装，
11.一种半导体封装，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晧荣，金成圭，李美仙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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