【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及si3n4陶瓷覆铝基板制作，尤其涉及一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺。
技术介绍
1、由于具有高温强度高、耐磨损、抗击穿、耐腐蚀、抗氧化、化学稳定性高等特点，氮化硅陶瓷已广泛用作高温结构材料，也适合作为高温、高频、大功率的半导体材料；
2、现有技术对于si3n4陶瓷覆铝基板的制作的工艺路线如下：丝印-烧结-磨刷-贴膜-曝光-显影-化银-切割-终检，这种对于si3n4陶瓷覆铝基板进行加工的工艺路线存在下列问题；激光切割会对切割位置的铜侧壁产生氧化污染；激光切割过程会使化银面变色，氧化，污染；激光切割产生的粉尘会污染产品；化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色，氧化，污染；因此，需要设计一种能够解决上述问题的si3n4陶瓷覆铝基板用制造工艺路线。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，包括下列第一种工艺路线：
4、s1，首先将ag、al、ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
5、s2，采用丝网印刷技术将ag-al-ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；
6、s3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；
7、s4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上时
8、s5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；
9、s6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；
10、s7，在对氮化硅陶瓷覆铝基板的显影操作结束后，接着对氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；
11、s8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可；
12、还包括下列第二种工艺路线：
13、s1，首先将ag、al、ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；
14、s2，采用丝网印刷技术将ag-al-ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；
15、s3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；
16、s4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上时，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；
17、s5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；
18、s6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；
19、s601，接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状；
20、s7，在氮化硅陶瓷覆铝基板的激光切割加工后，对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；
21、s8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可。
22、优选地，所述s101的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确的将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
23、优选地，所述s601的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确的将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
24、优选地，所述激光切割装置包括壳体、设于壳体内顶面上的激光切割器、设于壳体两侧壁上的托架和水平安装在托架顶部的输送机，所述壳体两侧外壁的中部均开设有矩形口，所述输送机的内端均从矩形中延伸进壳体内部；所述壳体的下部内安装有槽口朝上的集渣箱，所述集渣箱顶部的内壁上开设有矩形框状的放置槽，所述放置槽内部水平搭设有安装框板，所述安装框板的内框中横向等距固接有多根纵置的纵梁，所述纵梁的顶部均纵向等距安装有多个竖置的支撑板；所述支撑板的顶端开设有轮槽，所述轮槽内部转动安装有用于氮化硅陶瓷基板承托的承托轮；所述安装框板的顶面后端设有驱动盒，所述驱动盒内部设有驱动组件；所述支撑板的内部开设有传动腔，所述传动腔内部设有用于承托轮转动的传动机构。
25、优选地，所述驱动组件包括纵向转动设于驱动盒前端面的多根转轴和设于驱动盒后端的微型电机，所述转轴的前端活动贯穿至安装框板顶面前端的支撑板传动腔内部，所述转轴的后端活动贯穿进驱动盒内部，并固定套接有链轮，所述链轮之间套接有链条；所述微型电机的驱动轴前端与其中一根转轴的后端同轴固接。
26、优选地，所述传动机构包括开设在承托轮外圈壁中部的安装环槽、固定套接在安装环槽中的固定齿环、开设在传动腔顶部的连通口、纵向转动设于连通口内部的转杆、固定套接在转杆中部的齿轮和设于传动腔下部内的主动带轮，所述齿轮的顶部从连通口延伸进轮槽内部，且所述齿轮的顶部与固定齿环的底部啮合，所述主动带轮为开设有多个带轮槽的带轮结构；所述转杆的前后端杆体上均固定套接有从动带轮，所述从动带轮与主动带轮之间套接有传动带；所述主动带轮均固定套接在进入传动腔内部的转轴上。
27、优选地，所述承托轮外圈壁的前后端轮体上均固定套接有缓冲胶环。
28、优选地，所述输送机的输送带顶面高度与承托轮的顶面高度齐平，且所述输送机的输送带贴近支撑板上的承托轮。
29、优选地，所述支撑板为上窄下宽状的板体结构，所述安装框板的底面设有一层缓冲垫框，且所述缓冲垫框与放置槽的底面抵接。
30、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过改变对于氮化硅陶瓷覆铝基板的工艺路线，将切割工艺放在化银工艺之前，能够有效避免激光切割导致的铜侧壁的氧化污染问题；解决了激光切割导致的化银面变色，氧化，污染等问题；解决了激光切割产生的粉尘会污染产品问题；解决了化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色、氧化和污染等问题；
31、本专利技术通过所设计的激光切割装置，能够在对氮化硅陶瓷覆铝基板进行切割时起到移位调节和切割后自动输送出的作用，并且通过承托本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：包括下列工艺路线：
2.根据权利要求1所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述S1与S2工艺步骤之间还有工艺步骤S101，所述S101的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
3.根据权利要求1所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述S7与S6工艺步骤之间还有工艺步骤S601，所述S601的工序包括：将大片的氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
4.根据权利要求3所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述激光切割装置包括壳体（1）、设于壳体（1）内顶面上的激光切割器（2）、设于壳体（1）两侧壁上的托架（3）和水平安装在托架（3）顶部的输送机（4），所述壳体（1）两侧外壁的中部均开设有矩形口，所述输送机（4）的内端均从矩形中延伸进壳体（1）内部；所述
5.根据权利要求4所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述驱动组件包括纵向转动设于驱动盒（10）前端面的多根转轴（11）和设于驱动盒（10）后端的微型电机（12），所述转轴（11）的前端活动贯穿至安装框板（6）顶面前端的支撑板（8）传动腔内部，所述转轴（11）的后端活动贯穿进驱动盒（10）内部，并固定套接有链轮（13），所述链轮（13）之间套接有链条（14）；所述微型电机（12）的驱动轴前端与其中一根转轴（11）的后端同轴固接。
6.根据权利要求5所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述传动机构包括开设在承托轮（9）外圈壁中部的安装环槽、固定套接在安装环槽中的固定齿环（15）、开设在传动腔顶部的连通口、纵向转动设于连通口内部的转杆（16）、固定套接在转杆（16）中部的齿轮（17）和设于传动腔下部内的主动带轮（19），所述齿轮（17）的顶部从连通口延伸进轮槽内部，且所述齿轮（17）的顶部与固定齿环（15）的底部啮合，所述主动带轮（19）为开设有多个带轮槽的带轮结构；所述转杆（16）的前后端杆体上均固定套接有从动带轮（18），所述从动带轮（18）与主动带轮（19）之间套接有传动带（20）；所述主动带轮（19）均固定套接在进入传动腔内部的转轴（11）上。
7.根据权利要求6所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述承托轮（9）外圈壁的前后端轮体上均固定套接有缓冲胶环（21）。
8.根据权利要求6所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述输送机（4）的输送带顶面高度与承托轮（9）的顶面高度齐平，且所述输送机（4）的输送带贴近支撑板（8）上的承托轮（9）。
9.根据权利要求4所述的一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述支撑板（8）为上窄下宽状的板体结构，所述安装框板（6）的底面设有一层缓冲垫框（22），且所述缓冲垫框（22）与放置槽的底面抵接。
...【技术特征摘要】
1.一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：包括下列工艺路线：
2.根据权利要求1所述的一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述s1与s2工艺步骤之间还有工艺步骤s101，所述s101的工序包括：接着将氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
3.根据权利要求1所述的一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述s7与s6工艺步骤之间还有工艺步骤s601，所述s601的工序包括：将大片的氮化硅陶瓷基板送入激光切割装置中，并通过激光切割装置精确地将氮化硅陶瓷基板切割成零部件生产所需的特定大小和形状。
4.根据权利要求3所述的一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述激光切割装置包括壳体（1）、设于壳体（1）内顶面上的激光切割器（2）、设于壳体（1）两侧壁上的托架（3）和水平安装在托架（3）顶部的输送机（4），所述壳体（1）两侧外壁的中部均开设有矩形口，所述输送机（4）的内端均从矩形中延伸进壳体（1）内部；所述壳体（1）的下部内安装有槽口朝上的集渣箱（5），所述集渣箱（5）顶部的内壁上开设有矩形框状的放置槽，所述放置槽内部水平搭设有安装框板（6），所述安装框板（6）的内框中横向等距固接有多根纵置的纵梁（7），所述纵梁（7）的顶部均纵向等距安装有多个竖置的支撑板（8）；所述支撑板（8）的顶端开设有轮槽，所述轮槽内部转动安装有用于氮化硅陶瓷基板承托的承托轮（9）；所述安装框板（6）的顶面后端设有驱动盒（10），所述驱动盒（10）内部设有驱动组件；所述支撑板（8）的内部开设有传动腔，所述传动腔内部设有用于承托轮（9）转动的传动机构。
5.根据权利要求4所述的一种适用于si3n4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：所述驱动组件包括纵...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢继华，戴锐锋，
申请(专利权)人：南通威斯派尔半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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