【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种可激光释放组合物，其是用于形成于暂时接合制程或在重分布层形成过程中所使用的牺牲层。
技术介绍
1、暂时晶圆接合(temporary wafer bonding；twb)通常指藉由聚合接合材料将组件晶圆或微电子基板附着到载体晶圆或基板的制程。为使晶圆在使用中能够更加散热、延长寿命并有利于后期系统封装，通常需将组件晶圆减薄到小于50μm。一般而言，先将组件晶圆暂时性黏接至较厚的承载玻璃上，并在晶圆背面进行腐蚀、研磨等加工减薄，亦可进行硅穿孔(through-silicon vias；tsv)、重分布层、接合垫及其他电路特征。在背面加工期间(需可承受环境温度极高温(大于250℃)之间重复循环、晶圆处理及转移步骤产生的机械冲击，及强大的机械力(例如在用于使组件晶圆变薄的晶圆背面研磨制程中施加的力))，载体晶圆支撑易碎的组件晶圆。当所有此加工都完成后，再经过外界的光、电、热使黏接层失效，组件晶圆自承载体分离(即，剥离)，并再进一步操作进行清洁。
2、在现有技术中，暂时性黏接层主要有uv解黏胶、热解黏胶、溶剂解黏胶与激光解黏胶，但此uv解黏胶与热解黏胶的耐热温度约为120-150℃，无法耐温至260℃，容易受到外界影响，造成解黏反应提早发生。溶剂解黏胶的缺点在于耐溶剂性不佳，在制程上有所限制。激光解黏的耐热性及耐化性较佳，但在解黏过程中容易有残胶产生，需使用高极性溶剂去除，可能造成组件上的其他材料被侵蚀，因此在使用上亦有所限制。
技术实现思路
1、有鉴于上述技术问
2、本专利技术另一目的则为提供一种新颖的形成微电子结构的方法，所述方法可使用碱性水溶液移除解黏过程中可能产生的残胶，进而大幅降低组件被侵蚀的可能性。
3、为达上述目的，本专利技术提供了一种暂时接合方法，其包括：提供迭加物，所述迭加物包含：第一基板，其具有上表面及下表面；黏接层，其是与所述下表面接触；第二基板，其具有第一表面；及牺牲层，其是介于所述第一表面及所述黏接层之间，以及对所述牺牲层施予激光能量，以促进所述第一基板与所述第二基板分离，其中，所述牺牲层是由组合物所形成，所述组合物包含碱可溶的聚合物；及用于分散或溶解所述碱可溶的聚合物的溶剂，其中所述碱可溶的聚合物是含有具有羧基的二胺的二价残基，且所述碱可溶的聚合物包含聚酰胺酸、聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺。
4、优选地，所述方法是在对所述牺牲层施予激光能量的步骤后进一步包括用碱性水溶液清洗所述黏接层，以移除残留在所述黏接层表面上的所述牺牲层。
5、优选地，所述碱性水溶液是3～5重量％的碱金属氢氧化物水溶液或碱金属碳酸化物水溶液。
6、优选地，所述具有羧基的二胺的二价残基包含以下基团：其中*是指示连接点。
7、优选地，所述牺牲层的热膨胀系数是小于50ppm/℃。
8、本专利技术还提供了一种形成微电子结构的方法，其包括：在基板的表面上形成牺牲层；以及在所述牺牲层上形成重分布层，其中所述牺牲层是由组合物所形成，所述组合物包含碱可溶的聚合物；及用于分散或溶解所述碱可溶的聚合物的溶剂，其中所述碱可溶的聚合物是含有具有羧基的二胺的二价残基，且所述碱可溶的聚合物包含聚酰胺酸、聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺。
9、优选地，所述方法进一步包括在所述重分布层上形成一个或多个额外的重分布层。
10、优选地，所述方法是在形成重分布层后，进一步包括对所述牺牲层施予激光能量，以使所述重分布层与所述基板分离。
11、优选地，所述方法是在对所述牺牲层施予激光能量后，进一步包括用碱性水溶液清洗所述重分布层，以移除残留在所述重分布层表面上的所述牺牲层。
12、优选地，所述碱性水溶液是3～5重量％的碱金属氢氧化物水溶液或碱金属碳酸化物水溶液。
13、优选地，所述具有羧基的二胺的二价残基包含以下基团：其中*是指示连接点。
14、依据本专利技术，可获得一种可用碱性水溶液轻易移除解黏过程中所产生的残胶的暂时接合方法及形成微电子结构的方法。
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1.一种暂时接合方法，其包括：
2.如权利要求1所述的方法，其是在对所述牺牲层施予激光能量的步骤后进一步包括用碱性水溶液清洗所述黏接层，以移除残留在所述黏接层表面上的所述牺牲层。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述碱性水溶液是3～5重量％的碱金属氢氧化物水溶液或碱金属碳酸化物水溶液。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述具有羧基的二胺的二价残基包含以下基团：其中*是指示连接点。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的热膨胀系数是小于50ppm/℃。
6.一种形成微电子结构的方法，其包括：
7.如权利要求6所述的方法，其进一步包括在所述重分布层上形成一个或多个额外的重分布层。
8.如权利要求6所述的方法，其是在形成重分布层后，进一步包括对所述牺牲层施予激光能量，以使所述重分布层与所述基板分离。
9.如权利要求8所述的方法，其是在对所述牺牲层施予激光能量后，进一步包括用碱性水溶液清洗所述重分布层，以移除残留在所述重分布层表面上的所述牺牲层。
10.如权利要求9所述的方法
11.如权利要求6所述的方法，其中该具有羧基的二胺的二价残基包含以下基团：其中*是指示连接点。
...【技术特征摘要】
1.一种暂时接合方法，其包括：
2.如权利要求1所述的方法，其是在对所述牺牲层施予激光能量的步骤后进一步包括用碱性水溶液清洗所述黏接层，以移除残留在所述黏接层表面上的所述牺牲层。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述碱性水溶液是3～5重量％的碱金属氢氧化物水溶液或碱金属碳酸化物水溶液。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述具有羧基的二胺的二价残基包含以下基团：其中*是指示连接点。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层的热膨胀系数是小于50ppm/℃。
6.一种形成微电子结构的方法，其包括：
7.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏宏，黄堂杰，
申请(专利权)人：律胜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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