【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件、包括该发光器件的显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、发光器件被称为下一代光源，其具有比以前的光源更长的寿命和更低的功耗，同时具有快速响应和环境友好性。诸如这些的发光器件已经用于各种产品，诸如显示装置的背光单元和照明装置。特别地，基于iii族氮化物(诸如镓氮化物(gan)、铝镓氮化物(algan)、铟镓氮化物(ingan)和铟铝镓氮化物(inalgan))的发光二极管(led)已经用作用于发射光的半导体发光器件。
2、长度大于宽度的棒状发光器件具有比薄膜发光器件的光提取效率高的光提取效率。然而，由于难以制造用于向大量棒状发光器件施加电流的电极结构，并且也难以将棒状发光器件转移到包括驱动电路的层，所以棒状发光器件的商业化是困难的。
技术实现思路
1、一种发光器件可以包括多个发光棒。所述多个发光棒中的每个可以包括具有棒形状的第一半导体层、设置在第一半导体层的多个表面周围的具有壳形状的有源层以及设置在有源层的多个表面周围的具有壳形状的第二半导体层。发光器件可以进一步包括：绝缘层，设置在所述多个发光棒之间的空间中；透明电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层；以及反射电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第二半导体层。
2、反射电极的厚度可以大于透明电极的厚度。
3、反射电极的厚度可以大于或等于100nm，透明电极的厚度可以大于或等于10nm且小于100nm。
4、所述多个发光棒中的每个的第一半导体层可以与透明电
5、第一半导体层可以包括从有源层和第二半导体层突出的部分。
6、绝缘层可以包括：与第一半导体层的侧表面接触的第一绝缘层；和与第二半导体层的侧表面接触的第二绝缘层。
7、发光器件可以进一步包括与所述多个发光棒中的每个的第一半导体层接触的公共半导体层。透明电极可以通过公共半导体层电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层。
8、所述多个发光棒可以包括第一发光棒和第二发光棒。第一发光棒和第二发光棒可以配置为发射彼此不同的波长的光。
9、第一发光棒和第二发光棒可以具有彼此不同的铟含量。
10、第一发光棒的宽度可以大于第二发光棒的宽度。
11、第一发光棒可以配置为发射比第二发光棒大的波长的光。
12、一种显示装置可以包括：基板；和布置在基板上的显示器件层。显示器件可以包括多个发光器件。所述多个发光器件中的至少一个可以包括：布置在基板上的反射电极；透明电极，布置为在基板的厚度方向上与反射电极间隔开；以及布置在反射电极和透明电极之间的多个发光棒。所述多个发光棒中的每个可以包括：具有棒形状的第一半导体层；设置在第一半导体层的多个表面周围的具有壳形状的有源层；以及设置在有源层的多个表面周围的具有壳形状的第二半导体层。
13、反射电极的厚度可以大于透明电极的厚度。
14、反射电极的厚度可以大于或等于100nm，透明电极的厚度大于或等于10nm且小于100nm。
15、所述多个发光棒中的每个的第一半导体层可以与透明电极共面地接触。所述多个发光棒中的每个的第二半导体层的一部分可以嵌入反射电极中。
16、显示装置可以进一步包括：与第一半导体层的侧表面接触的第一绝缘层；以及与第二半导体层的侧表面接触的第二绝缘层。
17、显示装置可以进一步包括与所述多个发光棒中的每个的第一半导体层接触的公共半导体层。透明电极通过公共半导体层电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层。
18、基板可以包括驱动层，该驱动层包括配置为驱动所述多个发光器件的晶体管。
19、所述多个发光棒可以包括第一发光棒和第二发光棒。第一发光棒和第二发光棒可以配置为发射彼此不同的波长的光。
20、第一发光棒的宽度可以大于第二发光棒的宽度。
21、第一发光棒可以配置为发射比第二发光棒大的波长的光。
22、所述多个发光器件可以包括：第一发光器件，包括多个具有第一宽度的第三发光棒；第二发光器件，包括多个具有小于第一宽度的第二宽度的第四发光棒；以及第三发光器件，包括多个具有小于第二宽度的第三宽度的第五发光棒。
23、所述多个第三发光棒、所述多个第四发光棒和所述多个第五发光棒可以包括彼此不同的铟含量。
24、所述多个第三发光棒、所述多个第四发光棒和所述多个第五发光棒可以配置为发射彼此不同的波长的光。
25、显示装置可以进一步包括颜色转换层，该颜色转换层配置为将从显示器件层入射的光转换为具有预定波长的光。
26、一种制造显示装置的方法可以包括：在基层上形成包括多个空腔的膜；在膜上形成氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成包括多个开口的掩模层；通过使用所述多个开口，在氮化物半导体层上形成多个发光棒，每个发光棒具有包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的芯-壳结构；形成设置在所述多个发光棒之间的空间中的第二绝缘层；形成与第二绝缘层和所述多个发光棒中的每个的第二半导体层接触的反射电极；将反射电极接合在基板上；从所述多个发光棒去除基层、膜、氮化物半导体层和掩模层；形成与所述多个发光棒中的每个的第一半导体层接触的第一绝缘层；以及形成与所述多个发光棒中的每个的第一半导体层接触的透明电极。
27、基板可以包括配置为驱动所述多个发光棒的多个晶体管。
28、反射电极可以通过共晶结合接合到基板。
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1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的厚度大于所述透明电极的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的厚度大于或等于100nm，以及
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层共面地接触所述透明电极，以及
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括从所述有源层和所述第二半导体层突出的部分。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘层包括：
7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括与所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层接触的公共半导体层，
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个发光棒包括第一发光棒和第二发光棒，
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一发光棒和所述第二发光棒具有彼此不同的铟含量。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一发光棒的宽度大于所述第二发光棒的宽度。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述
12.一种显示装置，包括：
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述反射电极的厚度大于所述透明电极的厚度。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层共面地接触所述透明电极，以及
15.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
16.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括与所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层接触的公共半导体层，
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述基板包括驱动层，所述驱动层包括配置为驱动所述多个发光器件的晶体管。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述多个发光棒包括第一发光棒和第二发光棒，
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述多个发光器件包括：
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述多个第三发光棒、所述多个第四发光棒和所述多个第五发光棒包括彼此不同的铟含量。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的厚度大于所述透明电极的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的厚度大于或等于100nm，以及
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层共面地接触所述透明电极，以及
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括从所述有源层和所述第二半导体层突出的部分。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘层包括：
7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括与所述多个发光棒中的每个的所述第一半导体层接触的公共半导体层，
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个发光棒包括第一发光棒和第二发光棒，
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一发光棒和所述第二发光棒具有彼此不同的铟含量。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一发光棒的宽度大于所述第二发光棒的宽度。
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东湖，张镐元，黄京旭，黄俊式，朴昭贤，吴制鸿，刘晶日，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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