System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种单晶炉水冷系统技术方案_技高网

一种单晶炉水冷系统技术方案

技术编号:40043043 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-16 20:01
本发明专利技术公开了一种单晶炉水冷系统。包括水冷套、感测模块、控制模块和切断模块;水冷套设置于单晶炉中,且包括进水端和出水端;进水端与进水管连接,出水端与出水管连接;感测模块包括第一感测单元和第二感测单元;第一感测单元设置于进水管中,用于感测进水端的进水信息;第二感测单元设置于出水管中,用于感测出水端的出水信息;切断模块设置于进水管中;控制模块分别与第一感测单元、第二感测单元和切断模块电连接,用于在接收到的进水信息和出水信息异常时控制切断模块关闭,以阻止进水管的水流进入单晶炉。本发明专利技术通过上述单晶炉水冷系统可在进水信息和出水信息异常即水冷套出现故障时截断水冷套的进水,可以避免重大生产安全事故的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅制造设备,尤其涉及一种单晶炉水冷系统


技术介绍

1、单晶硅作为一种比较活泼的非金属元素晶体,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其制造要经过如下过程:石英砂-冶金级硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割,其主要用途是用作半导体材料。

2、单晶硅的生长要经历多晶硅高温熔融、单晶硅生长冷却等一系列过程,由于半导体器件对于单晶硅的要求非常高,所以对单晶硅生长过程的严格把控就显得尤为重要,其中水冷套是单晶硅生长过程中最重要的冷却装置,水冷套可通过水循环带走单晶硅生长过程中产生的热量,进而达到冷却的目的。

3、目前,在该领域主要存在以下问题:在单晶硅的生长过程中,会出现空穴(vacancy)和间隙原子(interstitial)缺陷这两种本征缺陷。空穴和间隙原子缺陷主要与单晶硅生长过程中的v/g(生长速度/温度梯度)的控制有关,v/g的变化会导致空穴和间隙缺陷的扩散变化,现有技术中为了保证液口距,v一般是不变的,主要是通过改变g即温度来控制晶体硅生长,而现有单晶硅生长设备采用的温度控制系统,主要是以导流筒和水冷套为主,且水冷套大多是以焊接的形式进行连接,随着时间的推移会出现老化,甚至漏水的情况,一旦水冷套中的冷却水发生泄漏,并与高温的单晶硅接触,则会产生重大的生产安全事故。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种单晶炉水冷系统,以解决现有单晶炉冷水系统会因水冷套漏水而发生重大生产安全事故的问题。

2、本专利技术实施例提供了一种单晶炉水冷系统,该单晶炉水冷系统包括水冷套、感测模块、控制模块和切断模块;

3、所述水冷套设置于单晶炉中,且包括进水端和出水端;所述进水端与进水管连接,所述出水端与出水管连接;

4、所述感测模块包括第一感测单元和第二感测单元;所述第一感测单元设置于所述进水管中,用于感测所述进水端的进水信息;所述第二感测单元设置于所述出水管中,用于感测所述出水端的出水信息;

5、所述切断模块设置于所述进水管中;

6、所述控制模块分别与所述第一感测单元、所述第二感测单元和所述切断模块电连接,用于在接收到的所述进水信息和所述出水信息异常时控制所述切断模块关闭,以阻止所述进水管的水流进入所述单晶炉。

7、可选的,所述第一感测单元包括第一温度传感器、第一压力传感器和第一流量传感器;

8、所述第一温度传感器,用于感测所述进水端的进水温度信息;

9、所述第一压力传感器,用于感测所述进水端的进水压力信息;

10、所述第一流量传感器,用于感测所述进水端的进水流量信息;

11、所述控制模块分别与所述第一温度传感器、所述第一压力传感器和所述第一流量传感器电连接,用于接收所述进水温度信息、所述进水压力信息和所述进水流量信息;所述进水信息包括所述进水温度信息、所述进水压力信息和所述进水流量信息。

12、可选的,所述第二感测单元包括第二温度传感器、第二压力传感器和第二流量传感器;

13、所述第二温度传感器,用于感测所述出水端的出水温度信息;

14、所述第二压力传感器,用于感测所述出水端的出水压力信息;

15、所述第二流量传感器,用于感测所述出水端的出水流量信息;

16、所述控制模块分别与所述第二温度传感器、所述第二压力传感器和所述第二流量传感器电连接,用于接收所述出水温度信息、所述出水压力信息和所述出水流量信息;所述出水信息包括所述出水温度信息、所述出水压力信息和所述出水流量信息。

17、可选的,所述控制模块包括微处理器和可编程逻辑控制器;

18、所述微处理器分别与所述第一感测单元和所述第二感测单元电连接,用于判断所述进水信息和所述出水信息中异常信息的数量,并在所述异常信息的数量大于预设阈值时输出切断模块关闭信号到所述可编程逻辑控制器;

19、所述可编程逻辑控制器与所述切断模块电连接,用于根据接收到的所述切断模块关闭信号控制所述切断模块关闭。

20、可选的,所述单晶炉水冷系统还包括报警模块;

21、所述控制模块与所述报警模块电连接,用于在接收到的所述进水信息和所述出水信息异常时控制所述报警模块报警。

22、可选的,所述单晶炉水冷系统还包括人机交互模块;

23、所述控制模块与所述人机交互模块电连接,用于将接收到的所述进水信息和所述出水信息传输给所述人机交互模块,并控制所述机交互模块显示所述进水信息和所述出水信息。

24、可选的,所述单晶炉水冷系统还包括炉内测温模块和流量调节模块;

25、所述炉内测温模块设置于所述单晶炉内,且与所述控制模块电连接,用于将感测到的所述单晶炉的炉内温度信息传输给所述控制模块;

26、所述流量调节模块设置于所述进水管中,所述控制模块与所述流量调节模块电连接,用于根据接收到的所述炉内温度信息控制所述流量调节模块的导通状态。

27、可选的,所述炉内测温模块包括非接触式温度传感器,且设置于所述长晶炉的副室;

28、所述非接触式温度传感器的测温范围为300℃-1500℃。

29、可选的,所述切断模块和所述流量调节模块的传动方式均为气动薄膜传动。

30、可选的,所述水冷套为单通管。

31、本专利技术实施例的技术方案,提供了一种单晶炉水冷系统,该单晶炉水冷系统包括水冷套、感测模块、控制模块和切断模块,其中,水冷套设置于单晶炉中,且包括进水端和出水端,进水端与进水管连接,出水端与出水管连接,感测模块包括第一感测单元和第二感测单元,第一感测单元设置于进水管中,用于感测进水端的进水信息,第二感测单元设置于出水管中,用于感测出水端的出水信息,切断模块设置于进水管中,控制模块分别与第一感测单元、第二感测单元和切断模块电连接,用于在接收到的进水信息和出水信息异常时控制切断模块关闭,以阻止进水管的水流进入单晶炉。通过上述单晶炉水冷系统可在进水信息和出水信息异常即水冷套出现故障时截断水冷套的进水,解决了现有单晶炉冷水系统会因水冷套漏水而发生重大生产安全事故的问题,具有提高单晶炉水冷系统安全性的有益效果。

32、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶炉水冷系统,其特征在于,包括水冷套、感测模块、控制模块和切断模块;

2.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述第一感测单元包括第一温度传感器、第一压力传感器和第一流量传感器;

3.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述第二感测单元包括第二温度传感器、第二压力传感器和第二流量传感器;

4.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述控制模块包括微处理器和可编程逻辑控制器;

5.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述单晶炉水冷系统还包括报警模块;

6.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述单晶炉水冷系统还包括人机交互模块;

7.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述单晶炉水冷系统还包括炉内测温模块和流量调节模块;

8.根据权利要求7所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述炉内测温模块包括非接触式温度传感器,且设置于所述长晶炉的副室;

9.根据权利要求7所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述切断模块和所述流量调节模块的传动方式均为气动薄膜传动。

10.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述水冷套为单通管。

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【技术特征摘要】

1.一种单晶炉水冷系统,其特征在于,包括水冷套、感测模块、控制模块和切断模块;

2.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述第一感测单元包括第一温度传感器、第一压力传感器和第一流量传感器;

3.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述第二感测单元包括第二温度传感器、第二压力传感器和第二流量传感器;

4.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述控制模块包括微处理器和可编程逻辑控制器;

5.根据权利要求1所述的单晶炉水冷系统,其特征在于,所述单晶炉水冷系统还包括报警模块;

【专利技术属性】
技术研发人员:胡浩庞龙龙聂环张俊宝陈猛
申请(专利权)人:上海超硅半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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