【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏热场产品制造，更具体地说，它涉及一种快速化学气相沉积碳碳制品方法。
技术介绍
1、化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法；化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料；这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物。
2、目前，市场上的碳碳制品在进行化学气相沉积的过程中多存在以下问题：
3、现有的碳碳制品在进行化学气相沉积的过程中无法有效地缩短整个工艺过程中的时间，且在通入碳源气体和辅助气体的同时无法增加碳源气体和辅助气体在cvd气相沉积炉在反应室内部的滞留时间，导致碳碳制品坯体的碳源气体吸收率降低，无法提高碳碳制品坯体沉积深度，降低了碳碳制品的生产效率。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种能够加大碳源气体和辅助气体气相物质在cvd气相沉积炉反应室内的滞留时间，提高碳源气体吸收率，也能提高碳碳制品坯体沉积深度，且有效地缩短了整个工艺过程中的时间，加快了碳碳制品的生产效率的一种快速化学气相沉积碳碳制品方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种快速化学气相沉积碳碳制品方法，包括以下步骤：
4、s1、碳碳制品坯体的加热过程：
5、将碳碳制品坯
6、s2、碳碳制品坯体表面热解碳的形成：
7、对s1中cvd气相沉积炉中的碳碳制品坯体进行加热前，可向cvd气相沉积炉中通入一定份量比的碳源气体和辅助气体，且通气的过程中要确保整个cvd气相沉积炉的气密性，防止其对后期的化学气相沉积过程造成影响。
8、s3、碳源气体和辅助气体通气流量的调整：
9、在向cvd气相沉积炉中通入一定份量的碳源气体和辅助气体通后，可通过cvd气相沉积炉通气管道上所设置的真空泵调整通气管道的内的压力值，以此达到cvd气相沉积炉压力及通气管道的压力平衡，并达到一定通气流量的范围内。
10、s4、碳碳制品的冷却取出及包装：
11、将s1中cvd气相沉积炉内加热完成的预制体冷却一段时间后，从cvd气相沉积炉中取出，然后对加热完成的预制体进行包装，以此形成一个成品的碳碳制品。
12、本专利技术进一步设置为：所述反应温度的范围为1110-1140℃。
13、本专利技术进一步设置为：cvd气相沉积炉内所述压力的范围为1.8-2.6kpa；通气管道上所述的压力值范围为1.0-1.8kpa。
14、本专利技术进一步设置为：所述通气流量范围为70l/min-100l/min。
15、本专利技术进一步设置为：所述碳源气体与辅助气体比值为1:6-10。
16、本专利技术进一步设置为：所述碳碳制品坯体包括：预制体，所述预制体外周侧面设置有沉积碳基体层，所述沉积碳基体层外周侧面设置有残留孔隙层。
17、所述预制体呈纤维状。
18、本专利技术进一步设置为：所述沉积碳基体层包括光滑层、粗糙层和各向同性结构。
19、本专利技术进一步设置为：所述碳源气体为甲烷；所述辅助气体为氮气。
20、本专利技术的优点是：
21、1、本专利技术通过启动真空泵，在真空泵的作用下，使得通入的碳源气体与辅助气体比值能够根据碳碳制品坯体预制体的体壁厚去决定，以此使得入的碳源气体与辅助气体比值能够达到工艺过程中所需要的定值，进而使得cvd气相沉积炉内的炉压和通气管道内的管道压力达到平衡点，有效地缩短了整个工艺过程中的时间。
22、2、本专利技术通过cvd气相沉积炉的密封性，使得炉内压力与管道之间的压力增加，加大碳源气体和辅助气体气相物质在cvd气相沉积炉反应室内的滞留时间，提高碳源气体吸收率，也能提高碳碳制品坯体沉积深度。
23、3、本专利技术通过碳源气体和辅助气体气相物质在cvd气相沉积炉反应室内的滞留时间的加长，即能加大碳源气体和辅助气体气相物质在碳碳制品坯体预制体表面活性点的滞留时间，又能减小碳源气体和辅助气体气相物质在非固相表面活性点的滞留时间时，通气流量越大，沉积时间越短，有效地缩短了整个工艺过程中的时间。
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1.一种快速化学气相沉积碳碳制品方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述反应温度的范围为1110-1140℃。
3.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：CVD气相沉积炉内所述压力的范围为1.8-2.6KPa；通气管道上所述的压力值范围为1.0-1.8KPa。
4.根据权利要求3所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述通气流量范围为70L/MIN-100L/MIN。
5.根据权利要求4所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品方法，其特征在于：所述碳源气体与辅助气体比值为1:6-10。
6.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述碳碳制品坯体包括：
7.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述沉积碳基体层包括光滑层、粗糙层和各向同性结构。
8.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述碳源气体为甲烷；
【技术特征摘要】
1.一种快速化学气相沉积碳碳制品方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述反应温度的范围为1110-1140℃。
3.根据权利要求1所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：cvd气相沉积炉内所述压力的范围为1.8-2.6kpa；通气管道上所述的压力值范围为1.0-1.8kpa。
4.根据权利要求3所述的一种快速化学气相沉积碳碳制品，其特征在于：所述通气流量范围为70l/mi...
【专利技术属性】
技术研发人员：李江涛，王冲普，刘春茂，宋宏伟，高云豪，赵礼杰，张彦峰，张晓琦，张杰，王胜利，王宇，
申请(专利权)人：包头晶旭碳碳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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