【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电致变色材料，具体涉及一种通电不透光电致变色薄膜制备方法。
技术介绍
1、电致变色材料是指材料的光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。具有电致变色性能的材料称为电致变色材料。电致变色器件主要由衬底、透明电极和电致变色薄膜组成，现有ito电致变色薄膜透明在反复弯折的过程中容易产生应力，影响光电响应速度。
技术实现思路
1、针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的是提供一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，包括以下步骤：
4、s01、镀膜之前将基底放置到清洗液中进行超声清洗、用氮气烘干之后置于真空室中，真空室中的压强为1×10-3pa-5×10-1pa，使得基底的温度为150-250℃；
5、s02、取出真空室中的基底，采用磁控溅射方法依次溅射沉积第一氧化物层、金属层、第二氧化物层；
6、s03、对经过步骤s02的产品进行真空退火处理，得到电致变色薄膜；
7、其中，所述第一氧化物层和第二氧化物层材料相同，所述第一氧化物层和第二氧化物层材料包括质量比为85-90：8-10：6的改性氧化铟、氧化锡、五氧化二钒。
8、优选地，所述改性氧化铟的制备方法包括以下步骤：
9、首
10、优选地，将干燥后的多孔氧化铟进行改性表面处理的步骤包括:
11、将干燥后的多孔氧化铟、分散剂、混合加入到分散介质中超声混合均匀，混合均匀后经球磨处理5-10h，最后烘干得到改性氧化铟。
12、优选地，所述多孔运载体是在800-1200℃，氩气的保护下，采用质量比为2.2-2.4：1的处理剂与碳纳米管混合接触，对碳纳米管进行刻孔，刻孔时间为30-80min制备而成。
13、优选地，所述处理剂为氢氧化钾、氢氧化钠中的一种。
14、优选地，s01、镀膜之前将基底放置到清洗液中进行超声清洗、用氮气烘干之后置于真空室中，真空室中的压强为1×10-3pa-5×10-1pa，使得基底的温度为150-250℃；
15、s02、取出真空室中的基底，采用磁控溅射方法依次溅射沉积第一氧化物层、金属层、第二氧化物层，磁控溅射的工作气体为氩气，所述氩气的纯度为＞99.9％，溅射温度在20-30℃；
16、磁控溅射沉积第一氧化物层的步骤为：将质量比为85-90：8-10：6的改性氧化铟、氧化锡、五氧化二钒混合均匀，采用磁控溅射方法溅射沉积第一氧化物层，在溅射沉积第一氧化物层时射频靶的溅射功率为600-800瓦，溅射速率为0.05-2nm/秒，所述第一氧化物层的厚度为10-12nm；
17、磁控溅射沉积金属层的步骤为：采用磁控溅射方法溅射沉积金属层，在溅射沉积第一氧化物层时直流靶的溅射功率为50-100瓦，溅射速率为0.05-0.1nm/秒，所述金属层的厚度为4-5nm；
18、磁控溅射沉积第二氧化物层的步骤为：将质量比为85-90：8-10：6的改性氧化铟、氧化锡、五氧化二钒混合均匀，采用磁控溅射方法溅射沉积第一氧化物层，在溅射沉积第一氧化物层时射频靶的溅射功率为600-800瓦，溅射速率为0.05-2nm/秒，所述第二氧化物层的厚度为6-8nm。
19、优选地，在步骤s03中的真空退火处理包括：将经过步骤s02的产品放置到真空室中，在300-500℃下退火20-30min，得到电致变色薄膜。
20、优选地，所述金属层中的金属为ag、au和cu中的一种或多种混合。
21、优选地，所述金属层中的金属为质量比1-1.5：1为au和cu的混合物。
22、优选地，在步骤s01中的清洗液为乙醇、丙酮、去离子水一种或多种混合物，超声清洗的时间为10-15min。
23、优选地，所述分散剂为kh570硅烷偶联剂、十八醇中的一种。
24、优选地，所述分散剂为kh570硅烷偶联剂。
25、与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
26、本专利技术通过多孔运载体、硝酸铟溶液和氢氧化钠配合使用制备得到多孔氧化铟，利用多孔结构能够消除弯折过程的内应力，提升弯折稳定性，同时利用孔道结构增加电极/电解液界面接触，提升电荷转移离子传输速度，改善电极反应动力学以实现快速的光-电响应，且通过分散剂对多孔的氧化铟进行表面改性，能够进一步避免发生聚团现象，提高分散性，从而能够进一步提高产品的稳定性和光-电响应。
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1.一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述改性氧化铟的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，将干燥后的多孔氧化铟进行改性表面处理的步骤包括:
4.根据权利要求2所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述多孔运载体是在800-1200℃，氩气的保护下，采用质量比为2.2-2.4：1的处理剂与碳纳米管混合接触，对碳纳米管进行刻孔，刻孔时间为30-80min制备而成。
5.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述处理剂为氢氧化钾、氢氧化钠中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，S02、取出真空室中的基底，采用磁控溅射方法依次溅射沉积第一氧化物层、金属层、第二氧化物层，磁控溅射的工作气体为氩气，所述氩气的纯度为＞99.9％，溅射温度在20-30℃；
7.根据权利要求1所
8.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述金属层中的金属为Ag、Au和Cu中的一种或多种混合。
9.根据权利要求8所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述金属层中的金属为质量比1-1.5：1为Au和Cu的混合物。
10.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，在步骤S01中的清洗液为乙醇、丙酮、去离子水一种或多种混合物，超声清洗的时间为10-15min。
...【技术特征摘要】
1.一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述改性氧化铟的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，将干燥后的多孔氧化铟进行改性表面处理的步骤包括:
4.根据权利要求2所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述多孔运载体是在800-1200℃，氩气的保护下，采用质量比为2.2-2.4：1的处理剂与碳纳米管混合接触，对碳纳米管进行刻孔，刻孔时间为30-80min制备而成。
5.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，所述处理剂为氢氧化钾、氢氧化钠中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种通电不透光电致变色薄膜制备方法，其特征在于，s02、取出真空室中的基底，采用磁控溅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张会峰，田野，杨哲，纪义国，付立成，张卫东，张延忱，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军航空大学，
类型：发明
国别省市：
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