【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种射频开关结构以及射频前端模组。
技术介绍
1、在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一，射频开关可用于将天线电连接到射频系统的发射路径或接收路径。在传统的晶体管堆叠的射频开关中，由于晶体管的开关速度较慢，导致射频开关的开关速度较慢，难以达到实际应用中的使用需求。
技术实现思路
1、本申请提出了一种射频开关结构以及射频前端模组。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频开关结构，包括：第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元，每个所述开关单元与一个所述第一电阻并联连接；其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。
3、可选地，所述射频开关结构还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号。
4、可选地，所述第二电阻与一个所述开关单元并联连接。
5、可选地，所述开关单元的数量小于或等于所述第一电阻和所述第二电阻的数量之和。
6、可选地，所述开关单元包括第二晶体管以及第三晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管并联连接，且所述第二晶体管与所述第三晶体管为导通条件相
7、可选地，所述第二晶体管的第一端与所述开关单元的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与所述开关单元的第二端连接，所述第二晶体管的第三端用于接收第二控制信号；所述第三晶体管的第一端与所述开关单元的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与所述开关单元的第一端连接，所述第三晶体管的第三端用于接收第三控制信号；其中，所述第二控制信号和所述第三控制信号为一对相位相反的控制信号。
8、可选地，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为沟道类型相反的金属氧化物半导体场效应管，或者，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为结构相反的双极结型晶体管。
9、可选地，所述第一晶体管为金属氧化物半导体场效应管；所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为源极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为漏极，或者，所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为漏极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为源极；所述金属氧化物半导体场效应管的第三端为栅极。
10、可选地，所述第一晶体管为双极结型晶体管；所述双极结型晶体管的第一端为发射极且所述双极结型晶体管的第二端为集电极，或者，所述双极结型晶体管的第一端为集电极且所述双极结型晶体管的第二端为发射极；所述双极结型晶体管的第三端为基极。
11、第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号；开关单元，所述开关单元与所述第二电阻并联连接；其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。
12、可选地，所述第二电阻的电阻值小于所述第一电阻的电阻值。
13、第三方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括上述的射频开关结构。
14、本申请实施例提供的射频开关结构包括：第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个第一晶体管串联设置于第一传输端口与第二传输端口之间，每个第一晶体管的第一端连接至相邻第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个第一电阻的第一端连接至对应的第一晶体管的第三端，每个第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元，每个第一电阻与一个开关单元并联连接；其中，开关单元的尺寸小于任一第一晶体管的尺寸。如此，将第一晶体管对应连接的第一电阻与开关单元并联连接，通过在射频开关结构开关状态切换时控制开关单元导通，减小了与开关单元对应连接的第一晶体管在开关状态的切换过程中的栅极电阻值，提升了第一晶体管的开关速度，进而有效提高了射频开关结构的开关速度。
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1.一种射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构包括：
2.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号。
3.根据权利要求2所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二电阻与一个所述开关单元并联连接。
4.根据权利要求3所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元的数量小于或等于所述第一电阻和所述第二电阻的数量之和。
5.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元包括第二晶体管以及第三晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管并联连接，且所述第二晶体管与所述第三晶体管为导通条件相反的晶体管。
6.根据权利要求5所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二晶体管的第一端与所述开关单元的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与所述开关单元的第二端连接，所述第二晶体管的第三端用于接收第二控制信号；
7.根据权利要求6所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为沟
8.根据权利要求1至7任一项所述的射频开关结构，其特征在于，所述第一晶体管为金属氧化物半导体场效应管；
9.根据权利要求1至7任一项所述的射频开关结构，其特征在于，所述第一晶体管为双极结型晶体管；
10.一种射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构包括：
11.根据权利要求10所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二电阻的电阻值小于所述第一电阻的电阻值。
12.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至11任一项所述的射频开关结构。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构包括：
2.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号。
3.根据权利要求2所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二电阻与一个所述开关单元并联连接。
4.根据权利要求3所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元的数量小于或等于所述第一电阻和所述第二电阻的数量之和。
5.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元包括第二晶体管以及第三晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管并联连接，且所述第二晶体管与所述第三晶体管为导通条件相反的晶体管。
6.根据权利要求5所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二晶体管的第一端与所述开关单元的第一端连接，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈劲业，蓝焕青，王欢，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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