【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜箔和pcb板加工领域，特别涉及一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺。
技术介绍
1、在锂电池中，铜箔主要作为正极集流体的材料，能够有效地收集正极活性材料释放的电流，它提供了一个导电的路径，将电流从正极活性材料传输到电池的外部电路中，光面铜箔具有更光滑的表面，较低表面粗糙度，光面铜箔可以提高电流集输效率，减少电池内部电阻，增加电池的输出功率，此外，铜箔的粗糙度如果超出标准，会造成锂离子电池的涂覆异常，铜箔外观有明显凹坑，经过涂覆工艺加工后，涂覆后的极片外观凹坑问题更加严重，表面有凹坑的极片做成的锂离子电池存在一致性差、内阻高等问题，因此，可以说铜箔表面粗糙度对电池负极电极制作工艺和电池性能有很大影响。
2、传统的铜抛光剂，在成份上，它含有六价铬，不环保；在使用效果上，对铜金属的腐蚀速度过快，而且在铜表面的腐蚀速度不一致，抛光后pcb板的导体铜线路变细，导致线路电阻相对增加，从而增加导体损耗，此外，在铜箔整平抛光上，对铜金属的咬蚀量太多，导致铜箔厚度变得太薄，工艺参数控制范围窄，生产操作空间小，为了弥补六价铬体系抛光清洗剂的环保问题，市场上有双氧水体系的抛光剂，但是双氧水易分解，使用工艺参数不稳定，容易导致质量问题，而且双氧水不慎接触皮肤，对人身有伤害，另外，在抛光清洗效果上，该体系会有点蚀以及局部抛光效果不一致的问题，所以，很有必要设计一种新工艺解决以上问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，可以有效解决
技术介绍
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，包括以下操作步骤：
4、s1：除油除氧化膜；
5、s2：水洗3次；
6、s3：沥掉水分；
7、s4：铜箔、pcb板整平抛光；
8、s5：水洗3次；
9、s6：稀酸脱膜；
10、s7：水洗2次；
11、s8：纯水洗第1次；
12、s9：纯水洗第2次；
13、s10：铜保护；
14、s11：纯水洗3次；
15、s12：气枪吹水；
16、s13：干燥。
17、进一步的，所述除油除氧化膜为10-30％浓度，铜箔或pcb板室温浸泡2-3分钟。
18、进一步的，所述水洗为铜箔、pcb板室温浸泡，每次20秒。
19、进一步的，所述沥掉水分为铜箔或pcb板空气中晾1-2分钟。
20、进一步的，所述铜箔、pcb板整平抛光为常温浸泡1-1.5分钟。
21、进一步的，所述稀酸脱膜为5％整平抛光剂室温浸泡1-1.5分钟。
22、进一步的，所述纯水洗中纯水电导率小于2μs/cm。
23、进一步的，所述铜保护为20-30％浓度，常温-70度，浸泡3分钟。
24、进一步的，所述气枪吹水为空压机安装水气或油气分离器，把铜箔或pcb板表面水分全部吹掉。
25、进一步的，所述干燥为80-130℃，时间3-5分钟。
26、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
27、本专利技术中，整平抛光速度适中(25-30℃，0.95±0.1μm/min)，达到光泽度的同时减少铜金属的损失；在金属表面各区域的腐蚀速度一致，能够保持线路原本的形状；缓蚀性佳，可以降低点蚀的发生，能有效降低信号在pcb板上传输的信号损耗；对于铜箔，厚度损耗更少；维护方法简单方便，降低用户的使用成本；出光速度快，提高生产效率。
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1.一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述除油除氧化膜为10-30％浓度，铜箔或PCB板室温浸泡2-3分钟。
3.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述水洗为铜箔、PCB板室温浸泡，每次20秒。
4.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述沥掉水分为铜箔或PCB板空气中晾1-2分钟。
5.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述铜箔、PCB板整平抛光为常温浸泡1-1.5分钟。
6.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述稀酸脱膜为5％整平抛光剂室温浸泡1-1.5分钟。
7.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述纯水洗中纯水电导率小于2μS/cm。
8.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述铜保护为20-30％浓度，
9.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述气枪吹水为空压机安装水气或油气分离器，把铜箔或PCB板表面水分全部吹掉。
10.根据权利要求1所述的一种铜箔和PCB板的整平抛光工艺，其特征在于：所述干燥为80-130℃，时间3-5分钟。
...【技术特征摘要】
1.一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，其特征在于：包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，其特征在于：所述除油除氧化膜为10-30％浓度，铜箔或pcb板室温浸泡2-3分钟。
3.根据权利要求1所述的一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，其特征在于：所述水洗为铜箔、pcb板室温浸泡，每次20秒。
4.根据权利要求1所述的一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，其特征在于：所述沥掉水分为铜箔或pcb板空气中晾1-2分钟。
5.根据权利要求1所述的一种铜箔和pcb板的整平抛光工艺，其特征在于：所述铜箔、pcb板整平抛光为常温浸泡1-1.5分钟。
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃，方纪云，
申请(专利权)人：深圳市天跃新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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