【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器材料，尤其涉及一种基于原子层沉积制备x7r温度特性电容器基片的方法及x7r温度特性电容器基片。
技术介绍
1、随着单层片式瓷介电容器(以下简称单层电容器)不断向更高的电容量、更高的电压、更高的绝缘电阻、更宽的使用温度范围的方向发展，对单层电容器用电容器材料及基片提出了更高的要求，即电容器材料及基片的介电常数更高、击穿电压越高、介电常数随温度的变化更小。
2、电容器陶瓷材料可分为1类瓷陶瓷材料、2类瓷陶瓷材料及3类瓷陶瓷材料。1类瓷陶瓷材料一般介电常数较小，但具有较高的稳定性、较宽的使用温度范围、较高的绝缘电阻。2类瓷陶瓷材料具有较高的介电常数，较高的绝缘电阻，但介电常数随温度的变化较大。常用的2类瓷陶瓷材料，介电常数一般为1000～25000，但具有x7r温度特性(eia标准，温度范围-55～+125℃，介电常数随温度的变化率≦±15％)的2类瓷陶瓷材料的介电常数范围一般为1000～5000，介电常数大于5000的2类瓷陶瓷材料的介电常数随温度的变化率大于±15％，如y5u602的2类瓷陶瓷材料，25℃的介电常数为6000，但使用温度范围为-25～+85℃，介电常数随温度的变化率的范围为±22％～-56％；y5v173的2类瓷陶瓷材料，25℃的介电常数为17000，但使用温度范围为-25～+85℃，介电常数随温度的变化率的范围为±30％～-80％。介电常数大于5000的2类瓷陶瓷材料，虽然具有较高的介电常数，但使用温度范围窄，介电常数随温度的变化率大，是一种使用条件受到极大限制的电容器材料。3类瓷
3、目前常用的方法是从材料的配方和烧结工艺方面进行改进，方法一、如为了降低介电常数随温度的变化率，可以将具有正温度系数和负温度系数的材料按一定比例配比，以降低介电常数随温度的变化率。
4、方法二、也常用离子取代的方法以改善材料的介质损耗、绝缘电阻、温度系数等性能。从材料的配方和烧结工艺方面对材料进行性能改善，虽能取得效果，但存在不足，从材料配方和烧结工艺的改进方面，目前一直无法开发出介电常数6000～14000、使用温度范围-55～+125℃、介电常数随温度的变化不超过±15％的介电材料。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于原子层沉积制备x7r温度特性电容器基片的方法及x7r温度特性电容器基片。本专利技术提供的方法得到的x7r温度特性电容器基片，相比于原始基片，介电常数有一定程度降低。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种基于原子层沉积制备x7r温度特性电容器基片的方法，包括以下步骤：
4、将陶瓷材料基片进行氧化处理，得到氧化基片；
5、在所述氧化基片沉积原子沉积层，进行烧结，得到所述x7r温度特性电容器基片；
6、所述原子沉积层的组成为金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化钙、氧化锆和氧化铪中的一种或多种；
7、所述烧结的温度为800～1300℃；
8、所述陶瓷材料基片的材质为3类瓷陶瓷材料。
9、优选地，所述烧结的时间为30～90min。
10、优选地，所述烧结在空气氛围下进行。
11、优选地，所述沉积原子沉积层的参数包括：真空度为20～40pa，温度为200～400℃，工作气体的脉冲时间为0.1～0.2s，所述工作气体的流量为100～200sccm，氧化剂为水蒸汽，所述氧化剂的脉冲时间为0.1～0.2s，所述氧化剂的流量为100～200sccm。
12、优选地，所述原子沉积层的厚度为20～30nm。
13、优选地，所述氧化处理包括以下步骤：在所述陶瓷材料基片的表面涂布氧化剂，进行加热。
14、优选地，所述氧化剂包括bi2o3、sio2、cuo、mno2和pbo2中的一种或多种。
15、优选地，所述氧化剂的涂布厚度为0.5～10μm。
16、优选地，所述加热的温度为1200～1250℃，保温时间为60～90min。
17、本专利技术还提供了上述技术方案所述的方法得到的x7r温度特性电容器基片，所述x7r温度特性电容器基片的介电常数为6000～14000。
18、本专利技术提供了一种基于原子层沉积制备x7r温度特性电容器基片的方法，包括以下步骤：将陶瓷材料基片进行氧化处理，得到氧化基片；在所述氧化基片沉积原子沉积层，进行烧结，得到所述x7r温度特性电容器基片；所述原子沉积层的组成为金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化钙、氧化锆和氧化铪中的一种或多种；所述烧结的温度为800～1300℃；所述陶瓷材料基片的材质为3类瓷陶瓷材料。
19、本专利技术首先将陶瓷材料基片进行氧化处理，再沉积原子沉积层(所述原子沉积层的组成为金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化钙、氧化锆和氧化铪中的一种或多种)，最后经烧结，得到了x7r温度特性电容器基片，即所得电容器基片使用温度范围-55～+125℃、介电常数随温度的变化不超过±15％；同时，相比于原始陶瓷材料基片，介电常数有一定程度降低。在实施例的数据表明，本专利技术所得改进陶瓷材料基片的介电常数为6000～14000，使用温度范围-55～+125℃、介电常数随温度的变化不超过±15％。
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1.一种基于原子层沉积制备X7R温度特性电容器基片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结的时间为30～90min。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述烧结在空气氛围下进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积原子沉积层的参数包括：真空度为20～40Pa，温度为200～400℃，工作气体的脉冲时间为0.1～0.2s，所述工作气体的流量为100～200sccm，氧化剂为水蒸汽，所述氧化剂的脉冲时间为0.1～0.2s，所述氧化剂的流量为100～200sccm。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述原子沉积层的厚度为20～30nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化处理包括以下步骤：在所述陶瓷材料基片的表面涂布氧化剂，进行加热。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化剂包括Bi2O3、SiO2、CuO、MnO2和PbO2中的一种或多种。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为1200～1250℃，保温时间为60～90min。
10.权利要求1～9任一项所述的方法得到的X7R温度特性电容器基片，所述X7R温度特性电容器基片的介电常数为6000～14000。
...【技术特征摘要】
1.一种基于原子层沉积制备x7r温度特性电容器基片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结的时间为30～90min。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述烧结在空气氛围下进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积原子沉积层的参数包括：真空度为20～40pa，温度为200～400℃，工作气体的脉冲时间为0.1～0.2s，所述工作气体的流量为100～200sccm，氧化剂为水蒸汽，所述氧化剂的脉冲时间为0.1～0.2s，所述氧化剂的流量为100～200sccm。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述原子沉积层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊锋，冯毅龙，罗育红，林秀钦，李宇阳，丁明建，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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