【技术实现步骤摘要】
本揭露的实施方式是有关于一种相变装置。
技术介绍
1、现代电子应用要求开关装置能够适应高频率的信号，例如用于第五代(5g)无线应用的27ghz(千兆赫)或更高的频带。装置参数的要求却难以符合当今的半导体开关技术，例如cmos技术。对高频应用而言，具有快速开关时间的相变开关为有前途的替代技术之一。相变开关使用相变材料以控制两端点之间的导通。利用例如通过对相变材料施加热量而在高电阻状态与低电阻状态之间的转换，来进行开关操作。
2、尽管前景看好，相变材料依然在装置参数要求诸如ron(导通电阻)、coff(关断电容)与功耗等中面临挑战。因此，需要进一步的改良。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，提供相变装置。相变装置包含具有上表面的基材。加热器结构设在基材上。加热器结构具有在加热器结构的相对两侧的第一侧壁与第二侧壁。第一介电区设在加热器结构上。第二介电区设在加热器结构的第一侧壁上。相变元件设在第一介电区、加热器结构、第二介电区、与基材的上表面的第一部上，基材的上表面的第一部向远离第二介电区以及加热器结构的方向延伸。相变装置也包含第一导电区与第二导电区，设在相变元件上，且设在第二介电区的相对两侧上。
2、在一些实施方式中，相变装置包含具有上表面的基材，且加热器结构具有在加热器结构的相对两侧上的第一侧壁与第二侧壁。相变装置包含相变元件设在加热器结构上。相变元件包含三连接部。第一部设在加热器结构上。第二部设在加热器结构的第一侧壁上。第三部设在基材的上表面的第一部上，且与
3、在一些实施方式中，相变装置包含基材、加热器结构、第一介电区、第二介电区、以及相变元件。基材包含上表面。加热器结构设在基材上，加热器结构具有在加热器结构的相对两侧的第一侧壁与第二侧壁。第一介电区设在加热器结构上。第二介电区设在热器结构的第一侧壁上。相变元件包含第一部、第二部、以及第三部。第一部设在第一介电区与加热器结构上。第二部设在第二介电区上。第三部设在基材的上表面的第一部上，基材的上表面的第一部向远离第二介电区与加热器结构的方向延伸。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种相变装置，其特征在于，所述相变装置包含：
2.如权利要求1所述的相变装置，其特征在于，所述第二介电区配置为所述加热器结构的一侧壁间隙壁，且垂直设在所述基材的所述上表面。
3.如权利要求1或2中所述的相变装置，其特征在于，所述相变元件包含一部垂直于所述基材的所述上表面延伸，且邻设于所述第二介电区。
4.如权利要求1所述的相变装置，其特征在于，所述相变装置还包含一第三介电区设在所述加热器结构的所述第二侧壁上，
5.如权利要求4所述的相变装置，其特征在于，所述相变装置还包含一第三导电区设在所述基材的所述上表面的所述第二部上的所述相变元件上。
6.一种相变装置，其特征在于，所述相变装置包含：
7.如权利要求6所述的相变装置，其特征在于，所述相变装置还包含：
8.一种相变装置，其特征在于，所述相变装置包含：
9.如权利要求8所述的相变装置，其特征在于，还包含：
10.如权利要求8或9所述的相变装置，其特征在于，所述相变元件还包含：
【技术特征摘要】
1.一种相变装置，其特征在于，所述相变装置包含：
2.如权利要求1所述的相变装置，其特征在于，所述第二介电区配置为所述加热器结构的一侧壁间隙壁，且垂直设在所述基材的所述上表面。
3.如权利要求1或2中所述的相变装置，其特征在于，所述相变元件包含一部垂直于所述基材的所述上表面延伸，且邻设于所述第二介电区。
4.如权利要求1所述的相变装置，其特征在于，所述相变装置还包含一第三介电区设在所述加热器结构的所述第二侧壁上，
5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国彬，丁裕伟，叶宗浩，黄国钦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。