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【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种具调整功能的承载机构,适用于一沉积机台,有利于提高对位销对位覆盖环的准确度,以提高沉积制程的稳定度。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)及原子层沉积(ald)皆是常用的沉积设备,并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
2、沉积的设备主要包括一腔体及一承载盘,其中承载盘位于腔体内,并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例,腔体内需要设置一靶材,其中靶材面对承载盘上的晶圆。
3、在进行物理气相沉积时,会通过盖环(clamp ring)将晶圆固定在承载盘上,并将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内,分别对靶材及承载盘施加偏压,其中承载盘还会加热承载的晶圆。腔体内的惰性气体会因为高压电场的作用,形成离子化的惰性气体。离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子会受到承载盘上的偏压吸引,并沉积在加热的晶圆的表面,以在晶圆的表面形成薄膜。
技术实现思路
1、专利技术提出一种新颖的具调整功能的承载机构,包括若干个可调式对位装置,在进行沉积制程之前,可先定位及调整各个可调式对位装置的位置,以避免不同批次生产的承载机构的对位装置的位置不同,而影响沉积制程的稳定度。
2、本专利技术的一目的,在于提出一种具调整功能的承载机构,主要包括一承载盘及若干个可调式对位装置,其中可调式对位装置位于承载盘的周围,并可相对于承载盘位移,以利于使用者调整及校正各个可调式对位装置的位置。
< ...【技术保护点】
1.一种具调整功能的承载机构,其特征在于,适用于沉积机台,其中该沉积机台包括覆盖环,用以覆盖及固定放置在该具调整功能的承载机构的晶圆,包括:
2.根据权利要求1所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该承载盘包括若干个凹槽,环绕设置在该承载面的周围,而该可调式对位装置设置在该凹槽内。
3.根据权利要求2所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该凹槽与该可调式对位装置的该座体之间具有导轨,该座体沿着该导轨相对于该承载盘的该承载面位移。
4.根据权利要求1所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,包括定位治具,用以连接该承载盘,并定位该可调式对位装置,该定位治具包括:
5.根据权利要求4所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该定位单元为凸出部,并设置在该定位治具的该板体上。
6.根据权利要求4所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该板体包括定位穿孔,而该定位单元用以穿过该板体的该定位穿孔,并插入该承载盘的该定位孔。
7.根据权利要求2所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该承载盘包括至少一
8.根据权利要求1所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该固定单元包括杆体及头部,该固定单元的该杆体穿过该座体的该连接穿孔,并连接该承载盘的该固定孔,其中该座体的该连接穿孔的截面积大于该固定单元的该杆体的截面积。
9.一种沉积机台,其特征在于,包括:
10.根据权利要求9所述的沉积机台,其特征在于,包括定位治具,用以放置在该承载盘上,该定位治具包括:
...【技术特征摘要】
1.一种具调整功能的承载机构,其特征在于,适用于沉积机台,其中该沉积机台包括覆盖环,用以覆盖及固定放置在该具调整功能的承载机构的晶圆,包括:
2.根据权利要求1所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该承载盘包括若干个凹槽,环绕设置在该承载面的周围,而该可调式对位装置设置在该凹槽内。
3.根据权利要求2所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该凹槽与该可调式对位装置的该座体之间具有导轨,该座体沿着该导轨相对于该承载盘的该承载面位移。
4.根据权利要求1所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,包括定位治具,用以连接该承载盘,并定位该可调式对位装置,该定位治具包括:
5.根据权利要求4所述的具调整功能的承载机构,其特征在于,其中该定位单元为凸出部,并设置在该定位治具的该板体上。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:林俊成,沈祐德,
申请(专利权)人:天虹科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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