一种磁性随机存储器，用于提高磁性随机存储器的存储密度；包括多个结构单元以及多条辅助电流线，其中，多条辅助电流线平行，多个结构单元所在的平面平行，且多个结构单元中的每个结构单元所在的平面均与所有辅助电流线垂直；在多个结构单元的每个结构单元中，都包括依次堆叠的多层存储结构，多层存储结构的每层存储结构均包括与辅助电流线垂直的自旋轨道力矩SOT电极线以及设置于SOT电极线上的存储单元；存储单元包括磁性隧道结，其一端与多条辅助电流线中的一条辅助电流线连接，另一端与SOT电极线连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文静，叶力，金国栋，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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