【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种多层有机基板的加工方法，尤其涉及一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法。
技术介绍
1、多层有机基板（muti-layered organic substrate），简称mlo，是芯片与pcb母板之间电子连接结构，起着“承上启下”的作用。晶圆和测试机之间通过mlo建立电性连接，通过测试机调配资源并完成自动化测试，对半导体晶圆上未封装的芯片（裸芯片）进行电性能测试，从而保证晶圆上裸芯片的品质。
2、mlo其用于搭载垂直探针卡来测试未切割的晶圆，在mlo上植入特定尺寸探针的区域（c4-pad区域）需要匹配被测晶圆上的触点，晶圆测试要求探针具有良好的共面性，这就要求植入探针的mlo基板具有良好的表面平整度。
3、mlo加工时，每个样品被均匀排布在一张标准尺寸的panel上，进行批量作业，加工完成后通过成型的方式将每个样品分割成单pcs（参见图1）。通过将mlo和pcb通过bga焊接之后，组装上ph（probe head 探针头），探针针尾接触mlo的c4-pad区域，探针针尖接触晶圆。通常晶圆测试要求严格所有的探针针尖平整度（即针尖的高低极差）一致性，平整度越小，越有利于晶圆电测。由于探针的针尾直接接触mlo的c4-pad区域，mlo的c4-pad区域的平整度直接影响到探针针尖的平整度。在不考虑针尖平整度差异的影响下，通常要求mlo的c4-pad测试区域的平整度必须≤50um。随着高测试效率和高数据吞吐率的测试要求，使得客户对于探针卡的c4-pad测试区域变大的需求也越来越迫切，c4-pad
技术实现思路
1、一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，包括如下步骤：
2、s01:制作芯板层，芯板层由双面板或者多层板一次性压合，通过钻孔的形式形成导通；
3、s02:abf薄膜压合，在所述芯板层的正反两面分别压合abf薄膜；
4、s03:镭射钻孔，通过co2激光器或uv激光器在abf薄膜上激光烧蚀出盲孔；
5、s04:除胶和化学沉铜，通过化学方式去除激光烧蚀出盲孔后的胶渣，以及通过化学沉铜的方式在所述盲孔底部和abf薄膜表面沉积铜层作为导电层，导电层的厚度为1-2um；
6、s05:图形转移，该步骤包括贴干膜-曝光-显影，曝光的干膜形成抗镀层，未被曝光的干膜通过显影药水去除，显影药水去除的干膜位置作为后续电镀铜的位置开窗露出；
7、s06:电镀铜，同步进行盲孔电镀填平和线路电镀铜；
8、s07:去膜+闪蚀，利用化学方法去除步骤s05中被曝光的干膜，露出底部余下的导电层，再通过闪蚀的方式，去除所述余下的导电层，形成图案化线路层；
9、s08:表面处理；
10、s09:防焊，添加防焊层，且暴露出图案化线路层；
11、s10:一次成型，捞角留边，将每个pcs与板框panel相连的四个边角捞开实现预切割，留下的四条连接边长度分别为单边原长的10%-35%；
12、s11:压机压烤，烘烤温度120-170℃，压力200psi，保温时间3h；
13、s12:二次成型，完全切断一次成型后所述留下的四条连接边；
14、s13:成品检验，通过测试机对成品进行检验，将不合格的产品剔除。
15、进一步地，一次成型捞角留边中，留下的四条连接边长度分别为单边原始长度的20%。
16、进一步地，一次成型中，钻针直径1.0mm，钻速25-30krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
17、进一步地，压机压烤中，烘烤温度设定为150℃，压力为200psi，时间为3h。
18、进一步地，在多层有机基板的两边分别对称放置离型膜、钢板、缓冲垫后置于压机内进行压烤。
19、进一步地，二次成型中，钻针直径1.0mm，钻速25-30krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
20、有益效果
21、mlo加工时，每个样品被均匀排布在一张标准尺寸的panel上，进行批量作业，加工完成后通过成型的方式将每个样品分割成单个pcs。本专利技术采用分步二次成型的方式，一次成型后经过压机压烤，再进行二次成型。本申请采用该种分步成型的方式，特别地，一次成型中优先捞角留边的方式，留下的连接边长度为单边原长的10%-35%，优选为20%，结合压机压烤烘烤温度120-170℃，压力200psi，保温时间3h，上述留边长度与压机压烤工艺参数、钻针工艺参数以及其他加工工艺各参数之间是具有协同作用的，整体获得了意料不到的技术效果，上述参数整体协同作用实现了线路板平整度的显著提升。
22、该种方式使得一次成型捞角留边后单个pcs周围的应力基本释放完全，降低mlo在成型后由于应力释放带来的板弯翘，尤其适用板厚薄、叠加层次高、尺寸大的情况，显著降低由于材料应力变化导致的产品形变。经测试，分步二次成型对平整度有明显正作用，得到的高层次mlo面平整度≤75um，c4-pad区域≤50um。
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1.一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤S10中，钻针直径1.0mm，钻速25-30Krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
3.如权利要求2所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤S12中，钻针直径1.0mm，钻速25-30Krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
4.如权利要求1所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤S11中，烘烤温度设定为150℃，压力为200psi，时间为3H。
5.如权利要求4所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤S11中，在多层有机基板的两边分别对称放置离型膜、钢板、缓冲垫后置于压机内进行压烤。
6.如权利要求1所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤S10中，留下的四条连接边长度分别为单边原始长度的20%。
...【技术特征摘要】
1.一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤s10中，钻针直径1.0mm，钻速25-30krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
3.如权利要求2所述的一种分步成型提升多层有机基板平整度的加工方法，其特征在于：步骤s12中，钻针直径1.0mm，钻速25-30krpm，下刀速0.3m/min，退刀速12m/min，寿命4m。
【专利技术属性】
技术研发人员：杨子璐，
申请(专利权)人：圆周率半导体南通有限公司，
类型：发明
国别省市：
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