【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及低噪声放大器，特别是指一种低噪声放大器的电路结构。
技术介绍
1、为了提高通信系统的通信质量，通常会把低噪声放大器（low-noise amplifier）作为射频接收设备的第一级，该低噪声放大器的噪声系数直接决定了射频接收设备的噪声系数，低噪声放大器的噪声系数越低则射频接收设备的噪声系数越低。
2、现有的低噪声放大器的输入端通常需要接有esd保护电路（即静电保护电路）；比如，在无线通信系中时，低噪声放大器的输入端通常直接连接到接收天线，这样连接使得低噪声放大器的输入端需要连接esd保护电路进行保护；而在有线通信系统中，低噪声放大器也经常直接连接射频电缆的接口端，这样的连接也使得低噪声放大器的输入端需要连接esd保护电路进行保护;另外，低噪声放大器是对交流信号进行处理的工作电路，因此通常也需要一个偏置电路连接低噪声放大器的输入端以提供直流偏置。
3、图1示出了现有的一种低噪声放大器的电路结构，其中，外部的射频信号从信号输入端口1输入放大电路2的输入端，射频信号经过放大电路2放大后输出，而esd保护电路3则直接连接放大电路2的输入端而提供静电保护功能，偏置电路4连接放大电路2的输入端以提供直流偏置。另外，在中国专利cn116470893a公开的一种具有mos管的电路及lna单级放大装置中，也是将esd保护电路3直接连接放大电路2的输入端而提供静电保护功能，偏置电路4连接放大电路2的输入端以提供直流偏置。
4、图2示出了现有的esd保护电路3的电路结构及其对交流信号的等效电路，现有的
5、有鉴于上述问题的存在，有必要研究一种低噪声放大器的电路结构，其能有效避免esd保护电路恶化低噪声放大器的噪声系数。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种低噪声放大器的电路结构，其能有效避免esd保护电路恶化低噪声放大器的噪声系数。
2、为了达成上述目的，本专利技术的解决方案是：
3、一种低噪声放大器的电路结构，其包括射频通路和辅助支路；所述射频通路包括信号输入端口、串联电感和放大电路，信号输入端口通过串联电感连接放大电路的输入端；所述辅助支路包括esd保护电路、旁路电容和并联电感，旁路电容的第一端和esd保护电路连接并联电感的第一端，旁路电容的第二端接地，并联电感的第二端与射频通路的信号输入端口或放大电路的输入端连接，并联电感属于四分之一波长电感。
4、所述并联电感为四分之一波长键合电感。
5、所述辅助支路还包括连接焊盘；所述四分之一波长键合电感的第一端与连接焊盘键合连接，四分之一波长键合电感的第二端与信号输入端口键合连接，连接焊盘连接旁路电容的第一端和esd保护电路。
6、所述并联电感为四分之一波长片上电感，四分之一波长片上电感的第一端连接旁路电容的第一端和esd保护电路，四分之一波长片上电感的第二端与放大电路的输入端连接。
7、所述的一种低噪声放大器的电路结构还包括偏置电路，偏置电路连接旁路电容的第一端和esd保护电路。
8、所述的一种低噪声放大器的电路结构还包括偏置电路，偏置电路与放大电路的输入端连接。
9、所述放大电路的输入端通过片上电容连接串联电感。
10、所述的一种低噪声放大器的电路结构还包括第一偏置电路和第二偏置电路，第一偏置电路与放大电路的输入端连接，第二偏置电路连接旁路电容的第一端和esd保护电路。
11、所述放大电路的输入端通过片上电容连接串联电感。
12、所述信号输入端口串联有片外电容。
13、采用上述方案后，本专利技术的辅助支路的旁路电容和esd保护电路为并联设置，这样当射频信号输入到信号输入端口时，旁路电容会将esd保护电路进行交流短路，同时并联电感会起到阻抗变换的作用而使得辅助支路相对于射频通路的信号输入端口或放大电路的输入端的输入阻抗很大，使得辅助支路相当于开路，这样就能使得辅助支路的esd保护电路不会恶化射频信号的噪声，有效避免esd保护电路恶化低噪声放大器的噪声系数，使得低噪声放大器的噪声系数好。另外，本专利技术可以通过并联电感和串联电感也能实现将低噪声放大器的输入阻抗与发射射频信号的信号源的输出阻抗进行匹配，避免阻抗失调造成的射频信号的损失。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：包括射频通路和辅助支路；
2.如权利要求1所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述并联电感为四分之一波长键合电感。
3.如权利要求2所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述辅助支路还包括连接焊盘；
4.如权利要求1所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述并联电感为四分之一波长片上电感，四分之一波长片上电感的第一端连接旁路电容的第一端和ESD保护电路，四分之一波长片上电感的第二端与放大电路的输入端连接。
5.如权利要求1至4任意一项所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：还包括偏置电路，偏置电路连接旁路电容的第一端和ESD保护电路。
6.如权利要求1至4任意一项所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：还包括偏置电路，偏置电路与放大电路的输入端连接。
7.如权利要求6所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述放大电路的输入端通过片上电容连接串联电感。
8.如权利要求1至4任意一项所述的一种低噪声放大器的电路结
9.如权利要求8所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述放大电路的输入端通过片上电容连接串联电感。
10.如权利要求1所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述信号输入端口串联有片外电容。
...【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：包括射频通路和辅助支路；
2.如权利要求1所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述并联电感为四分之一波长键合电感。
3.如权利要求2所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述辅助支路还包括连接焊盘；
4.如权利要求1所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：所述并联电感为四分之一波长片上电感，四分之一波长片上电感的第一端连接旁路电容的第一端和esd保护电路，四分之一波长片上电感的第二端与放大电路的输入端连接。
5.如权利要求1至4任意一项所述的一种低噪声放大器的电路结构，其特征在于：还包括偏置电路，偏置电路连接旁路电容的第一端和esd保护电路。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：袁晖，王建钦，
申请(专利权)人：厦门科塔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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