【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子集成，具体而言，涉及一种开关功率管可调限流值的限流保护电路。
技术介绍
1、目前在开关控制芯片中，经常需要有持续的输出电流，但在芯片处于特定的工作环境如高温、低压状态时，芯片会进入保护或者重启状态，可能会导致输出电流变大或者突变的情况，甚至在某些极限的情况下突变电流会远超出功率驱动管能承受的最大电流能力，如果没有专门的限流保护结构对输出电流加以限制，芯片很容易因功率驱动管烧毁而无法正常工作。
2、在传统的限流保护结构中，通常以电阻采样的方式在输出管与地线之间串联小电阻来接收输出电流值的大小，当输出电流过大时，电流通过采样电阻产生一个较大的采样电平，当采样电压达到设定电压值时，由采样控制电路产生控制信号，限制输出电流的增大或者使输出管处于关断状态，然而，由于在输出结构中引入小电阻的缘故，功率驱动管本身的导通电阻进一步增大，限制了该结构在正常工作情况下的工作性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种开关功率管可调限流值的限流保护电路，用以解决上述现有技术存在的问题。
2、为达到上述目的，本专利技术提供了一种开关功率管可调限流值的限流保护电路，用于控制一外部采样功率管p中的电流不超过预设限定值，其包括：放大器op1、电流源ibia、nmos1～nmos14、pmos1～pmos13、电阻rset、电阻r1、电容c1以及延时电路，其中：
3、放大器op1的正极与一电压vref连接，放大器op1的负极与电阻r1的第一端连接，放大器op
4、电流源ibia与nmos1的漏极、nmos1的栅极、nmos2的栅极、nmos6的栅极、nmos9的栅极、nmos10的栅极、nmos11的栅极连接，
5、nmos1～nmos7的源极、nmos9～nmos10的源极共线，
6、一输入电压vin与pmos3的漏极、pmos8的漏极、pmos9的漏极、pmos12的漏极、pmos13的漏极、外部采样功率管p的漏极连接，
7、外部采样功率管p的源极连接一负载rload后接地，
8、一电压输出端vout与pmos1的漏极连接，pmos1的源极与pmos2的漏极连接，pmos2的源极与nmos2的漏极、nmos3的漏极、nmos4的漏极连接，
9、pmos1、pmos6、pmos10共栅极，pmos2的栅极与pmos4的栅极、pmos5的栅极、pmos7的栅极、pmos11的栅极、nmos5的漏极、nmos6的漏极共线，
10、pmos3的源极与pmos4的漏极、pmos6的漏极连接，
11、pmos4的源极与pmos5的漏极连接，
12、pmos7的源极、nmos7的漏极、nmos7的栅极、nmos5的栅极、nmos4的栅极共线，
13、pmos8的源极与pmos9的源极、pmos10的漏极连接，
14、pmos10的源极与pmos11的漏极连接，pmos11的源极与电阻rset的第一端连接，
15、pmos12的栅极与pmos13的栅极、nmos12的漏极连接，nmos12的源极与nmos9的漏极连接，
16、pmos13的源极与延时电路的第一端以及nmos10的漏极连接，
17、nmos14的源极与延时电路的第一端、nmos13的漏极以及连接，
18、nmos13的栅极与延时电路的第二端连接，nmos13的源极与nmos11的漏极连接，
19、nmos3、nmos4、nmos7的宽长比为2:1:1。
20、本专利技术提供的开关功率管可调限流值的限流保护电路综合考虑了采样精度、速度以及功耗等因素，大大提高了芯片限流的反应速度和精度，实现了在轻载情况下有效降低电路的功耗。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种开关功率管可调限流值的限流保护电路，用于控制一外部采样功率管P中的电流不超过预设限定值，其特征在于，包括：放大器OP1、电流源IBIA、NMOS1～NMOS14、PMOS1～PMOS13、电阻RSET、电阻R1、电容C1以及延时电路，其中：
【技术特征摘要】
1.一种开关功率管可调限流值的限流保护电路，用于控制一外部采样功率管p中的电流不超过预设限定值，其特征在于，包括：放大器op...
【专利技术属性】
技术研发人员：李典，郑家强，杨聪，邓晓军，李逊博，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。