System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高集成度双模放大器芯片制造技术_技高网

一种高集成度双模放大器芯片制造技术

技术编号:40002289 阅读:16 留言:0更新日期:2024-01-09 03:58
本发明专利技术公开了一种高集成度双模放大器芯片,属于集成电路设计技术领域,包括A通道第一开关网络、A通道第二开关网络、A通道第三开关网络、A通道第四开关网络、B通道第一开关网络、B通道第二开关网络、第一放大网络、第二放大网络、第一巴伦网络、第二巴伦网络、输入关断驻波匹配网络和输出关断驻波匹配网络;本发明专利技术芯片具有高集成度特点,集成了放大器、巴伦、平衡式和非平衡式开关,进而可实现单双通道双模转换。本发明专利技术结合了巴伦、达林顿结构、共源共栅结构和负反馈结构,由此可实现宽频带下的高增益和高线性,同时还具有较好的增益平坦度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路设计,具体涉及一种高集成度双模放大器芯片


技术介绍

1、随着通信技术的发展,当今对射频器件体积的小型化要求越来越高,因此也迫使芯片具有高集成度特性,不仅需要多种功能集成,而且单一的工作模式有时也不能满足系统的需求。而对于双通道放大系统,有时还需要根据使用实现单/双通道切换,完成不同放大功能。

2、为了减小信号失真,需要提高放大器的线性度,而目前实现宽频带的高线性设计仍然是一大挑战,特别是对信号放大能力还做较高要求的前提下,在高增益和高线性之间很难找到合适的匹配。


技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供的高集成度双模放大器芯片解决了单芯片双模放大、单双通道可自由切换以及现有的双模放大器较难实现的宽频带内高线性,难以在高增益和高线性之间找到合适的匹配的问题。

2、为了达到上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案为:一种高集成度双模放大器芯片,包括a通道第一开关网络、a通道第二开关网络、a通道第三开关网络、a通道第四开关网络、b通道第一开关网络、b通道第二开关网络、第一放大网络、第二放大网络、第一巴伦网络、第二巴伦网络、输入关断驻波匹配网络和输出关断驻波匹配网络;

3、所述a通道第一开关网络的输入端作为所述高集成度双模放大器芯片的a通道射频输入端,所述a通道第一开关网络的第一输出端与第一放大网络的输入端连接,所述a通道第一开关网络的第二输出端通过第一巴伦网络与a通道第三开关网络的输入端连接,所述a通道第三开关网络的第一输出端与第一放大网络的输入端连接,所述a通道第三开关网络的第二输出端与第二放大网络的输入端连接,所述第一放大网络的输出端分别与a通道第二开关网络的第一输入端和a通道第四开关网络的第一输入端连接,所述a通道第四开关网络的输出端通过第二巴伦网络与a通道第二开关网络的第二输入端连接,所述a通道第二开关网络的输出端作为所述高集成度双模放大器芯片的a通道射频输出端;

4、所述b通道第一开关网络的输入端作为所述高集成度双模放大器芯片的b通道射频输入端,所述b通道第一开关网络的第一输出端与第二放大网络的输入端连接,所述b通道第一开关网络的第二输出端与输入关断驻波匹配网络连接,所述第二放大网络的输出端与分别与a通道第四开关网络的第二输入端和b通道第二开关网络的第一输入端连接,所述b通道第二开关网络的第二输入端与输出关断驻波匹配网络连接,所述b通道第二开关网络的输出端作为所述高集成度双模放大器芯片的b通道射频输出端。

5、进一步地,所述a通道第一开关网络包括电容c1;

6、所述电容c1的一端作为所述a通道第一开关网络的输入端,电容c1的另一端分别与开关管ms1漏极和开关管ms3的漏极连接,所述开关管ms1的栅极与电阻rs1的一端连接,所述电阻rs1的另一端与控制电压vcon1连接,所述开关管ms1的源极分别与开关管ms2的漏极和微带线tl1的一端连接,所述微带线tl1的另一端作为所述a通道第一开关网络的第一输出端,所述开关管ms2的栅极与电阻rs2的一端连接,所述电阻rs2的另一端与控制电压vcon2连接,所述开关管ms3的栅极与电阻rs3的一端连接,所述电阻rs3的另一端与控制电压vcon2连接,所述开关管ms3的源极作为所述a通道第一开关网络的第二输出端;

7、所述第一巴伦网络包括电感l1和接地电感l2;

8、所述电感l1的一端与开关管ms3的源极连接,所述电感l1的另一端与接地电感l3连接;

9、所述a通道第三开关网络包括开关管ms4和开关管ms5;

10、所述开关管ms4的漏极与电感l1的另一端连接,所述开关管ms4的栅极与电阻rs6的一端连接,所述电阻rs6的另一端与控制电压vcon2连接,所述开关管ms4的源极作为所述a通道第三开关网络的第一输出端;

11、所述开关管ms5的漏极与接地电感l2的非接地端连接,所述开关管ms5的栅极与电阻rs7的一端连接,所述电阻rs7的另一端与控制电压vcon2连接,所述开关管ms5的源极作为所述a通道第三开关网络的第二输出端。

12、进一步地,所述第一放大网络包括电容c2;

13、所述电容c2的一端作为所述第一放大网络的输入端,电容c2的另一端分别与电阻r1的一端、电阻r17的一端和放大管m1的栅极连接;

14、所述电阻r1的另一端分别与接地电阻r3和电阻r5的一端连接,所述电阻r5的另一端分别与电阻r11的一端、接地电容c8、电感l11的一端和电源电压vd1连接,所述电阻r11的另一端分别与微带线tl12的一端和接地电阻r9连接,所述微带线tl12的另一端与电阻r7的一端连接,所述电阻r7的另一端分别与电阻r13的一端和放大管m3的栅极连接,所述电阻r13的另一端与接地电容c6连接;

15、所述放大管m1的源极分别与接地电阻r15和放大管m2的栅极连接,所述放大管m2的源极接地,所述放大管m2的漏极分别与放大管m1的漏极和放大管m3的源极连接;

16、所述电阻r17的另一端通过电容c4与电感l7的一端连接,所述电感l7的另一端分别与放大管m3的漏极和电感l9的一端连接,所述电感l9的另一端分别与电感l11的另一端和电容c10的一端连接,所述电容c10的另一端与接地电容c12连接,并作为所述第一放大网络的输出端;

17、所述第二放大网络包括电容c3;

18、所述电容c3的一端作为所述第二放大网络的输入端,电容c3的另一端分别与电阻r2的一端、放大管m5的栅极和电阻r18的一端连接;

19、所述电阻r2的另一端分别与接地电阻r4和电阻r6的一端连接,所述电阻r6的另一端分别与电阻r12的一端、接地电容c9、电感l12的一端和电源电压vd2连接,所述电阻r12的另一端分别与微带线tl13的一端和接地电阻r10连接,所述微带线tl13的另一端与电阻r8的一端连接,所述电阻r8的另一端分别与电阻r14的一端和放大管m4的栅极连接,所述电阻r14的另一端与接地电容c7连接;

20、所述放大管m5的源极分别与接地电阻r16和放大管m6的栅极连接,所述放大管m6的源极接地,所述放大管m6的漏极分别与放大管m5的漏极和放大管m4的源极连接;

21、所述电阻r18的另一端通过电容c5与电感l8的一端连接,所述电感l8的另一端分别与放大管m4的漏极和电感l10的一端连接,所述电感l10的另一端分别与电感l12的另一端和电容c11的一端连接,所述电容c11的另一端与接地电容c13连接,并作为所述第二放大网络的输出端。

22、进一步地,所述a通道第四开关网络包括开关管ms6和开关管ms7;

23、所述开关管ms6的源极作为所述a通道第四开关网络的第一输入端,所述开关管ms6的栅极通过电阻rs6与控制电压vcon2连接;所述开关管ms7的源极作为所述a通道第四开关网络的第二输入端,所述开关管ms7本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高集成度双模放大器芯片,其特征在于,包括A通道第一开关网络、A通道第二开关网络、A通道第三开关网络、A通道第四开关网络、B通道第一开关网络、B通道第二开关网络、第一放大网络、第二放大网络、第一巴伦网络、第二巴伦网络、输入关断驻波匹配网络和输出关断驻波匹配网络;

2.根据权利要求1所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述A通道第一开关网络包括电容C1;

3.根据权利要求2所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述第一放大网络包括电容C2;

4.根据权利要求3所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述A通道第四开关网络包括开关管Ms6和开关管Ms7;

5.根据权利要求4所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述A通道第二开关网络包括开关管Ms8和开关管Ms10;

6.根据权利要求1所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述B通道第一开关网络包括电容C15;

7.根据权利要求6所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述B通道第二开关网络包括开关管Ms16和开关管Ms15;

<p>8.根据权利要求7所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述输入关断驻波匹配网络包括电感L11;

...

【技术特征摘要】

1.一种高集成度双模放大器芯片,其特征在于,包括a通道第一开关网络、a通道第二开关网络、a通道第三开关网络、a通道第四开关网络、b通道第一开关网络、b通道第二开关网络、第一放大网络、第二放大网络、第一巴伦网络、第二巴伦网络、输入关断驻波匹配网络和输出关断驻波匹配网络;

2.根据权利要求1所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述a通道第一开关网络包括电容c1;

3.根据权利要求2所述的高集成度双模放大器芯片,其特征在于,所述第一放大网络包括电容c2;

4.根据权利要求3所述的高集成度双模放大器芯片,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶珍徐家俊杨聪聪罗丰廷白杨彭宇王测天童伟
申请(专利权)人:成都嘉纳海威科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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